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液晶元件及其制造方法技术

技术编号:22334384 阅读:44 留言:0更新日期:2019-10-19 13:05
液晶显示元件10包括第1基材11、与第1基材11相向配置的第2基材12、以及配置于第1基材11与第2基材12之间的液晶层13。第1基材11及第2基材12中的至少一者为包含树脂的基材。液晶显示元件10包括:共用电极14,设置于第1基材11上;像素电极16,在第1基材11中在共用电极14上介隔绝缘膜15配置而成;以及液晶取向膜,形成于第1基材11及第2基材12中的至少一者的表面上,且与液晶层13邻接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶元件及其制造方法关联申请的相互参照本申请是基于2017年3月17日提出申请的日本申请编号2017-52456号而成者,在本申请中引用其记载内容。
本公开涉及一种液晶元件及其制造方法。
技术介绍
近年来,液晶元件可在自移动电话、智能手机、平板个人计算机(PersonalComputer,PC)等小型装置至液晶电视等大画面的液晶显示元件为止广泛的用途中使用。作为液晶元件,除了扭转向列(TwistedNematic,TN)型、超扭转向列(SuperTwistedNematic,STN)型、垂直取向(VerticalAlignment,VA)型等纵电场方式的具有液晶单元的液晶显示元件以外,已知有面内切换(In-PlaneSwitching,IPS)型、边缘场切换(FringeFieldSwitching,FFS)型等横电场方式的液晶显示元件(例如,参照专利文献1)。在横电场方式的液晶元件中,在一对基板中的一个基板上设置有电极对(共用电极及像素电极)。在横电场方式的液晶元件中,通过在共用电极与像素电极之间形成电场,沿水平方向取向的液晶分子在水平方向上旋转。由此,入射光的透过得以控制。因此,与纵电场方式的液晶元件相比,横电场方式的液晶元件具有更广的视野角特性,且可实现高品质的显示。作为横电场方式的液晶元件之一的FFS型液晶元件是通过对平行(homogeneous)取向的液晶分子施加边缘电场而控制光的透过的方式的液晶元件。在FFS型液晶元件中,在一个基板表面设置有共用电极,在所述共用电极的表面介隔绝缘膜而设置有像素电极。若在共用电极与像素电极之间形成有电场(边缘电场),则在像素电极的两侧电场朝向共用电极,不仅存在于像素电极间的液晶分子而且像素电极上的液晶分子会旋转。因此,根据FFS型液晶元件,有如下优点:可实现更广的视野角及高对比度。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2016-142945号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题作为液晶元件,伴随着其多用途化,而希望可改善可挠性、耐冲击性且实现轻量化及薄型化。尤其,可以说若在可实现广视野角及高对比度的FFS型液晶元件中能够改善可挠性等特性,则也会带来液晶元件的进一步的用途扩大、品质提高。本公开是鉴于所述课题而成,其主要目的在于提供一种可挠性及耐冲击性良好并且轻量且薄型、液晶取向性良好的FFS型液晶元件。解决问题的技术手段本公开为了解决所述课题而采用以下手段。[1]一种液晶元件,其包括第1基材、与所述第1基材相向配置的第2基材、以及配置于所述第1基材与所述第2基材之间的液晶层,所述第1基材及所述第2基材中的至少一者为包含树脂的基材,且所述液晶元件包括:共用电极,设置于所述第1基材上;像素电极,在所述第1基材中在所述共用电极上介隔绝缘膜配置而成;以及液晶取向膜,形成于所述第1基材及所述第2基材中的至少一者上,且与所述液晶层邻接。[2]一种液晶元件的制造方法,其中所述液晶元件包括第1基材、与所述第1基材相向配置的第2基材、以及配置于所述一对基材间的液晶层,且所述第1基材及所述第2基材中的至少一者为包含树脂的基材,在所述第1基材上设置有共用电极、以及在所述共用电极上介隔绝缘膜而配置的像素电极,所述液晶元件的制造方法包括:在所述第1基材及所述第2基材中的至少一者涂布液晶取向剂而形成液晶取向膜的步骤;以及在形成所述液晶取向膜后,介隔所述液晶层而将所述第1基材及所述第2基材相向配置而构建液晶单元的步骤。专利技术的效果根据所述构成,将第1基材及第2基材中的至少一者设为包含树脂的基材,因此可获得可挠性及耐冲击性良好、轻量且薄型、并且液晶取向性良好的FFS型液晶元件。附图说明[图1]图1为表示FFS型液晶显示元件的概略构成的剖面图。[图2]图2为表示第2实施方式的FFS型液晶显示元件的概略构成的剖面图。[图3]图3为像素电极的平面示意图。[图4]图4为像素电极的平面示意图。具体实施方式(第1实施方式)<液晶元件>以下,参照附图对第1实施方式进行说明。再者,关于以下的各实施方式彼此,对于彼此相同或均等的部分在图中附上相同符号,对于相同符号的部分引用所述说明。本实施方式中,将液晶元件具体化为FFS型的液晶显示元件10。液晶显示元件10如图1所示包括包含第1基材11及第2基材12的一对基材、以及配置于第1基材11与第2基材12之间的液晶层13。第1基材11及第2基材12为透明基材,第1基材11及第2基材12中的至少一者为包含树脂的膜基材。本实施方式中,第1基材11为玻璃基材,第2基材12为包含树脂的膜基材。所述情况下,就可获得轻量化及薄型化的效果且实现液晶的保护的方面而言优选。作为构成膜基材的树脂,例如可列举:硅、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯、芳香族聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、三乙酰基纤维素(TriacetylCellulose,TAC)、聚甲基丙烯酸甲酯等材料。在第1基材11上设置有扫描线、公共配线(commonwiring)及信号线(附图略),在由扫描线及公共配线划分的区域设置有作为连接于公共配线的面电极的共用电极14。另外,在第1基材11中,在共用电极14上介隔绝缘膜15而配置有梳齿状的像素电极16。由共用电极14及像素电极16而构建电极对。共用电极14及像素电极16例如为包含氧化锡(SnO2)的奈塞(NESA)膜(美国PPG公司注册商标)、包含氧化铟-氧化锡(In2O3-SnO2)的氧化铟锡(IndiumTinOxid,ITO)膜、或包含碳材料的透明导电膜。在扫描线与信号线交差的位置的附近配置有作为切换元件的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)(附图略),通过TFT的驱动来控制对共用电极14及像素电极16的电压施加及解除。在第2基材12上设置有彩色滤光片17及保护膜18。在第1基材11中的像素电极16、与像素电极16间的狭缝19的表面上形成有液晶取向膜21,在第2基材12中的保护膜18的表面上形成有液晶取向膜22。液晶取向膜21、液晶取向膜22是规定液晶层13中的液晶分子的取向方位的有机薄膜,本实施方式中是使用包含具有光取向性基的聚合物的聚合物组合物而形成的光取向膜。第1基材11与第2基材12是介隔未图示的间隔物并隔开规定的间隙(单元间隙)而加以配置。作为间隔物,可列举柱状间隔物、珠状间隔物等。另外,作为间隔物,就对基材的密接性的观点而言,也可应用日本专利特愿2016-196723号中记载的间隔物结构(图1或图2中记载的双重(dual)间隔物)。第1基材11与第2基材12是彼此的周缘部经由密封材而贴合。通过向由这些第1基材11、第2基材12及密封材包围的空间填充液晶组合物而形成有液晶层13。在第1基板11及第2基板12的各自的外侧配置有偏光板23、偏光板24。在第1基板11的外缘部设置有端子区域,通过在端子区域连接有用以驱动液晶的驱动器集成电路(integratedcircuit,IC)等,液晶显示元件10受到驱动。<液晶取向剂>其次,对液晶取向膜21、液晶取向膜22的形成中使用的液晶取向剂进行说明。液晶取向剂中所含的聚合物成分并无特别限定,例如可列举:具有聚合性不饱和键的单体的聚合物(以下,本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种液晶元件,包括第1基材、与所述第1基材相向配置的第2基材、以及配置于所述第1基材与所述第2基材之间的液晶层,所述第1基材及所述第2基材中的至少一者为包含树脂的基材,且所述液晶元件包括:共用电极,设置于所述第1基材上;像素电极,在所述第1基材中在所述共用电极上介隔绝缘膜配置而成;以及液晶取向膜,形成于所述第1基材及所述第2基材中的至少一者上,且与所述液晶层邻接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.17 JP 2017-0524561.一种液晶元件,包括第1基材、与所述第1基材相向配置的第2基材、以及配置于所述第1基材与所述第2基材之间的液晶层,所述第1基材及所述第2基材中的至少一者为包含树脂的基材,且所述液晶元件包括:共用电极,设置于所述第1基材上;像素电极,在所述第1基材中在所述共用电极上介隔绝缘膜配置而成;以及液晶取向膜,形成于所述第1基材及所述第2基材中的至少一者上,且与所述液晶层邻接。2.根据权利要求1所述的液晶元件,其中所述第1基材为玻璃基材,所述第2基材为包含树脂的基材。3.根据权利要求1或2所述的液晶元件,其中所述液晶取向膜含有选自由具有聚合性不饱和键的单体的聚合物、聚酰胺酸、聚酰胺酸酯及聚酰亚胺所组成的群组中的至少一种聚合物。4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶元件,其中在包含树脂的基材上形成有含有具有聚合性不饱和键的单体的聚合物的液晶取向膜。5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶元件,其中所述液晶取向膜是通过含有具有光取向性基的聚合物的液晶取向剂而形成。6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶元件,其中所述液晶取向膜是通过含有选自由硅烷化合物及聚硅氧烷所组成的群组中的至少一种化合物的液晶取向剂而形成。7.根据权利要求1至6中任一项所述的液晶元件,其中所述液晶取向膜分别形成于所述第1基材及所述第2基材上,形成于所述第1基材上的液晶取向膜与形成于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:加藤孝人樫下幸志
申请(专利权)人:JSR株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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