太阳电池及太阳电池的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳电池及太阳电池的制造方法，其目的在于减少银的使用量及减少或消除铅(铅玻璃)的使用量。本发明专利技术的构成，是制造在基板上照射光线等时生成高电子浓度的区域的同时，在该区域上形成透射光线等的绝缘膜，而且具有从在该绝缘膜所形成的电子取出口将电子取出的总线电极的太阳电池；为了形成总线电极，在导电性膏以重量比20％至70％混入导电性玻璃作为玻璃料且进行烧制而形成总线电极，来减少导电性膏的使用量。

【技术实现步骤摘要】
太阳电池及太阳电池的制造方法本申请是申请号为201610371213.4,申请日为2016年05月30日，专利技术名称为“太阳电池及太阳电池的制造方法”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种太阳电池及太阳电池的制造方法，其制作在基板上照射光线等时生成高电子浓度的区域的同时，在区域上形成透射光线等的绝缘膜，且具有从形成在绝缘膜的电子取出口取出电子的总线电极(buselectrode)。
技术介绍
以往，利用可再生能源之一的太阳电池，是以20世纪的主角的半导体技术作为基础而进行其开发。其为影响人类生存的全球性水准的重要开发。该开发课题不仅是将太阳光转换成为电能的效率，也一边面对减少制造成本及无公害的课题一边进展。实现这些目的，降低或消除在电极所使用的银(Ag)和铅(pb)的使用量特别重要。通常，太阳电池的构造，如图7(a)的平面图及7(b)的剖面图所示，由以下各要素构成：N型/P型的硅基板43，将太阳光能源转换成为电能；氮化硅45，防止硅基板43的表面反射且为绝缘体薄膜；指状电极(fingerelectrode)42，取出在硅基板43中所产生的电子；总线电极(busbarelec本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳电池，制作有在基板上照射光线时生成高电子浓度的区域，并在该区域上形成有透射光线的绝缘膜，且所述太阳电池具有从形成在该绝缘膜的电子取出口取出电子的总线电极，其中，为了形成所述总线电极，在导电性膏中以重量比20％至70％混入包含钒及钡的钒酸盐玻璃且具有前述钒酸盐玻璃的电子导电性的导电性玻璃作为玻璃料，而且进行1秒以上且1分钟以内的烧制，而形成在前述烧制时改善电子导电性的总线电极，且使用了导电性玻璃作为导电性膏。

【技术特征摘要】
2016.01.29 JP 2016-0158731.一种太阳电池，制作有在基板上照射光线时生成高电子浓度的区域，并在该区域上形成有透射光线的绝缘膜，且所述太阳电池具有从形成在该绝缘膜的电子取出口取出电子的总线电极，其中，为了形成所述总线电极，在导电性膏中以重量比20％至70％混入包含钒及钡的钒酸盐玻璃且具有前述钒酸盐玻璃的电子导电性的导电性玻璃作为玻璃料，而且进行1秒以上且1分钟以内的烧制，而形成在前述烧制时改善电子导电性的总线电极，且使用了导电性玻璃作为导电性膏。2.如权利要求1所述的太阳电池，其中所述玻璃料为包含钒、钡及铁的钒酸盐玻璃。3.如权利要求1所述的太阳电池，其中所述烧制时间的1秒以上且1分钟以内，是将导电性膏中包含的所述钒酸盐玻璃的烧制时间及所述钒酸盐玻璃以外的烧制时间设为相同。4.如权利要求2所述的太阳电池，其中所述烧制时间的1秒以上且1分钟以内，是将导电性膏中包含的所述钒酸盐玻璃的烧制时间及所述钒酸盐玻璃以外的烧制时间设为相同。5.如权利要求1至4项中任一项所述的太阳电池，其中所述导电性玻璃无Pb。6.如权利要求1至4项中任一项所述的太阳电池，其中在所述烧制所形成的总线电极上设置有引线电极。7.如权利要求6所述的太阳电池，其中所述引线电极为导电性的导线，将该导线以超声波焊接在所述总线电极，且透过焊料使该导线与该总线电极良好地粘合。8.如权利要求7所述的太阳电池，其中在将所述总线电极从室温预热至焊料的熔融温度以下的温度的状态下，将该总线电极与所述导线进行超声波焊接。9.一种太阳电池的...

【专利技术属性】
技术研发人员：上迫浩一，小林贤一，小宫秀利，松井正五，松下满树，新井杰也，菅原美爱子，
申请(专利权)人：亚特比目株式会社，农工大TLO株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP