电致发光器件及其制备方法、电子设备技术

本发明专利技术公开了一种电致发光器件及其制备方法、电子设备，电致发光器件，包括第一电极和第二电极；以及功能结构层，设于所述第一电极和所述第二电极之间；所述功能结构层中具有掺杂材料和氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子。本发明专利技术的电致发光器件及其制备方法、电子设备，在所述电致发光器件的电压作用下，阴阳离子会加速定向移动，原因在于掺杂的共轭离子增强了所述空穴注入层的注入载流子的能力，从而增强了电致发光器件的光电性能。

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件及其制备方法、电子设备
本专利技术涉及显示
，具体为一种电致发光器件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
电致发光显示设备是一类自发光型的显示装置，通过载流子在各个功能层间的转移、复合产生激子，依靠高量子效率的有机化合物或金属配合物发光。其具有自发光、高亮度、高效率、高对比度、高响应性等特点。氧化石墨烯在氧化状态下，石墨烯本身的sp2杂化共轭会被破坏，导致氧化石墨烯中缺少了自由移动的π电子，所以在氧化状态下，氧化石墨烯几乎处于绝缘，同时能带间隙很宽，大约3.5eV以上。离子键是非常强烈的一种离子对，共轭离子因为共轭的存在，其阴阳离子的作用效果减小。因此，怎样通过带有共轭离子的离子化合物与氧化石墨烯结合，以使氧化石墨烯从氧化变成还原状态，使之在共轭区域产生自由移动的π电子，以此来调节氧化石墨烯的绝缘性能和导电性能是目前需要解决的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题：本专利技术提供一种电致发光器件及其制备方法、电子设备，通过将具有共轭离子的掺杂材料掺杂于氧化石墨烯材料中，用于制备功能结构层，以增强功能结构层，特别是空穴注入层的注入载流子的能力，从而增强致发光器件的光电性能。解决上述问题的技术方案是：本专利技术提供一种电致发光器件，包括第一电极和第二电极；以及功能结构层，设于所述第一电极和所述第二电极之间；所述功能结构层中具有掺杂材料和氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子。在本专利技术一实施例中，所述功能结构层包括空穴注入层，其所用材料中具有所述掺杂材料和所述氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子；所述空穴注入层设于所述第一电极上；空穴传输层，设于所述空穴注入层上；发光层，设于所述空穴传输层上；电子传输层，设于所述发光层上；电子注入层，设于所述电子传输层上；所述第二电极设于所述电子注入层上。在本专利技术一实施例中，所述空穴传输层所用材料包括四苯基联苯二胺类化合物、联苯双酯、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺中的至少一种。在本专利技术一实施例中，所述掺杂材料为N，N二甲基二亚定硝酸盐；所述掺杂材料与所述氧化石墨烯材料的重量比为1：1-1:99。在本专利技术一实施例中，所述N，N二甲基二亚定硝酸盐的结构式包括以下结构式的至少一种：本专利技术还提供了一种制备方法，用以制备所述的电致发光器件，包括以下步骤：提供一导电玻璃，其表面具有所述第一电极；形成所述功能结构层于所述导电玻璃具有所述第一电极的一面，所述功能结构层中具有掺杂材料和氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子；通过真空蒸镀法形成所述第二电极于所述功能结构层远离所述第一电极的一侧。在本专利技术一实施例中，在所述的提供所述导电玻璃的步骤中，包括用去离子水清洗所述导电玻璃，再用温水润洗所述导电玻璃30分钟-50分钟后烘干，所述温水的温度保持在15℃-35℃；然后用等离子体清洗器清洗所述导电玻璃6分钟-15分钟。在本专利技术一实施例中，在所述的形成所述功能结构层步骤中包括提供掺杂材料和氧化石墨烯材料，将所述掺杂材料溶解至去离子水中得到掺杂材料溶液，将所述氧化石墨烯材料溶解至去离子水中并进行超声波震荡得到氧化石墨烯溶液；将所述掺杂材料溶液掺杂至所述氧化石墨烯溶液中，并进行超声分散2小时-4小时,同时将温度调至30-50℃，得到混合溶液，在所述混合溶液中，所述掺杂材料的重量百分比为0.1wt％-50wt％；将所述混合溶液涂布于所述导电玻璃具有所述第一电极的表面形成所述空穴注入层。在本专利技术一实施例中，在所述的形成所述功能结构层步骤中还包括在形成所述空穴注入层之后，将所述导电玻璃固定在掩模板上，并转移到真空蒸镀腔室内，使用分子泵对所述真空蒸镀腔室抽真空，直至所述真空蒸镀腔室的真空度低于4.0×10-4-6.5×10-4Pa；通过真空蒸镀法在所述空穴传输层上依次形成所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层、所述电子注入层。本专利技术还提供了一种电子设备，具有所述的电致发光器件。本专利技术的优点是：本专利技术的电致发光器件及其制备方法、电子设备，根据其氧化石墨烯的氧化还原特性，可以得到其导电性的差异，然后根据共轭离子化合物的特点，将带有共轭离子的离子化合物掺杂于氧化石墨烯中，使得含有芳香环的共轭离子可以通过π-π堆叠作用接枝在所述氧化石墨烯的表面，而所述氧化石墨烯在水解后带负电，所以离子化合物中的阳离子会与其形成静电作用，从而使得离子化合物的阴阳离子作用力进一步减小，所以掺杂之后，在所述电致发光器件的电压作用下，阴阳离子会加速定向移动，原因在于掺杂的共轭离子增强了所述空穴注入层的注入载流子的能力，从而增强了电致发光器件的光电性能。根据本专利技术的研究，共轭离子化合物掺杂氧化石墨烯也有可能应用到空穴输入层中，这势必开拓了共轭离子化合物掺杂氧化石墨烯应用前景。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释。图1是本专利技术实施例的电致发光器件结构图。图2为本专利技术方法示例1-5与对比例1的电致发光器件的电致发光光谱图。图3为本专利技术方法示例1-5与对比例1的电致发光器件的亮度与电压关系图。10电致发光器件；100电子设备；1导电玻璃；2第一电极；3功能结构层；4第二电极；3a空穴注入层；3b空穴传输层；3c发光层；3d电子传输层；3e电子注入层。具体实施方式以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。如图1所示，在本专利技术一实施例中，本专利技术的电致发光器件10，包括第一电极2、功能结构层3、第二电极4。所述第一电极2设置在导电玻璃1的一面，所述第一电极2为阳极。所述功能结构层3包括空穴注入层3a、空穴传输层3b、发光层3c。其中所述空穴注入层3a设于所述第一电极2上；所述空穴传输层3b设于所述空穴注入层3a上；所述发光层3c设于所述空穴传输层3b上，所述第二电极4直接设置于所述发光层3c上，所述第二电极4为阴极。所述功能结构层3中具有掺杂材料和氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子。具体的讲，所述空穴注入层3a所用材料即采用所述掺杂材料和所述氧化石墨烯材料，在所述空穴注入层3a中，所述掺杂材料和氧化石墨烯材料的重量比为1:1-1:99。本实施例中，将带有共轭离子的离子化合物掺杂于氧化石墨烯中，使得含有芳香环的共轭离子可以通过π-π堆叠作用接枝在所述氧化石墨烯的表面，而所述氧化石墨烯在水解后带负电，所以离子化合物中的阳离子会与其形成静电作用，从而使得离子化合物的阴阳离子作用力进一步减小，所以掺杂之后，在所述电致发光器件的电压作用下，阴阳离子会加速定向移动，原因在于掺杂的共轭离子增强了所述空穴注入层3a的注入载流子的能力，从而增强了电致发光器件的光电性能。为了更加清楚地说明所述掺杂材料，本实施例中，所述掺杂材料选用N，N二甲基二亚定硝酸盐，其结构式包括以下结构式的至少一种：所述氧化石墨烯的结构式如下：所述空穴传输层3b所用材料包括四苯基联苯二胺类化合物、联苯双酯、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺中的至少一种。本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括第一电极和第二电极；以及功能结构层，设于所述第一电极和所述第二电极之间；所述功能结构层中具有掺杂材料和氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子。

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括第一电极和第二电极；以及功能结构层，设于所述第一电极和所述第二电极之间；所述功能结构层中具有掺杂材料和氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述功能结构层包括空穴注入层，其所用材料中具有所述掺杂材料和所述氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子；所述空穴注入层设于所述第一电极上；空穴传输层，设于所述空穴注入层上；发光层，设于所述空穴传输层上；电子传输层，设于所述发光层上；电子注入层，设于所述电子传输层上；所述第二电极设于所述电子注入层上。3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层所用材料包括四苯基联苯二胺类化合物、联苯双酯、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺中的至少一种。4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述掺杂材料为N，N二甲基二亚定硝酸盐；所述掺杂材料与所述氧化石墨烯材料的重量比为1：1-1:99。5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述N，N二甲基二亚定硝酸盐的结构式包括以下结构式的至少一种：6.一种制备方法，用以制备权利要求1-5中任意一项所述的电致发光器件，其特征在于，包括以下步骤：提供一导电玻璃，其表面具有所述第一电极；形成所述功能结构层于所述导电玻璃具有所述第一电极的一面，所述功能结构层中具有掺杂材料和氧化石墨烯材料，所述掺杂材料中具有共轭离子；通过真...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪亚民，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42