一种提高PECVD设备抽真空效率的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体和设置在壳体上的盖板，壳体的外侧设置有冷凝盘管，壳体内的底部设置有加热器；所述盖板还设置有一根进气管和出气管，壳体底部连接有一根排液管；所述进气管上连接有进气阀，排液管上设置有排液阀。本实用新型专利技术中通过设置设置壳体和冷凝盘管等，可以将PECVD设备的真空仓体抽出的气体进行降温，将其中的杂质降温结晶从而从气体中分离，进入真空泵的气体不含结晶物，保证真空泵正常运行，从而提高了PECVD设备抽真空效率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高PECVD设备抽真空效率的装置
本技术涉及PECVD设备
，特别涉及一种提高PECVD设备抽真空效率的装置。
技术介绍
PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)是指等离子体增强化学的气相沉积法，生产过程中需要通过真空泵的持续运行来维持真空仓体内的真空度。但是实际抽真空时，会有SiO2、CF4、-CF3等结晶物进入真空泵中使得真空泵发生堵塞，不仅会影响真空泵的正常运行，对真空泵造成损害，还会降低抽真空的效率，影响正常生产。可见，现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本技术的目的在于提供一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，旨在解决现有技术中PECVD设备时结晶物进入真空泵导致抽真空效率低的技术问题。为了达到上述目的，本技术采取了以下技术方案：一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体和设置在壳体上的盖板，壳体的外侧设置有冷凝盘管，壳体内的底部设置有加热器；所述盖板还设置有一根进气管和出气管，壳体底部连接有一根排液管；所述进气管上连接有进气阀，所述出气管用于连接PECVD设备的真空泵，排液管上设置有排液阀。所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述进气阀的进口端连接有两根进气支管。所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述进气阀为比例阀。所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述盖板或壳体上还设置有一根氮气管。所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述加热器为加热棒。所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述进气管向下穿过盖板，进气管的底端距离壳体内侧底面的距离为20～30mm。所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述出气管向下穿过盖板，出气管的底端与盖板的下表面平齐。所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述壳体由不锈钢制成。有益效果：本技术提供了一种本技术提供的提高PECVD设备抽真空效率的装置，相比现有技术，本技术通过设置壳体以及冷凝盘管等，从而便于对PECVD设备的真空仓体抽出的气体进行降温，将其中的杂质降温结晶从而从气体中分离，进入真空泵的气体不含结晶物，保证真空泵正常运行，从而提高了PECVD设备抽真空效率。附图说明图1为本技术提供的提高PECVD设备抽真空效率的装置的主视图。图2为本技术提供的提高PECVD设备抽真空效率的装置的工作原理图。具体实施方式本技术提供一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图1和图2，本技术提供一种提高PECVD设备抽真空效率的装置。附图仅用于解释所述提高PECVD设备抽真空效率的装置的结构原理，不与实际产品成比例。附图中未画出所有的阀门等管件。所述提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体1和设置在壳体上的盖板2，壳体1的外侧设置有冷凝盘管3，壳体内的底部设置有加热器4；所述盖板还设置有一根进气管51和出气管52，进气管和出气管均插入壳体内，且进气管的底端低于出气管的底端；壳体底部连接有一根排液管53；所述进气管上连接有进气阀511，所述出气管用于连接PECVD设备的真空泵90，排液管上设置有排液阀531。实际应用中，出气管上通常会设置有阀门(图中未画出)。如果所示，壳体的底部一般呈椭圆形，但不限定于此。由于制冷本身属于现有技术，因此，此处不限定冷凝盘管的冷源(如：压缩机对制冷剂做工来制冷)。进一步地，所述进气阀511的进口端连接有两根进气支管50。实际使用时，两根进气支管分别连接至PECVD设备的真空仓体的两侧，从真空仓体的两侧同时抽真空，提高抽真空的效果。优选地，所述进气阀511为比例阀，相对于普通阀门，比例阀的控制更加精准，保证真空仓体的真空度在预定的范围内。进一步地，所述盖板或壳体上还设置有一根氮气管54。通常地，氮气管上也上设置有一个阀门(图中未画出)用于连通或者关闭外部氮气气源。图1中该氮气管设置在盖板上，但实际应用中也可以设置在壳体上。当需要清理壳体的内腔时，氮气管连通外部氮气气源，可以对壳体内快速清扫和吹干。优选地，所述加热器4为加热棒，接通外部电源可以起到发热的效果，且具有较大的加热面积，能够快速融合壳体内的结晶物。优选地，所述进气管51向下穿过盖板，进气管的底端距离壳体内侧底面的距离为20～30mm。即，气体能够进入到壳体内腔的底部，使得气体在壳体内得到充分降温。优选地，所述出气管52向下穿过盖板，出气管的底端与盖板的下表面平齐，这样设置便于降温后的气体能够快速地从壳体中排出。优选地，所述壳体1由不锈钢制成，以提高使用寿命。以下简述工作原理：所述进气阀的进口端连接的两根进气支管50分别连接至PECVD设备的真空仓体91的两侧，所述出气管连接至真空泵。为了便于理解，图2中还画出了药水蒸发罐92，该药水蒸发罐与真空仓体相连，用于提供纳米薄膜的原材料；图2中还示意性画出了氧气、氩气和空气的进气管93。真空泵90正常运行时对真空仓体进行抽真空，而抽出的气体随着进气支管进入进气管并到达所述壳体的内腔；受到冷凝盘管的作用，壳体温度较低(如：-95度甚至更低)，气体到达壳体内腔后迅速降温，SiO2、CF4、-CF3的杂质在壳体中结晶并主要沉积在壳体内的底部；壳体内的其他从出气管排出并到达真空泵，进入真空泵的气体不含有结晶物也没有形成结晶物的可能，保证了真空泵正常运行，从而提高了PECVD设备抽真空效率。当需要对壳体内的结晶物进行清理时，可以将加热棒接通电源进行发热，将结晶物融化，打开排液管上的排液阀将液体排出。进一步地，可以将氮气管接通外部氮气气源(其压强一般为0.6Mpa～0.8Mpa)，从而对壳体内部进行吹扫、加速清洁。通过上述分析可知，本技术提供的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，通过设置壳体以及冷凝盘管等，从而便于对PECVD设备的真空仓体抽出的气体进行降温，将其中的杂质降温结晶从而从气体中分离，进入真空泵的气体不含结晶物，防止了真空泵发生堵塞，保证真空泵正常运行，从而提高了PECVD设备抽真空效率。需要说明的是，图2中所画出的真空仓体、药水蒸发罐、真空泵、以及氧气、氩气和空气的进气管本身属于PECVD设备，并不在本技术的保护范围内。可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体和设置在壳体上的盖板，其特征在于，壳体的外侧设置有冷凝盘管，壳体内的底部设置有加热器；所述盖板还设置有一根进气管和出气管，壳体底部连接有一根排液管；进气管和出气管均插入壳体内，且进气管的底端低于出气管的底端；所述进气管上连接有进气阀，排液管上设置有排液阀。

【技术特征摘要】
1.一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体和设置在壳体上的盖板，其特征在于，壳体的外侧设置有冷凝盘管，壳体内的底部设置有加热器；所述盖板还设置有一根进气管和出气管，壳体底部连接有一根排液管；进气管和出气管均插入壳体内，且进气管的底端低于出气管的底端；所述进气管上连接有进气阀，排液管上设置有排液阀。2.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述进气阀的进口端连接有两根进气支管。3.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述进气阀为比例阀。4.根据权利要求1所述的提高P...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨福年，郑锡文，
申请(专利权)人：东莞市和域战士纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44