屏体虚设器件检测方法和装置制造方法及图纸

技术编号:22388903 阅读:21 留言:0更新日期:2019-10-29 06:59
本发明专利技术公开一种屏体虚设器件检测方法和装置。该方法包括:向虚设器件施加一组或多组前处理信号,使虚设器件的电气特性处于稳定状态;向虚设器件施加检测信号,得到虚设器件的一个或多个电气特性参数。采用本发明专利技术实施例的技术方案,能够稳定虚设器件的电气特性,提高检测数据的精度和准确性,避免重复测试。

Detection method and device of screen virtual device

【技术实现步骤摘要】
屏体虚设器件检测方法和装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种屏体虚设器件检测方法和装置。
技术介绍
如图1所示,屏体具有显示区域DA和位于显示区域周侧的非显示区域NDA,显示区域DA设置有用于驱动像素工作的有效器件(比如,TFT晶体管),非显示区域NDA设置有虚设器件。有效器件与虚设器件在制备阵列基板时同步形成,两者具有相同的工艺参数,虚设器件的电气特性能够反映有效器件的电气特性。现有技术中,主要通过施加一次检测信号的方式,检测虚设器件的电气特性参数。但是,由于器件在工艺过程中通过孔进行连接,不同材料间接触效果不好和器件本身存在微残留及膜层应力等,导致虚设器件电气特性不稳定,使得首次检测数据与之后几次检测数据相差较多,重复性差,无法确定虚设器件的工艺是否正常,给工程师造成判断干扰。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种屏体虚设器件检测方法和装置,能够稳定虚设器件的电气特性,提高检测数据的精度和准确性,避免重复测试。第一方面,本专利技术实施例提供一种屏体虚设器件检测方法,屏体具有显示区域和位于显示区域周侧的非显示区域,虚设器件位于非显示区域,其特征在于,该屏体虚设器件检测方法包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种屏体虚设器件检测方法,所述屏体具有显示区域和位于所述显示区域周侧的非显示区域,所述虚设器件位于所述非显示区域,其特征在于,所述方法包括:向所述虚设器件施加一组或多组前处理信号,使所述虚设器件的电气特性处于稳定状态;向所述虚设器件施加检测信号,得到所述虚设器件的一个或多个电气特性参数。

【技术特征摘要】
1.一种屏体虚设器件检测方法,所述屏体具有显示区域和位于所述显示区域周侧的非显示区域,所述虚设器件位于所述非显示区域,其特征在于,所述方法包括:向所述虚设器件施加一组或多组前处理信号,使所述虚设器件的电气特性处于稳定状态;向所述虚设器件施加检测信号,得到所述虚设器件的一个或多个电气特性参数。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,各组前处理信号中相邻两个所述前处理信号的差值相等。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,施加至所述虚设器件的前处理信号的最大幅值大于施加至所述虚设器件的检测信号的最大幅值。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述显示区域中设置有与所述虚设器件同步制备的有效器件;在所述得到所述虚设器件的一个或多个电气特性参数的步骤之后,所述方法还包括:若所述虚设器件的所有电气特性参数全部处于对应的参数允许范围内,则确定所述虚设器件以及对应的有效器件均正常;若所述虚设器件的所有电气特性参数中任意一个超出对应的参数允许范围,则确定所述虚设器件以及对应的有效器件均异常。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述虚设器件为晶体管;所述向所述虚设器件施加一组或多组前处理信号的步骤包括:向所述晶体管的栅极施加一组或者多组前处理信号。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述晶体管的电气特性参数包括以下参数中的至少一个:导通电流、截止电流、阈值电压和迁移率。7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在所述得到所述虚设器件的一个或多个电气特性参数的步骤之后,所述方法还包括:若所述晶体管的任意一个电气特性参数超出对应的参数允许范围,则向所述晶体管的多个层间接触电阻分别施加一组或多组前处理信号,...

【专利技术属性】
技术研发人员:张世权王豪
申请(专利权)人:云谷固安科技有限公司
类型:发明
国别省市:河北,13

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