电池防反接电路及充电器制造技术

本发明专利技术的电池防反接电路及充电器，通过设置电流吸收单元、滤波单元及防反接单元。在实际的应用过程中，当电池反接时，控制芯片会输出高电平信号至MOS管Q1和/或MOS管Q2中，让MOS管Q1和/或MOS管Q2截止，防止反接的电池中残留的电流损坏电路；此外，电阻R1和电阻R2的设置，能够起到吸收尖峰电流的作用，防止过高的尖峰电流损坏电路，提高电路的稳定性；再者，二极管D1和二极管D2的设置，均起到防倒灌的功能，防止电压逆流损坏电路。

【技术实现步骤摘要】
电池防反接电路及充电器
本专利技术涉及充电器
，特别是涉及一种电池防反接电路及充电器。
技术介绍
目前，充电器是采用高频电源技术，运用先进的智能动态调整充电技术。工频机是以传统的模拟电路原理来设计的，机器内部电力器件都比较大，一般在带载较大运行时存在较小噪声，但该机型在恶劣的电网环境条件中耐抗性能较强，可靠性及稳定性均比高频机强。充电器有很多，如铅酸蓄电池充电器、阀控密封铅酸蓄电池的测试与监测、镉镍电池充电器、镍氢电池充电器、锂离子电池充电器、便携式电子设备锂离子电池充电器、锂离子电池保护电路充电器、电动车蓄电池充电器、车充等。对于现有的充电器，内置有电压输出电路，电压输出电路用于给电池进行充电。但对于现有的电压输出电压，并不具备防电池反接的功能，倘若用户在给电池充电时把电池反接了，电池内残留的部分电流流入电压输出电路时，就非常有可能把电压输出电路损坏，严重时甚至还会引发相关安全事故；此外，现有的电压输出电路并没有吸收尖峰电流的功能，要知道现有的电压输出电路的电压多数是由变压器输出过来的，电压内含有较多的尖峰电流，若不及时对尖峰电流进行处理，同样也会导致电压输出电路无法正常工作；再者，现有的电压输出电路也并不具备电压防倒灌的能力，电池内残留的电压也有可能会倒灌至电压输出电路中，造成电压输出电路无法正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种能够防止电池防反接的，不让电池残留的电流损坏电路的，具备吸收尖峰电流能力的，电路稳定性更强的，同时具有防电压倒灌能力的电池防反接电路及充电器。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种电池防反接电路，包括：电流吸收单元，所述电流吸收单元包括二极管D1、电容C1、电阻R1和电阻R2，所述二极管D1的阳极与外部电源连接，所述二极管D1的阴极分别与所述电阻R1的一端和所述电阻R2的一端连接，所述电容C1的一端与所述二极管D1的阳极连接，所述电容C1的另一端分别与所述电阻R1的另一端和所述电阻R2的另一端连接；滤波单元，所述滤波单元包括电感L1、极性电容C2和极性电容C3，所述电感L1的一端分别与所述极性电容C2的正极和所述二极管D1的阴极连接，所述电感L1的另一端与所述极性电容C3的正极连接，所述极性电容C2的负极与外部电源连接，所述极性电容C2的负极还接地，所述极性电容C3的负极与所述极性电容C2的负极连接；防倒灌单元，所述防倒灌单元包括二极管D2、电阻R3和极性电容C4，所述二极管D2的阳极分别与所述电阻R3的一端和所述电感L1的另一端连接，所述二极管D2的阴极与所述极性电容C4的正极连接，所述电阻R3的另一端接地，所述极性电容C4的阴极接地；及防反接单元，所述防反接单元包括MOS管Q1、电阻R4、MOS管Q2、电阻R5和共模电感LF1，所述MOS管Q1的源极分别与所述电阻R4的一端和所述二极管D2的阴极连接，所述MOS管Q1的栅极与控制芯片的第一控制输出端连接，所述电阻R4的另一端与所述MOS管Q1的栅极连接，所述MOS管Q2的源极分别与所述MOS管Q1的漏极和所述电阻R5的一端连接，所述MOS管Q2的栅极与控制芯片的第二控制输出端连接，所述电阻R5的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述共模电感LF1的第一输入端与所述MOS管Q2的漏极连接，所述共模电感LF1的第二输入端接地，所述共模电感LF1的第一输出端与电池的正极连接，所述共模电感LF1的第二输出端与电池的负极连接。在其中一个实施方式中，所述电容C1的电容大小为1000pF。在其中一个实施方式中，所述电阻R1的阻值大小为62Ω。在其中一个实施方式中，所述电阻R2的阻值大小为62Ω。在其中一个实施方式中，所述极性电容C2的电容大小为680uF。在其中一个实施方式中，所述极性电容C3的电容大小为680uF。在其中一个实施方式中，所述极性电容C4的电容大小为680uF。在其中一个实施方式中，所述电阻R4的阻值大小为100KΩ。在其中一个实施方式中，所述电阻R5的阻值大小为100KΩ。一种充电器，包括上述所述的电池防反接电路。本专利技术相比于现有技术的优点及有益效果如下：本专利技术的电池防反接电路及充电器，通过设置电流吸收单元、滤波单元及防反接单元。在实际的应用过程中，当电池反接时，控制芯片会输出高电平信号至MOS管Q1和/或MOS管Q2中，让MOS管Q1和/或MOS管Q2截止，防止反接的电池中残留的电流损坏电路；此外，电阻R1和电阻R2的设置，能够起到吸收尖峰电流的作用，防止过高的尖峰电流损坏电路，提高电路的稳定性；再者，二极管D1和二极管D2的设置，均起到防倒灌的功能，防止电压逆流损坏电路。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术的一实施方式中的电池防反接电路的电路原理示意图；图2为本专利技术的一实施方式中的恒流驱动电路的电路原理示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。请参阅图1，一种充电器包括电池防反接电路10，所述电池防反接电路10包括电流吸收单元100、滤波单元200、防倒灌单元300及防反接单元400。如此，需要说明的是，电流吸收单元100起到吸收尖峰电流的作用；滤波单元200起到滤波的作用；防倒灌单元300起到防倒灌的功能；防反接单元400起到防止电池反接的作用。请参阅图1，电流吸收单元100包括二极管D1、电容C1、电阻R1和电阻R2，二极管D1的阳极与外部电源连接，二极管D1的阴极分别与电阻R1的一端和电阻R2的一端连接，电容C1的一端与二极管D1的阳极连接，电容C1的另一端分别与电阻R1的另一端和电阻R2的另一端连接。如此，需要说明的是，二极管D1起到防倒灌的作用，防止电压逆流；电容C1起到滤波的作用；电阻R1和电阻R2均起到吸收尖峰电流的作用。请参阅图1，滤波单元200包括电感L1、极性电容C2和极性电容C3，电感L1的一端分别与极性电容C2的正极和二极管D1的阴极连接，电感L1的另一端与极性电容C3的正极连接，极性电容C2的负极与外部电源连接，极性电容C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池防反接电路，其特征在于，包括：电流吸收单元，所述电流吸收单元包括二极管D1、电容C1、电阻R1和电阻R2，所述二极管D1的阳极与外部电源连接，所述二极管D1的阴极分别与所述电阻R1的一端和所述电阻R2的一端连接，所述电容C1的一端与所述二极管D1的阳极连接，所述电容C1的另一端分别与所述电阻R1的另一端和所述电阻R2的另一端连接；滤波单元，所述滤波单元包括电感L1、极性电容C2和极性电容C3，所述电感L1的一端分别与所述极性电容C2的正极和所述二极管D1的阴极连接，所述电感L1的另一端与所述极性电容C3的正极连接，所述极性电容C2的负极与外部电源连接，所述极性电容C2的负极还接地，所述极性电容C3的负极与所述极性电容C2的负极连接；防倒灌单元，所述防倒灌单元包括二极管D2、电阻R3和极性电容C4，所述二极管D2的阳极分别与所述电阻R3的一端和所述电感L1的另一端连接，所述二极管D2的阴极与所述极性电容C4的正极连接，所述电阻R3的另一端接地，所述极性电容C4的阴极接地；及防反接单元，所述防反接单元包括MOS管Q1、电阻R4、MOS管Q2、电阻R5和共模电感LF1，所述MOS管Q1的源极分别与所述电阻R4的一端和所述二极管D2的阴极连接，所述MOS管Q1的栅极与控制芯片的第一控制输出端连接，所述电阻R4的另一端与所述MOS管Q1的栅极连接，所述MOS管Q2的源极分别与所述MOS管Q1的漏极和所述电阻R5的一端连接，所述MOS管Q2的栅极与控制芯片的第二控制输出端连接，所述电阻R5的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述共模电感LF1的第一输入端与所述MOS管Q2的漏极连接，所述共模电感LF1的第二输入端接地，所述共模电感LF1的第一输出端与电池的正极连接，所述共模电感LF1的第二输出端与电池的负极连接。...

【技术特征摘要】
1.一种电池防反接电路，其特征在于，包括：电流吸收单元，所述电流吸收单元包括二极管D1、电容C1、电阻R1和电阻R2，所述二极管D1的阳极与外部电源连接，所述二极管D1的阴极分别与所述电阻R1的一端和所述电阻R2的一端连接，所述电容C1的一端与所述二极管D1的阳极连接，所述电容C1的另一端分别与所述电阻R1的另一端和所述电阻R2的另一端连接；滤波单元，所述滤波单元包括电感L1、极性电容C2和极性电容C3，所述电感L1的一端分别与所述极性电容C2的正极和所述二极管D1的阴极连接，所述电感L1的另一端与所述极性电容C3的正极连接，所述极性电容C2的负极与外部电源连接，所述极性电容C2的负极还接地，所述极性电容C3的负极与所述极性电容C2的负极连接；防倒灌单元，所述防倒灌单元包括二极管D2、电阻R3和极性电容C4，所述二极管D2的阳极分别与所述电阻R3的一端和所述电感L1的另一端连接，所述二极管D2的阴极与所述极性电容C4的正极连接，所述电阻R3的另一端接地，所述极性电容C4的阴极接地；及防反接单元，所述防反接单元包括MOS管Q1、电阻R4、MOS管Q2、电阻R5和共模电感LF1，所述MOS管Q1的源极分别与所述电阻R4的一端和所述二极管D2的阴极连接，所述MOS管Q1的栅极与控制芯片的第一控制输出端连接，所述电阻R4的另一端与所述MOS管Q1的栅极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明中，农仕良，滕欣欣，邓亮文，权义印，陈雅庆，
申请(专利权)人：惠州市威德盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44