开关电源装置制造方法及图纸

技术编号:22332907 阅读:30 留言:0更新日期:2019-10-19 12:48
提供一种开关电源装置,能够抑制由于缓冲电路的开关元件而导致的可听域噪声的产生。在开关电源装置(1)中,缓冲电路(50)被构成为包含:缓冲电容器(C),对由于FET(Q5、Q6)的反向恢复时间而引起的浪涌电力进行蓄电;FET(Q7),对蓄积在该缓冲电容器(C)中的浪涌电力进行放电;和缓冲电感器(51),被设置在FET(Q7)的后级。控制部80对根据浪涌电力来接通缓冲电路(50)的FET(Q7)的实际接通占空比进行控制。控制部(80)能够设定表示实际接通占空比的下限的接通占空比下限值。接通占空比下限值在缓冲电感器(51)中流动的电流连续流动的电流连续模式时,比FET(Q7)中设定的实际接通占空比小且大于0。

Switching power unit

【技术实现步骤摘要】
开关电源装置
本专利技术涉及开关电源装置。
技术介绍
现有技术中,作为开关电源装置,例如在专利文献1中公开了一种对直流电源的电压进行变压的DC/DC转换器。DC/DC转换器例如利用逆变器将从直流电源供给的直流电转换成交流电,利用变压器对该交流电进行变压。而且,DC/DC转换器利用整流电路对变压后的交流电进行整流,生成直流电,并且使该直流电平滑后向负载部供给。在这种情况下,DC/DC转换器例如有时因变压器的漏电感等而产生浪涌电力。DC/DC转换器通过设置缓冲电路来抑制被向负载部供给的浪涌电力。缓冲电路例如通过将浪涌电力蓄电在电容器,从而抑制向负载部供给的浪涌电力。缓冲电路在电容器中蓄积有浪涌电力的情况下,开关元件被接通,向负载部供给该浪涌电力。另外,缓冲电路在电容器中未蓄积浪涌电力的情况下,开关元件被断开,不会向负载部供给该浪涌电力。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-70716号公报
技术实现思路
专利技术欲解决的技术问题然而,缓冲电路中,根据浪涌电力的浪涌量,开关元件反复进行接通和断开而间歇地动作,有时产生可听域噪声,在这一点上,存在改善的余地。因此,本专利技术是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种能够抑制由于缓冲电路的开关元件而引起的可听域噪声的产生的开关电源装置。用于解决问题的技术手段为了解决上述课题,达成目的,本专利技术涉及的开关电源装置的特征在于,包括:开关电路,所述开关电路将从直流电源供给的直流电转换为交流电;整流电路,所述整流电路被构成为包含对被所述开关电路转换后的所述交流电进行整流的多个整流元件;缓冲电路,所述缓冲电路被构成为包含:蓄电元件,所述蓄电元件对由于所述多个整流元件的反向恢复时间而引起的浪涌电力进行蓄电;开关元件,所述开关元件对蓄积在所述蓄电元件中的所述浪涌电力进行放电;和电感器,所述电感器设置在所述开关元件的后级;以及控制部,所述控制部对根据所述浪涌电力来接通所述开关元件的接通占空比进行控制,所述控制部能够设定表示所述接通占空比的下限的接通占空比下限值,在所述电感器中流动的电流连续流动的电流连续模式时,所述接通占空比下限值比所述开关元件中设定的接通占空比小且大于0。在上述开关电源装置中,优选为,所述接通占空比下限值是能够输出从所述缓冲电路输出的电流的最小值即缓冲电流最小值的所述开关元件的接通占空比以上。在上述开关电源装置中,优选地,所述控制部在根据所述浪涌电力来接通所述开关元件的接通占空比小于所述接通占空比下限值的情况下,以所述接通占空比下限值接通所述开关元件。在上述开关电源装置中,优选地,所述控制部被构成为包含在所述电感器中流动的电流不连续地流动的电流不连续模式,并且至少在所述电流不连续模式的情况下,所述控制部能够设定所述接通占空比下限值。专利技术效果本专利技术涉及的开关电源装置在浪涌电力相对少的情况下,能够使缓冲电路的开关元件以接通占空比下限值进行动作,能够抑制该开关元件间歇地动作。其结果,开关电源装置能够抑制由于开关元件的接通断开动作而导致的可听域噪声的产生。附图说明图1是示出实施方式涉及的开关电源装置的构成例的电路图。图2是示出实施方式涉及的电流连续模式以及电流不连续模式中的接通占空比的图。图3是示出实施方式涉及的电流连续模式中流过缓冲电感器的电流的波形的图。图4是示出在实施方式涉及的电流不连续模式中流过缓冲电感器的电流的波形的图。图5是示出在实施方式涉及的电流临界模式中流过缓冲电感器的电流的波形的图。图6是示出比较例涉及的缓冲电路的动作例(无接通占空比下限值)的时序图。图7是示出实施方式涉及的缓冲电路的动作例(有接通占空比下限值)的时序图。图8是示出实施方式涉及的缓冲电路的动作例(电流连续模式)的时序图。图9是示出实施方式涉及的缓冲电路的控制例的流程图。符号说明1开关电源装置2直流电源3负载部10开关电路30整流电路50缓冲电路51缓冲电感器(电感器)80控制部C缓冲电容器(蓄电元件)D2实际接通占空比(接通占空比)Dth接通占空比下限值Q5、Q6FET(整流元件)Q7FET(开关元件)Vo负载电压Α缓冲电流最小值具体实施方式参照附图,针对本专利技术的具体实施方式(实施方式)进行详细说明。本专利技术不限于以下的实施方式中记载的内容。另外,在以下记载的构成要素中包括本领域技术人员能够容易想到的构成要素或者实质上相同的构成要素。进一步地,以下记载的构成可以适当组合。另外,在不脱离本专利技术的主旨的范围内,构成可以进行各种省略、替换或变更。〔实施方式〕针对实施方式涉及的开关电源装置1进行说明。例如,如图1所示,开关电源装置1是搭载于车辆的对直流电源2的电压进行转换的绝缘型的DCDC转换器。直流电源2是供给直流电的电源。开关电源装置1被设置在直流电源2与负载部3之间,对从直流电源2供给的电力的电压进行降压并向负载部3供给。开关电源装置1例如经由熔断器4而连接到直流电源2。开关电源装置1例如将直流电转换为交流电,并且利用变压器20对该交流电进行降压。然后,开关电源装置1利用整流电路30对降压后的交流电进行整流,生成直流电,使该直流电平滑地向负载部3供给。在这种情况下,开关电源装置1有时会产生以由整流电路30的整流元件所形成的反向恢复时间为起因的浪涌电力。此时,开关电源装置1利用缓冲电路50来抑制输出中的浪涌成分。以下,针对开关电源装置1进行详细说明。开关电源装置1具有:开关电路10、作为变压电路的变压器20、整流电路30、平滑电路40、缓冲电路50、脉冲生成部60、驱动电路70和控制部80。需要说明的是,开关电路10、变压器20、整流电路30以及平滑电路40构成主电路90。开关电路10是与直流电源2连接并且将直流电转换成交流电的电路。开关电路10是由第1~第4开关元件构成的全桥电路。开关电路10例如被构成为包括:作为第1开关元件的FET(Field-effecttransistor;场效应晶体管)Q1、作为第2开关元件的FETQ2、作为第3开关元件的FETQ3和作为第4开关元件的FETQ4。FETQ1、Q2、Q3、Q4例如是N沟道型的MOS(Metal-Oxide-Semiconductor(金属氧化物半导体))FET。FETQ1~Q4具有寄生二极管(体二极管)。例如,FETQ1具有寄生二极管d1,FETQ2具有寄生二极管d2,FETQ3具有寄生二极管d3,FETQ4具有寄生二极管d4。开关电路10被构成为包含:第1串联电路11和第2串联电路12。第1串联电路11被构成为包含:FETQ1;和FETQ2,在该FETQ1的源极端子上串联连接有漏极端子。第1串联电路11通过将FETQ1的漏极端子连接到直流电源2的正极,而将FETQ2的源极端子连接到直流电源2的负极,从而被连接到直流电源2的正极与负极之间。第2串联电路12被构成为包含:FETQ3;和FETQ4,在该FETQ3的源极端子串联连接有漏极端子。第2串联电路12通过将FETQ3的漏极端子连接到直流电源2的正极,而将FETQ4的源极端子连接到直流电源2的负极,从而被连接到直流电源2的正极与负极之间。进一步地,第2串联电路12通过将FETQ3的漏极端子连接到FETQ1的漏极端子,而将FETQ4的源极端子连接到FETQ2的源极端子,从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关电源装置,其特征在于,包括:开关电路,所述开关电路将从直流电源供给的直流电转换为交流电;整流电路,所述整流电路被构成为包含对被所述开关电路转换后的所述交流电进行整流的多个整流元件;缓冲电路,所述缓冲电路被构成为包含:蓄电元件,所述蓄电元件对由于所述多个整流元件的反向恢复时间而引起的浪涌电力进行蓄电;开关元件,所述开关元件对蓄积在所述蓄电元件中的所述浪涌电力进行放电;和电感器,所述电感器设置在所述开关元件的后级;以及控制部,所述控制部对根据所述浪涌电力来接通所述开关元件的接通占空比进行控制,所述控制部能够设定表示所述接通占空比的下限的接通占空比下限值,在所述电感器中流动的电流为连续流动的电流连续模式时,所述接通占空比下限值比所述开关元件中设定的接通占空比小且大于0。

【技术特征摘要】
2018.04.04 JP 2018-0721921.一种开关电源装置,其特征在于,包括:开关电路,所述开关电路将从直流电源供给的直流电转换为交流电;整流电路,所述整流电路被构成为包含对被所述开关电路转换后的所述交流电进行整流的多个整流元件;缓冲电路,所述缓冲电路被构成为包含:蓄电元件,所述蓄电元件对由于所述多个整流元件的反向恢复时间而引起的浪涌电力进行蓄电;开关元件,所述开关元件对蓄积在所述蓄电元件中的所述浪涌电力进行放电;和电感器,所述电感器设置在所述开关元件的后级;以及控制部,所述控制部对根据所述浪涌电力来接通所述开关元件的接通占空比进行控制,所述控制部能够设定表示所述接通占空比的下限的接通占空比下限值,...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉满翔大伊藤聪
申请(专利权)人:矢崎总业株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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