Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池及制备方法技术

本发明专利技术属于钙钛矿太阳能电池领域，公开了一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池及制备方法。所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及阳极层；所述电子传输层为SnO2薄膜，界面修饰层为Bi2O2Se，钙钛矿吸光层为MAPbI3。本发明专利技术采用高电导率、高电荷分离能力的Bi2O2Se材料作为界面修饰层，能有效的降低载流子的复合，提高了电荷的分离，最终提升钙钛矿太阳电池的光电转换效率。同时界面修饰层的引入可有效的提高器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池及制备方法
本专利技术属于钙钛矿太阳能电池领域，具体涉及一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池及制备方法。
技术介绍
钙钛矿太阳能电池具有结构简单、能量转换效率高、易于溶液法制备等优点。钙钛矿太阳能电池在短短的九年发展时间里能量转换效率从3.8％提升至24.2％，进入高能量转换效率太阳能电池行列。但钙钛矿太阳能电池与已实现商业化的硅太阳能电池相比，在稳定性方面仍有待提高。钙钛矿太阳能电池工作原理为：(1)光透过透明ITO电极照到活性层上，钙钛矿吸光层吸收光子产生激子；激子扩散到界面处；(2)空穴经空穴传输层传输，电子经电子传输层传输；(3)电子到达阴极空穴到达阳极；(4)在外接负载下，闭合回路形成，形成光电流，光电压，和输出功率。尽管钙钛矿太阳能电池的能量转换效率取得巨大的进展，其稳定性较差仍是亟需解决的重要问题。钙钛矿太阳能电池最常用的电子传输层材料二氧化钛具有电子传输率较低，且在紫外光照射下发生光催化反应，会导致钙钛矿薄膜的分解。二氧化锡因其具有较好的可见光透过性，更高的电子迁移率，可低温溶液法制备，更好的光稳定性被认为是二氧化钛最好的替代材料。修饰作为常用的改性方法，其可以：(1)提升材料的导电率，修饰能级的引入利于电子的传输；(2)形成更好的能级匹配，促进载流子的传输和分离；(3)提升吸光层的形貌，使之界面的接触更加紧密，使载流子更好的传输，减少复合。但目前仍需开发新的方法以进一步提高钙钛矿太阳能电池的能量转换效率及稳定性。
技术实现思路
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本专利技术的首要目的在于提供一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池。本专利技术的另一目的在于提供上述Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本专利技术目的通过以下技术方案实现：一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池，包括依次层叠的阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及阳极层；所述电子传输层为SnO2薄膜，界面修饰层为Bi2O2Se，钙钛矿吸光层为MAPbI3(CH3NH3PbI3)。进一步地，所述阴极基底为铟锡氧化物玻璃(ITO)。进一步地，所述SnO2薄膜的厚度为40～50nm，Bi2O2Se界面修饰层的厚度为20～60nm。进一步地，所述钙钛矿吸光层的厚度为400～450nm。进一步地，所述空穴传输层包括Spiro-OMeTAD和MoOx；Spiro-OMeTAD厚度为40～50nm，MoOx厚度为2～3nm。进一步地，所述阳极层为银，阳极层的厚度为80～100nm。上述Bi2O2Se界面修饰SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：将阴极基底经表面处理后依次旋涂制备电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层，然后制备空穴传输层以及阳极层，得到Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池。进一步地，所述阴极基底经表面处理的步骤如下：依次用洗洁精、去离子水、丙酮、无水乙醇、异丙醇各超声清洗20min，并在80℃真空干燥箱中烘干；最后对清洗烘干的阴极基底进行10min的等离子表面处理。进一步地，所述旋涂制备电子传输层、界面修饰层的步骤如下：将SnO2水溶液旋涂在经表面处理后的阴极基底上，随后进行退火处理，然后在退火处理后的SnO2薄膜上旋涂Bi2O2Se的二氯苯溶液。优选地，所述退火处理温度为150℃，时间为1h；所述旋涂Bi2O2Se的二氯苯溶液的转速为2000～5000rpm。进一步地，所述旋涂制备钙钛矿吸光层的步骤如下：将PbI2和MAI溶于DMF和DMSO的混合溶剂中，将所得混合液旋涂至界面修饰层上，退火处理后得到MAPbI3钙钛矿吸光层。优选地，所述PbI2和MAI的摩尔比为1.35:1.3，所述DMF和DMSO的体积比为4:1；所述退火处理温度为100℃，时间为20min。进一步地，所述制备空穴传输层的步骤如下：将Spiro-OMeTAD溶于氯苯，并加tBP(四叔丁基吡啶)和Li-TFSI(双三氟甲烷磺酰亚胺锂)，将所得混合溶液旋涂在钙钛矿吸光层上，然后在上述Spiro-OMeTAD表面蒸镀MoOx，得到空穴传输层。本专利技术的钙钛矿太阳能电池具有如下优点及有益效果：本专利技术的Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池，采用高电导率、高电荷分离能力的Bi2O2Se材料作为界面修饰层，能有效的降低载流子的复合，提高了电荷的分离，最终提升钙钛矿太阳电池的光电转换效率。同时界面修饰层的引入可有效的提高器件的稳定性。附图说明图1为本专利技术实施例1所得Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池器件(Bi2O2Se5000rpm)与未修饰钙钛矿太阳能电池器件(RT)的电流密度与电压关系曲线图。图2为本专利技术实施例1所得Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池器件(Bi2O2Se5000rpm)与未修饰钙钛矿太阳能电池器件(RT)的稳定性结果图。具体实施方式下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例1本实施例的一种Bi2O2Se界面修饰SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池器件结构为：ITO/SnO2/Bi2O2Se/MAPbI3/Spiro-OMeTAD/MoOx/Ag。具体制备工艺流程如下：(1)依次用洗洁精、去离子水、丙酮、无水乙醇、异丙醇各超声清洗ITO基底20分钟，然后在80℃真空干燥箱中烘干。对所述清洗烘干的ITO基底表面进行10分钟的等离子表面处理，该处理方法利用微波下生成臭氧的强氧化性来清洗ITO表面残留有机物等，同时提高ITO表面的功函数。(2)在经过步骤(1)处理过的ITO表面旋涂电子传输层SnO2，界面修饰层为Bi2O2Se。SnO2为alfa购置的SnO2水溶液胶体，用去离子水稀释5倍后使用。将一定量Bi2O2Se粉末研磨后分散于二氯苯溶液中，超声助粉末分散(48h)，随后用0.45μm有机滤头过滤得到浅绿色的滤液，称取滤头中Bi2O2Se的质量，计算得到Bi2O2Se的质量浓度，再将溶液稀释为2mg/mL的溶液，待用。将稀释后的SnO2水溶液旋涂在上述处理过的ITO基底表面上，转速为3500rpm，时间为40s；随后进行退火处理，温度为150℃，时间为1小时。在退火后的SnO2层上以5000转/分的转速旋涂Bi2O2Se的二氯苯溶液。两小时后对界面修饰层进行10分钟等离子表面处理，准备旋涂钙钛矿吸光层。(3)在上述界面修饰层表面旋涂钙钛矿吸光层溶液；首先将PbI2和MAI按1.35:1.3的摩尔比溶于4:1体积比的DMF和DMSO混合溶液，70℃加热搅拌12h。在电子传输层表面上旋涂钙钛矿溶液，先以500rpm/3s的转速/时间预旋涂，随后以3500rpm/40s的转速/时间将钙钛矿溶液均匀旋涂在基底上，在第10s时滴加200μL氯苯溶液作为反溶剂，促进钙钛矿的成膜结晶。在100℃下退火20min，得到钙钛矿层厚度为400-450nm。(4)在上述钙钛矿层上制备空穴传输层Spiro-OMeTAD和MoOx；Spiro-OMeTAD的制备工艺为：72.3mg的Spiro-OMeTAD溶于1mL的氯苯溶液，并加入29μL的tBP(四叔丁基吡啶)和18μLLi-TFSI(520mg/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及阳极层；所述电子传输层为SnO2薄膜，界面修饰层为Bi2O2Se，钙钛矿吸光层为MAPbI3。

【技术特征摘要】
1.一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及阳极层；所述电子传输层为SnO2薄膜，界面修饰层为Bi2O2Se，钙钛矿吸光层为MAPbI3。2.根据权利要求1所述的一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述SnO2薄膜的厚度为40～50nm，Bi2O2Se界面修饰层的厚度为20～60nm。3.根据权利要求1所述的一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述阴极基底为ITO，所述钙钛矿吸光层的厚度为400～450nm；所述空穴传输层包括Spiro-OMeTAD和MoOx；Spiro-OMeTAD厚度为40～50nm，MoOx厚度为2～3nm；所述阳极层为银，阳极层的厚度为80～100nm。4.权利要求1～3任一项所述的一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将阴极基底经表面处理后依次旋涂制备电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层，然后制备空穴传输层以及阳极层，得到Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池。5.根据权利要求4所述的一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于所述阴极基底经表面处理的步骤如下：依次用洗洁精、去离子水、丙酮、无水乙醇、异丙醇各超声清洗20min，并在80℃真空干燥箱中烘干；最后对清洗烘干的阴极基底进行10...

【专利技术属性】
技术研发人员：於黄忠，陈金雲，黄承稳，巫祖萍，侯春利，王键鸣，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44