无螺栓衬底支撑件组件制造技术

技术编号:22334477 阅读:38 留言:0更新日期:2019-10-19 13:06
一种衬底支撑件包括被布置为支撑陶瓷层的导电基板。所述导电基板包括沿垂直于由所述导电基板限定的水平平面的轴线延伸的第一腔。耦合组件被布置在所述第一腔内。所述耦合组件包括被配置为围绕所述轴线旋转的齿轮。布置在所述第一腔内的销沿所述轴线延伸穿过所述齿轮并进入所述导电基板下方的第二腔内。所述齿轮的旋转使所述销相对于所述导电基板向上或向下移动。所述销在所述齿轮旋转以使所述销向下移动到所述第二腔内时保持在所述第二腔内。

Support as-bolt less substrate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无螺栓衬底支撑件组件相关申请的交叉引用本申请要求于2017年3月8日提交的美国专利申请No.15/452,976的优先权。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本公开涉及衬底处理系统中的衬底支撑件组件。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻、电介质蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上,衬底支撑件例如基座、静电卡盘(ESC)等。在蚀刻期间,可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室,并且可以使用等离子体来引发化学反应。衬底支撑件可包括布置成支撑衬底的陶瓷层。例如,可以在处理期间将衬底夹持到陶瓷层上。陶瓷层可以布置在导电(例如铝)基板上。基板可以进一步设置在绝缘基座上。例如,陶瓷基板可以布置在处理室的底表面和导电基板之间。
技术实现思路
一种衬底支撑件包括被布置为支撑陶瓷层的导电基板。所述导电基板包括沿垂直于由所述导电基板限定的水平平面的轴线延伸的第一腔。耦合组件被布置在所述第一腔内。所述耦合组件包括被配置为围绕所述轴线旋转的齿轮。布置在所述第一腔内的销沿所述轴线延伸穿过所述齿轮并进入所述导电基板下方的第二腔内。所述齿轮的旋转使所述销相对于所述导电基板向上或向下移动。所述销在所述齿轮旋转以使所述销向下移动到所述第二腔内时保持在所述第二腔内。根据详细描述、权利要求和附图,本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的,并非意在限制本公开的范围。附图说明根据详细描述和附图将更充分地理解本公开,其中:图1是示例性衬底支撑件,其包括一个或多个用于连接导电基板的螺栓;图2是根据本公开的包括衬底支撑件的示例性处理室的功能框图;图3A和3B示出了包括根据本公开的第一示例性耦合组件的衬底支撑件。图3C和3D示出了包括根据本公开的第二示例性耦合组件的衬底支撑件。图4示出了包括根据本公开的第三示例性耦合组件的衬底支撑件。图5示出了包括根据本公开的第四示例性耦合组件的衬底支撑件。图6示出了包括根据本公开的第五示例性耦合组件的衬底支撑件。在附图中,可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。具体实施方式图1示出了包括基板14和陶瓷层18的示例性衬底支撑件10的一部分。例如,基板14可以对应于铝导电基板。可以在基板14和陶瓷层18之间形成结合层22。可以在陶瓷层18和基板14之间的结合层22的周边周围提供保护性密封件26。衬底30布置在陶瓷层18上。衬底支撑件10可包括边缘环(例如,边缘耦合环)34。边缘环34包括内环38和外环42。在一些示例中,边缘环34可布置在耦合环46和50上。外支撑结构54可以围绕衬底支撑件10。基板14可以布置在绝缘基板58上。例如,绝缘基板58可以包括陶瓷。绝缘基板布置在处理室的底表面62和导电基板14之间。导电基板14可以使用紧固件(例如螺栓或螺钉66)附接到处理室的绝缘基板58和/或底表面62上。例如,如图所示,螺栓66可以将导电基板14直接附接到绝缘基板58上,或者可以穿过绝缘基板58延伸到处理室的底表面62中。仅举例而言,螺栓66可以是带螺纹的,并且穿过导电基板14和/或绝缘基板58的通孔70也可以是带螺纹的。通孔70的上端74可以配置成容纳螺栓66的头部78。例如,头部78可以具有比螺栓66的直径大的直径。在处理衬底30期间,在衬底支撑件10的各个部件之间的间隙中可能更容易发生等离子体发光和电弧放电(Arcing)。例如,在导电基板14和其他导电结构(例如耦合环46和50)之间可能发生电弧放电。电弧放电也可能发生在通孔70的上端74内(例如,在导电基板14和耦合环50中的一个或多个与螺栓66之间)。换句话说,通孔70完全延伸穿过导电基板14,从而使得能在通孔70的上端74内发生电弧放电。根据本公开的原理的系统和方法实现了耦合组件,该耦合组件被配置为将衬底支撑件的导电基板附接到支撑结构(例如,绝缘基板或等离子体处理室的底表面)。现在参考图2,示出了示例性衬底处理系统100。仅举例而言,衬底处理系统100可以用于执行使用RF等离子体的蚀刻和/或用于执行其他合适的衬底处理。衬底处理系统100包括处理室102,处理室102包围衬底处理系统100的其他部件并包含RF等离子体。衬底处理室102包括上电极104和衬底支撑件106,例如静电卡盘(ESC)。在操作期间,衬底108布置在衬底支撑件106上。虽然作为示例示出了特定衬底处理系统100和室102,但是本公开的原理可以应用于其他类型的衬底处理系统和室,例如原位产生等离子体的衬底处理系统、实现远程等离子体产生和输送(例如,使用等离子体管、微波管)的衬底处理系统等等。仅举例而言,上电极104可包括气体分配装置,例如喷头109,其引入和分配处理气体。喷头109可包括杆部,杆部包括连接到处理室的顶部表面的一端。基部部分通常为圆柱形,并且在与处理室的顶部表面间隔开的位置处从杆部的相对端径向向外延伸。喷头的基部部分的面向衬底的表面或面板包括让处理气体或吹扫气体流过的多个孔。替代地,上电极104可包括导电板,并且可以以另一种方式引入处理气体。衬底支撑件106包括用作下电极的导电基板110。基板110支撑陶瓷层112。在一些示例中,陶瓷层112可包括加热层,例如陶瓷多区加热板。热阻层114(例如,结合层)可以布置在陶瓷层112和基板110之间。基板110可以包括用于使冷却剂流过基板110的一个或多个冷却剂通道116。衬底支撑件106可包括边缘环118,边缘环118布置成围绕衬底108的外周边。RF产生系统120产生RF电压并将RF电压输出到上电极104和下电极(例如,衬底支撑件106的基板110)中的一个。上电极104和基板110中的另一个可以是DC接地的、AC接地的或浮动的。仅举例而言,RF产生系统120可以包括RF电压产生器122,其产生RF电压,该RF电压由匹配和分配网络124馈送到上电极104或基板110。在其他示例中,可以感应或远程生成等离子体。尽管如为了示例目的所示出的,RF产生系统120对应于电容耦合等离子体(CCP)系统,但是本公开的原理也可以在其他合适的系统中实现,例如,仅举例而言,在变压器耦合等离子体(TCP)系统、CCP阴极系统、远程微波等离子体产生和输送系统等中实现。气体输送系统130包括一个或多个气体源132-1、132-2、…和132-N(统称为气体源132),其中N是大于零的整数。气体源提供一种或多种前体及其混合物。气体源还可以供应吹扫气体。也可以使用汽化的前体。气体源132通过阀134-1、134-2、…和134-N(统称为阀134)和质量流量控制器136-1、136-2、…和136-N(统称为质量流量控制器136)与歧管140连接。歧管140的输出被供给到处理室102。仅举例而言,歧管140的输出被供给到喷头109。温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底支撑件,其包括:导电基板,其被布置为支撑陶瓷层,所述导电基板包括沿垂直于由所述导电基板限定的水平平面的轴线延伸的第一腔;和被布置在所述第一腔内的耦合组件,所述耦合组件包括被配置为围绕所述轴线旋转的齿轮,和布置在所述第一腔内的销,所述销沿所述轴线延伸穿过所述齿轮并进入所述导电基板下方的第二腔内,其中所述齿轮的旋转使所述销相对于所述导电基板向上或向下移动,并且其中所述销在所述齿轮旋转以使所述销向下移动到所述第二腔内时保持在所述第二腔内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.08 US 15/452,9761.一种衬底支撑件,其包括:导电基板,其被布置为支撑陶瓷层,所述导电基板包括沿垂直于由所述导电基板限定的水平平面的轴线延伸的第一腔;和被布置在所述第一腔内的耦合组件,所述耦合组件包括被配置为围绕所述轴线旋转的齿轮,和布置在所述第一腔内的销,所述销沿所述轴线延伸穿过所述齿轮并进入所述导电基板下方的第二腔内,其中所述齿轮的旋转使所述销相对于所述导电基板向上或向下移动,并且其中所述销在所述齿轮旋转以使所述销向下移动到所述第二腔内时保持在所述第二腔内。2.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述第二腔位于(i)布置在所述导电基板下方的绝缘基板和(ii)衬底处理室的下壁中的至少一者内。3.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述导电基板布置在绝缘基板上,并且其中所述第二腔位于所述绝缘基板内。4.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述导电基板布置在衬底处理室的底表面上,并且其中所述第二腔位于所述衬底处理室的所述底表面下方。5.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述导电基板布置在绝缘基板上,其中所述绝缘基板布置在衬底处理室的底表面上,并且其中所述第二腔延伸穿过所述绝缘基板并在所述衬底处理室的所述底表面下方。6.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述第二腔包括螺母,并且其中所述销保持在所述第二腔中的所述螺母内。7.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述齿轮的旋转引起所述销的旋转。8.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述销的外表面、所述齿轮的内表面和所述第一腔的内表面中的至少一个是带螺纹的。9.根据权利要求1所述的衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝芳莉付越虹陈志刚
申请(专利权)人:朗姆研究公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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