一种碲化镉太阳电池背接触结构制造技术

一种碲化镉太阳电池背接触结构，包含一层与碲化镉接触的Mo(O,S)x（2

【技术实现步骤摘要】
一种碲化镉太阳电池背接触结构
本技术属于太阳电池领域，也属于半导体器件领域，涉及碲化镉太阳电池的结构设计。
技术介绍
碲化镉太阳电池是一类比较成熟的太阳电池。其理论光电转换效率高，制备成本低，在各类太阳电池中具有较高的竞争力。然而碲化镉太阳电池当前实际最高转换效率（~22%）较其理论转换效率（~30%）仍然偏低。其原因除了实际制备的碲化镉材料电学质量（少子寿命低，载流子迁移率低等）偏低外，还包括碲化镉吸收层与背电极之间的欧姆接触问题。当前应用于太阳电池中的碲化镉半导体材料多为p型，其功函数较高（~5.7eV）。若希望碲化镉与背电极之间形成良好的欧姆接触，则要求背电极材料的功函数必须大于碲化镉材料的功函数。然而实际上常见的金属或导电氧化物的功函数均小于实际制备的碲化镉材料的功函数。因此，若在碲化镉半导体材料上直接沉积功函数较低的金属或导电氧化物，则会导致碲化镉半导体在靠近背电极处能带向下弯曲，从而形成对空穴电流的势垒，影响碲化镉太阳电池的光电转换性能。目前常见的碲化镉太阳电池，其结构是在透光衬底上依次制备透明导电电极、窗口层或缓冲层、碲化镉吸光层以及背接触结构。在以上结构的碲化镉太阳电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碲化镉太阳电池背接触结构，其特征是包含一层与碲化镉接触的Mo(O,S)x背接触层以及与Mo(O,S)x层接触的背电极层，其中2<x<3。

【技术特征摘要】
1.一种碲化镉太阳电池背接触结构，其特征是包含一层与碲化镉接触的Mo(O,S)x背接触层以及与Mo(O,S)x层接触的背电极层，其中2<x<3。2.根据权利要求1所述的一种碲化...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，周浪，黄海宾，曾庆国，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：新型
国别省市：江西,36