发光二极管、显示基板和转移方法技术

本发明专利技术实施例提供一种发光二极管、显示基板和转移方法。转移方法包括：分别制备转移基板和显示基板，转移基板包括矩阵排布的多个发光二极管；将转移基板与显示基板对位，转移基板上发光二极管的第一磁性层与显示基板上子像素的第二磁性层一一对应；驱动转移基板邻近显示基板，使转移基板上的发光二极管在第一磁性层和第二磁性层产生的磁吸力作用下，定位下落到显示基板的子像素。本发明专利技术通过在发光二极管上设置第一磁性层以及在显示基板的子像素内设置第二磁性层，在转移过程中，通过第一磁性层与第二磁性层之间产生的磁吸力，保证了发光二极管定位下落到显示基板的子像素，提高了定位精度，有效解决了现有技术存在的定位不准确等问题。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管、显示基板和转移方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种发光二极管、显示基板和转移方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展，约50微米～60微米的次毫米发光二极管(MiniLightEmittingDiode，MiniLED)显示和15微米以下的微型发光二极管(MicroLightEmittingDiode，MicroLED)显示逐渐成为显示面板的一个热点。其中，MicroLED显示具有低功耗、高色域、超高分辨率、超薄等显著优势，有望成为替代有机发光二极管显示(OrganicLightEmittingDiode，OLED)的更优显示技术。MicroLED显示技术存在的一个技术难点是巨量转移技术，即如何将MicroLED从最初的外延衬底上巨量转移到显示基板上。目前，巨量转移方法主要是依靠静电吸附或范德华力等方式将MicroLED放置到指定位置，然后进行绑定(bonding)。经本申请专利技术人研究发现，现有巨量转移方法由于存在定位不准确的问题，不仅导致批次转移MicroLED的数量少，增加了生产节拍时间(tacktime)，而且导致转移过程中存在短路问题，降低了成品率。因此，如何提高巨量转移的精准定位，增加批次转移MicroLED的数量，减少转移过程中短路的产生，是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题是，提供一种发光二极管、显示基板和转移方法，以克服现有技术存在的定位不准确等问题。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管，包括发光结构层以及设置在所述发光结构层上的第一电极焊盘、第二电极焊盘和第一磁性层，所述第一电极焊盘和第二电极焊盘用于绑定连接显示基板，所述第一磁性层用于在转移过程中与显示基板的第二磁性层产生磁吸力，使发光二极管在所述磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素。可选地，所述第一磁性层包括光敏材料层，所述光敏材料层中设置有磁性纳米粒子。可选地，所述光敏材料层的材料包括光刻胶，所述磁性纳米粒子的材料包括四氧化三铁、镍或钴，磁性纳米粒子的直径为10nm～20nm。可选地，所述第一磁性层的磁极性与第二磁性层的磁极性相反。可选地，所述第一磁性层设置在所述第一电极焊盘和第二电极焊盘之间；和/或，所述第一磁性层设置在所述第一电极焊盘远离第二电极焊盘的一侧；和/或者，所述第一磁性层设置在所述第二电极焊盘远离第一电极焊盘的一侧。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种显示基板，包括矩阵排布的多个子像素，每个子像素包括驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的第一接触电极、第二接触电极和第二磁性层，所述第一接触电极和第二接触电极用于绑定连接发光二极管，所述第二磁性层用于在转移过程中与发光二极管的第一磁性层产生磁吸力，使发光二极管在所述磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素。可选地，所述第二磁性层的材料包括镍、铁、钴或镍铁合金。可选地，所述第二磁性层的磁极性与第一磁性层的磁极性相反。可选地，所述第二磁性层设置在所述第一接触电极和第二接触电极之间；和/或，所述第二磁性层设置在所述第一接触电极远离第二接触电极的一侧；和/或者，所述第二磁性层设置在所述第二接触电极远离第一接触电极的一侧。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种转移方法，用于将多个前述的发光二极管转移到前述的显示基板上；所述转移方法包括：分别制备转移基板和显示基板，所述转移基板包括矩阵排布的多个发光二极管；将所述转移基板与显示基板对位，所述转移基板上发光二极管的第一磁性层与所述显示基板上子像素的第二磁性层一一对应；驱动转移基板邻近显示基板，使转移基板上的发光二极管在所述第一磁性层和第二磁性层产生的磁吸力作用下，定位下落到显示基板的子像素。本专利技术实施例提供了一种发光二极管、显示基板和转移方法，通过在发光二极管上设置第一磁性层以及在显示基板的每个子像素内设置第二磁性层，在转移过程中，通过第一磁性层与第二磁性层之间产生的磁吸力，保证了发光二极管定位下落到显示基板的子像素，提高了定位精度，有效解决了现有技术存在的定位不准确等问题。当然，实施本专利技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。图1为本专利技术实施例转移方法的流程图；图2为本专利技术实施例MicroLED的结构示意图；图3为本专利技术实施例显示基板的结构示意图。附图标记说明:100—发光结构层；101—第一电极焊盘；102—第二电极焊盘；103—第一磁性层；200—基底；201—第一接触电极；202—第二接触电极；203—第二磁性层；300—驱动电路层；400—黑矩阵层。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了克服现有巨量转移技术存在的定位不准确等问题，本专利技术实施例提供了一种转移方法。图1为本专利技术实施例转移方法的流程图。如图1所示，本专利技术实施例转移方法包括：S1、分别制备转移基板和显示基板，所述转移基板包括矩阵排布的多个发光二极管，所述显示基板包括矩阵排布的多个子像素；S2、将所述转移基板与显示基板对位，所述转移基板上发光二极管的第一磁性层与所述显示基板上子像素的第二磁性层一一对应；S3、驱动转移基板邻近显示基板，使转移基板上的发光二极管在所述第一磁性层和第二磁性层产生的磁吸力作用下，定位下落到显示基板的子像素。本专利技术实施例提供了一种转移方法，通过在发光二极管上设置第一磁性层以及在显示基板的每个子像素内设置第二磁性层，在转移过程中，利用第一磁性层与第二磁性层之间产生的磁吸力，保证了发光二极管定位下落到显示基板的子像素，提高了定位精度，有效解决了现有技术存在的定位不准确等问题。图2为本专利技术实施例MicroLED的结构示意图。本专利技术实施例MicroLED的主体结构与相关技术MicroLED的主体结构基本上相同，所不同的是，本专利技术实施例MicroLED上设置有第一磁性层。如图2所示，本专利技术实施例MicroLED的主体结构包括发光结构层100，以及设置在发光结构层100上的第一电极焊盘101、第二电极焊盘102和第一磁性层103。其中，第一电极焊盘101和第二电极焊盘102用于与显示基板的第一接触电极和第二接触电极绑定连接，第一磁性层103用于在转移过程中与显示基板的第二磁性层产生磁吸力，使MicroLED在磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素，保证MicroLED的第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括发光结构层以及设置在所述发光结构层上的第一电极焊盘、第二电极焊盘和第一磁性层，所述第一电极焊盘和第二电极焊盘用于绑定连接显示基板，所述第一磁性层用于在转移过程中与显示基板的第二磁性层产生磁吸力，使发光二极管在所述磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括发光结构层以及设置在所述发光结构层上的第一电极焊盘、第二电极焊盘和第一磁性层，所述第一电极焊盘和第二电极焊盘用于绑定连接显示基板，所述第一磁性层用于在转移过程中与显示基板的第二磁性层产生磁吸力，使发光二极管在所述磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一磁性层包括光敏材料层，所述光敏材料层中设置有磁性纳米粒子。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述光敏材料层的材料包括光刻胶，所述磁性纳米粒子的材料包括四氧化三铁、镍或钴，磁性纳米粒子的直径为10nm～20nm。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一磁性层的磁极性与第二磁性层的磁极性相反。5.根据权利要求1～4任一所述的发光二极管，其特征在于，所述第一磁性层设置在所述第一电极焊盘和第二电极焊盘之间；和/或，所述第一磁性层设置在所述第一电极焊盘远离第二电极焊盘的一侧；和/或者，所述第一磁性层设置在所述第二电极焊盘远离第一电极焊盘的一侧。6.一种显示基板，其特征在于，包括矩阵排布的多个子像素，每个子像素包括驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的第一接触电极、第二接触电极和第二磁性层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张粲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11