发光装置、照明装置及有机硅树脂制造方法及图纸

发光装置(10)具备基板(11)、配置于基板(11)上的LED芯片(12)、和以有机硅树脂作为基材(18)并将LED芯片(12)密封的密封构件(13)。密封构件(13)包含沸石(19)及通过LED芯片(12)所发出的光被激发的荧光体。

【技术实现步骤摘要】
发光装置、照明装置及有机硅树脂
本专利技术涉及发光装置、使用了发光装置的照明装置及有机硅树脂。
技术介绍
以往，已知有通过将LED(LightEmittingDiode，发光二极管)芯片用含有荧光体的密封构件进行密封来射出白色光的发光装置。作为这样的发光装置，在专利文献1中公开了所谓的SMD(SurfaceMountDevice，表面安装器件)结构的发光装置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-56398号公报
技术实现思路
专利技术所需要解决的课题上述那样的发光装置有时因长时间使用而射出光的色度发生变化。本专利技术提供因使用而引起的射出光的色度的变化得以抑制的发光装置及照明装置等。用于解决课题的手段本专利技术的一方案所涉及的发光装置具备基板、配置于上述基板上的发光元件、和以有机硅树脂作为基材并将上述发光元件进行密封的密封构件，上述密封构件包含沸石及通过上述发光元件所发出的光被激发的荧光体。本专利技术的一方案所涉及的照明装置具备上述发光装置、和对上述发光装置供给用于使该发光装置点亮的电力的点亮装置。本专利技术的一方案所涉及的有机硅树脂包含沸石及荧光体。专利技术效果根据本专利技术，可实现因使用而引起的射出光的色度的变化得以抑制的发光装置及照明装置等。附图说明图1是实施方式1所涉及的发光装置的外观立体图。图2是实施方式1所涉及的发光装置的平面图。图3是表示实施方式1所涉及的发光装置的内部结构的平面图。图4是图2的IV-IV线处的发光装置的示意剖视图。图5是表示260℃环境下的实施方式1所涉及的密封构件及比较例所涉及的密封构件的重量变化的图。图6是表示比较例所涉及的发光装置的色度坐标上的色度的变化的图。图7是表示实施方式1所涉及的发光装置的色度坐标上的色度的变化的图。图8是表示比较例所涉及的发光装置及实施方式1所涉及的发光装置的色度坐标的x轴方向的色度的与初期值的变化的图。图9是实施方式2所涉及的发光装置的剖视图。图10是表示第一层的结构的示意图。图11是表示第二层的结构的示意图。图12是实施方式3所涉及的照明装置的剖视图。图13是实施方式3所涉及的照明装置及其周边构件的外观立体图。具体实施方式以下，对于实施方式所涉及的发光装置等，参照附图进行说明。需要说明的是，以下说明的实施方式均表示概括的或具体的例子。以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置及连接形态等为一个例子，主旨不是限定本专利技术。另外，对于以下的实施方式中的构成要素中的表示最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素被说明。需要说明的是，各图为示意图，未必严密地被图示。另外，在各图中，对于实质上同一构成标注同一符号，重复的说明有时被省略或简化。(实施方式1)[发光装置的构成]首先，使用附图对实施方式1所涉及的发光装置的构成进行说明。图1是实施方式1所涉及的发光装置的外观立体图。图2是实施方式1所涉及的发光装置的平面图。图3是表示实施方式1所涉及的发光装置的内部结构的平面图。图4是图2的IV-IV线处的示意剖视图。需要说明的是，上述的图3是将图2中密封构件13及屏障材料15除去而表示LED芯片12的排列及布线图案等内部的结构的平面图。在图4中，绿色荧光体14g、红色荧光体14r及沸石19的形状及粒径等被示意性图示，并不准确。如图1～图4中所示的那样，实施方式1所涉及的发光装置10具备基板11、多个LED芯片12、密封构件13和屏障材料15。发光装置10为在基板11上直接安装有LED芯片12的所谓的COB(ChipOnBoard，板上芯片)结构的LED模块。基板11为具有设置有布线16的布线区域的基板。需要说明的是，布线16(以及电极16a及电极16b)通过用于对LED芯片12供给电力的金属来形成。基板11例如为金属基底基板或陶瓷基板。另外，基板11也可以为以树脂作为基材的树脂基板。作为陶瓷基板，采用由氧化铝(alumina)形成的氧化铝基板或由氮化铝形成的氮化铝基板等。另外，作为金属基底基板，例如采用在表面形成有绝缘膜的铝合金基板、铁合金基板或铜合金基板等。作为树脂基板，例如采用由玻璃纤维和环氧树脂形成的玻璃环氧基板等。需要说明的是，作为基板11，例如采用光反射率高的(例如光反射率为90％以上的)基板。通过采用光反射率高的基板作为基板11，能够使LED芯片12所发出的光在基板11的表面反射。其结果是，发光装置10的光取出效率提高。作为这样的基板，例如可例示出以氧化铝作为基材的白色陶瓷基板。另外，作为基板11，也可以采用光的透射率高的透光性基板。作为这样的基板，可例示出由多晶的氧化铝或氮化铝形成的透光性陶瓷基板、由玻璃形成的透明玻璃基板、由水晶形成的水晶基板、由蓝宝石形成的蓝宝石基板或由透明树脂材料形成的透明树脂基板。需要说明的是，实施方式1中，基板11为矩形，但也可以为圆形等其它的形状。LED芯片12为发光元件的一个例子，为发出蓝色光的蓝色LED芯片。作为LED芯片12，例如采用由InGaN系的材料构成的中心波长(发光光谱的峰值波长)为430nm以上且470nm以下的氮化镓系的LED芯片。需要说明的是，发光装置10只要具备至少1个LED芯片12即可。在基板11上，设置有多个由多个LED芯片12形成的发光元件列。如图3中所示的那样，在结构上，与圆形状对应地在基板11上设置有7列发光元件列。在基板11上设置有5列由12个被串联电连接的LED芯片12形成的发光元件列。这些5列的发光元件列被并联连接，通过对电极16a与电极16b之间供给电力而发光。另外，串联连接的LED芯片12彼此主要通过接合线17以ChipToChip被电连接(关于一部分LED芯片12，介由布线16被电连接)。接合线17是与LED芯片12电连接及在结构上连接的给电用的线。需要说明的是，作为接合线17、以及上述的布线16、电极16a及电极16b的金属材料，例如采用金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)等。屏障材料15为设置于基板11上的用于拦住密封构件13的构件。对于屏障材料15，例如使用具有绝缘性的热固化性树脂或热塑性树脂等。更具体而言，对于屏障材料15，使用有机硅树脂、酚醛树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂或聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂等。为了提高发光装置10的光取出效率，屏障材料15优选具有光反射性。于是，在实施方式1中，对于屏障材料15，使用白色的树脂(所谓的白树脂)。此外，为了提高屏障材料15的光反射性，在屏障材料15中，也可以包含TiO2、Al2O3、ZrO2及MgO等粒子。在发光装置10中，屏障材料15在俯视的情况下按照将多个LED芯片12包围的方式形成为圆环状。并且，在由屏障材料15所围成的区域中，设置密封构件13。此外，屏障材料15也可以将外形形成为矩形的环状。密封构件13为将多个LED芯片12密封的密封构件。密封构件13更具体而言将多个LED芯片12、接合线17及布线16的一部分进行密封。密封构件13包含基材18、绿色荧光体14g和沸石19。密封构件13的基材18为透光性树脂材料。作为透光性树脂材料，例如使用加成型的有机硅树脂，但也可以使用缩合型的有机硅树脂。有机硅树脂中，包含主剂、固化剂及铂催化剂。主剂例如为具有与硅原子(Si)键合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其具备：基板；配置于所述基板上的发光元件；和密封构件，其以有机硅树脂作为基材，将所述发光元件密封；所述密封构件包含沸石及通过所述发光元件所发出的光被激发的荧光体。

【技术特征摘要】
2018.04.17 JP 2018-0793121.一种发光装置，其具备：基板；配置于所述基板上的发光元件；和密封构件，其以有机硅树脂作为基材，将所述发光元件密封；所述密封构件包含沸石及通过所述发光元件所发出的光被激发的荧光体。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述荧光体为氮化物荧光体。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述荧光体为通过所述发光元件所发出的光被激发而发出红色光的红色荧光体。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，在所述发光装置的连续发光中，所述发光装置所射出的光的色度在色度坐标上朝向x轴正侧移动后，朝向x轴负侧移动。5.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述密封构件进一步包含通过所述发光元件所发出的光被激发而发出黄色光的黄色荧光体及通过所述发光元件所发出的光被激发而发出绿色光的绿色荧光体中的至少一者。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述密封构件中包含的所述沸石的浓度为5ppm以上且50000ppm以下。7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述密封构件包含粒径为200nm以下的所述沸石。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部益巳，仓地敏明，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP