本发明专利技术的课题在于提供一种发光装置，其在实际照射了光的被摄体中能够实现自然且生动、视认性高、舒适的颜色外观，在此基础上进一步还可实现能够提高皮肤的外观的光。通过下述发光装置可解决发明专利技术课题，该发光装置为具有半导体发光元件的发光装置，其可提高平均彩度，此外可发出使15种修正蒙赛尔色卡中的ΔC14和ΔC11的值满足特定值以及特定关系的光。
Semiconductor light-emitting devices and lighting devices
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光装置和照明装置
本专利技术涉及半导体发光装置，更详细地说，涉及可发出使皮肤的外观变得良好的光的发光装置和照明装置。
技术介绍
与荧光灯、白炽灯泡相比，包含半导体发光元件的半导体发光装置可显著抑制消耗电力，因而通过将其搭载于一般照明中而作为节能器件在市场上流通。搭载于一般照明中的发光装置更重视发光效率以实现节能。因此，作为代表，采用了通过在GaN系蓝色半导体发光元件中组合YAG系黄色荧光体而可发出模拟白光的半导体发光装置。另一方面，还开发了不仅意图改善发光效率，而且还意图改善所发出的光的品质的发光装置。例如，使用CIE所规定的“演色性Ra”这一指标、即以完全辐射体的光作为基准光并将与基准光的颜色偏差用数值表示的指标，开发出了可实现高演色性的半导体发光装置。另外，从与演色性不同的方面出发，开发出了下述的半导体发光装置，其在实际照射了光的被摄体中能够实现自然且生动、视认性高、舒适的颜色外观(例如参见专利文献1、2、3)。另一方面，开发出了可改善某一特定的被照明体的外观的照明。例如在专利文献4中公开了一种照明装置，其以从蓝色半导体发光元件辐射出的光的峰作为基准，确定波长500nm、550nm、600nm、640nm的各波长下的光的强度，由此来提高皮肤的外观。需要说明的是，专利文献4所公开的照明中，皮肤的外观以专利文献5中所公开的评价方法为基准。另外，专利文献6中公开了一种光源装置，其通过着眼于特殊演色评价用的试验色R9而能够使红色表现出高彩度。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2013/031942号专利文献2：国际公开第2013/031943号专利文献3：国际公开第2015/099115号专利文献4：日本特开2013-058473号公报专利文献5：日本特开平11-258047号公报专利文献6：日本特开2016-173949号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如专利文献4中所公开，关于能够提高皮肤的外观的照明装置进行了研究。但是，在专利文献1～3所公开的在实际照射了光的被摄体中能够实现自然且生动、视认性高、舒适的颜色外观的发光装置中，关于能够提高皮肤的外观的照明装置未进行研究。在这样的状况下，本专利技术的课题在于提供一种发光装置，其在实际照射了光的被摄体中能够实现自然且生动、视认性高、舒适的颜色外观，在此基础上进一步还可实现能够提高皮肤的外观的光。用于解决课题的手段专利文献1～3所公开的发光装置的特征在于，使发光装置所射出的光与CIEL*a*b*空间中的基准光的饱和度差ΔCn的平均(ΔCave)取正值，与基准光相比平均提高了彩度。本专利技术人在像这样平均提高了彩度的发光装置中着眼于15种修正蒙赛尔色卡中各ΔC的值与皮肤的外观的关系，发现了特定色卡中的ΔC的值、具体而言ΔC14和ΔC11的值与皮肤的外观密切相关，从而完成了本专利技术。本专利技术包括下述方案。[1]一种发光装置，其中，其至少包含半导体发光元件作为发光要素，可向其主要照射方向照射满足下述条件I～V所规定的条件的光。条件I：距黑体辐射轨迹的距离Duv满足-0.0200≦Duv<0。条件II：将从上述发光装置向该辐射方向射出的光所进行的照明以数学的方式进行假设的情况下的#01至#15的下述15种修正蒙赛尔色卡的CIE1976L*a*b*颜色空间中的a*值、b*值分别设为a*nSSL、b*nSSL(其中，n为1至15的自然数)，并且将根据从该辐射方向射出的光的相关色温TSSL(K)而选择的基准光所进行的照明以数学的方式进行假设的情况下的该15种修正蒙赛尔色卡的CIE1976L*a*b*颜色空间中的a*值、b*值分别设为a*nref、b*nref(其中，n为1至15的自然数)，这种情况下，饱和度差ΔCn满足-3.0≦ΔCn≦10.0(n为1至15的自然数)。条件III：表示上述ΔCn(n为1～15的全部整数)的平均的ΔCave满足0.5≦ΔCave≦6.0。条件IV：修正蒙赛尔色卡中的#14的饱和度(ΔC14)满足0≦ΔC14≦8.0。条件V：修正蒙赛尔色卡中的#14的饱和度(ΔC14)相对于修正蒙赛尔色卡中的#11的饱和度(ΔC11)之比(ΔC14/ΔC11)满足0.1≦ΔC14/ΔC11≦8.0。其中，ΔCn＝√{(a*nSSL)2+(b*nSSL)2}-√{(a*nref)2+(b*nref)2}。15种修正蒙赛尔色卡#017.5P4/10#0210PB4/10#035PB4/12#047.5B5/10#0510BG6/8#062.5BG6/10#072.5G6/12#087.5GY7/10#092.5GY8/10#105Y8.5/12#1110YR7/12#125YR7/12#1310R6/12#145R4/14#157.5RP4/12[2]如[1]中所述的发光装置，其中，上述条件I中规定的Duv满足-0.0150≦Duv<0，上述条件II中规定的ΔCn满足-2.0≦ΔCn≦10.0，上述条件III中规定的ΔCave满足0.5≦ΔCave≦4.0。[3]如[1]或[2]中所述的发光装置，其中，上述条件V中规定的ΔC14/ΔC11满足0.1≦ΔC14/ΔC11≦3.0。[4]如[1]或[2]中所述的发光装置，其中，上述条件V中规定的ΔC14/ΔC11满足0.1≦ΔC14/ΔC11≦2.0。[5]如[1]～[4]中任一项所述的发光装置，其进一步满足条件VI。条件VI：修正蒙赛尔色卡中的#12的饱和度(ΔC12)满足0≦ΔC12≦8.0。[6]如[1]～[4]中任一项所述的发光装置，其进一步满足条件VII。条件VII：修正蒙赛尔色卡中的#13的饱和度(ΔC13)满足0≦ΔC13≦8.0。[7]如[5]或[6]中所述的发光装置，其同时满足上述条件VI和条件VII。[8]如[1]～[7]中任一项所述的发光装置，其进一步满足条件VIII。条件VIII：将从上述发光装置向该辐射方向射出的光的光谱分布设为φSSL(λ)、将根据从上述发光装置向该辐射方向射出的光的相关色温TSSL(K)而选择的基准光的光谱分布设为φref(λ)、将从上述发光装置向该辐射方向射出的光的三刺激值设为(XSSL、YSSL、ZSSL)、将根据从上述发光装置向该辐射方向射出的光的相关色温TSSL(K)而选择的基准光的三刺激值设为(Xref、Yref、Zref)，将从上述发光装置向该辐射方向射出的光的归一化光谱分布SSSL(λ)、根据从上述发光装置向该辐射方向射出的光的相关色温TSSL(K)而选择的基准光的归一化光谱分布Sref(λ)、以及它们的归一化光谱分布的差ΔS(λ)分别定义为：SSSL(λ)＝φSSL(λ)/YSSLSref(λ)＝φref(λ)/YrefΔS(λ)＝Sref(λ)-SSSL(λ)，在波长380nm以上780nm以内的范围内，在将赋予SSSL(λ)的最长波长极大值的波长设为λR(nm)时，在比λR靠近长波长侧存在成为SSSL(λR)/2的波长Λ4的情况下，由下述数学式(1-1)表示的指标Acg满足-30<Acg≦120，另一方面，在波长380nm以上780nm以内的范围内，在将赋予SSSL(λ)的最长波长极大值的波长设为λR(nm)时，在比λ本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光装置，其中，其至少包含半导体发光元件作为发光要素，可向其主要照射方向照射满足下述条件I～V所规定的条件的光，条件I：距黑体辐射轨迹的距离Duv满足‑0.0200≦Duv<0；条件II：将从所述发光装置向该辐射方向射出的光所进行的照明以数学的方式进行假设的情况下的#01至#15的下述15种修正蒙赛尔色卡的CIE 1976 L
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.27 JP 2017-0345291.一种发光装置，其中，其至少包含半导体发光元件作为发光要素，可向其主要照射方向照射满足下述条件I～V所规定的条件的光，条件I：距黑体辐射轨迹的距离Duv满足-0.0200≦Duv<0；条件II：将从所述发光装置向该辐射方向射出的光所进行的照明以数学的方式进行假设的情况下的#01至#15的下述15种修正蒙赛尔色卡的CIE1976L*a*b*颜色空间中的a*值、b*值分别设为a*nSSL、b*nSSL，其中，n为1至15的自然数，并且将根据从该辐射方向射出的光的相关色温TSSL(K)而选择的基准光所进行的照明以数学的方式进行假设的情况下的该15种修正蒙赛尔色卡的CIE1976L*a*b*颜色空间中的a*值、b*值分别设为a*nref、b*nref，其中，n为1至15的自然数，这种情况下，饱和度差ΔCn满足-3.0≦ΔCn≦10.0，其中，n为1至15的自然数；条件III：表示所述ΔCn的平均的ΔCave满足0.5≦ΔCave≦6.0，其中，n为1～15的全部整数；条件IV：修正蒙赛尔色卡中的#14的饱和度ΔC14满足0≦ΔC14≦8.0；条件V：修正蒙赛尔色卡中的#14的饱和度ΔC14相对于修正蒙赛尔色卡中的#11的饱和度ΔC11之比ΔC14/ΔC11满足0.1≦ΔC14/ΔC11≦8.0，其中，15种修正蒙赛尔色卡#017.5P4/10#0210PB4/10#035PB4/12#047.5B5/10#0510BG6/8#062.5BG6/10#072.5G6/12#087.5GY7/10#092.5GY8/10#105Y8.5/12#1110YR7/12#125YR7/12#1310R6/12#145R4/14#157.5RP4/12。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述条件I中规定的Duv满足-0.0150≦Duv<0，所述条件II中规定的ΔCn满足-2.0≦ΔCn≦10.0，所述条件III中规定的ΔCave满足0.5≦ΔCave≦4.0。3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述条件V中规定的ΔC14/ΔC11满足0.1≦ΔC14/ΔC11≦3.0。4.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述条件V中规定的ΔC14/ΔC11满足0.1≦ΔC14/ΔC11≦2.0。5.如权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其进一步满足条件VI，条件VI：修正蒙赛尔色卡中的#12的饱和度ΔC12满足0≦ΔC12≦8.0。6.如权利要求1～4中任一项所述的发...
【专利技术属性】
技术研发人员：新井真，
申请(专利权)人：西铁城电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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