有机发光二极管显示器制造技术

提供了一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：柔性基底；半导体层，位于柔性基底上；以及叠置层。晶体管包括：驱动晶体管；第二晶体管，向驱动晶体管的输入电极传输通过数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到扫描线的栅电极、连接到驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到驱动晶体管的栅电极的第二电极。第三晶体管包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，第三节点形成在半导体层中，附加电容部分形成在半导体层中并且在第三节点附近，叠置层与半导体层的第三节点和附加电容部分叠置。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器于2018年4月3日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0038782号且命名为“有机发光二极管显示器”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。
技术介绍
显示装置显示图像，显示装置之中的有机发光二极管显示器已经备受关注。与液晶显示(LCD)装置不同，有机发光二极管显示器具有自发光特性，并且不需要单独的光源，因此可以具有减小的厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器可以提供低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。在该
技术介绍
部分中公开的上面的信息仅用于增强对背景的理解，因此上面的信息会包含不构成对本领域普通技术人员来说在本国中已知的现有技术的信息。
技术实现思路
实施例涉及有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：柔性基底；半导体层，位于柔性基底上，半导体层包括晶体管的沟道、第一电极和第二电极；以及叠置层。晶体管可以包括：驱动晶体管，被构造为向有机发光元件施加电流；第二晶体管，连接到扫描线和数据线，第二晶体管向驱动晶体管的输入电极传输通过数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到扫描线的栅电极、连接到驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到驱动晶体管的栅电极的第二电极。第三晶体管可以包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，第三节点可以形成在半导体层中，附加电容部分可以形成在半导体层中并且在第三节点附近，叠置层可以与半导体层的第三节点和附加电容部分叠置。半导体层可以在第一方向上延伸并且位于第三晶体管内，可以在第二方向上弯曲，然后可以在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向交叉。第三节点可以设置在半导体层的弯曲部分处。附加电容部分可以是半导体层的在弯曲部分处在向上方向上突出的部分。附加电容部分可以是半导体层的在弯曲部分处在第一方向上突出的部分。附加电容部分可以是半导体层的在弯曲部分处在第一方向和向上方向上突出的部分。附加电容部分可以与半导体层在弯曲部分处间隔开预定距离。叠置层可以在剖视图中设置在柔性基底与半导体层之间。叠置层可以浮置。叠置层可以施加有驱动电压ELVDD。有机发光二极管显示器还可以包括：阻挡层，位于柔性基底上方并且位于叠置层下方；缓冲层，位于叠置层上方并且位于半导体层下方；第一栅极绝缘层，覆盖半导体层；第一栅极导体，位于第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，覆盖第一栅极导体和第一栅极绝缘层；第二栅极导体，位于第二栅极绝缘层上；层间绝缘层，覆盖第二栅极导体和第二栅极绝缘层；数据导体，位于层间绝缘层上；以及钝化层，覆盖数据导体和层间绝缘层。数据导体可以包括施加驱动电压ELVDD的驱动电压线，驱动电压线和第二栅极导体可以通过层间绝缘层中的开口彼此电连接，并且第二栅极导体可以通过缓冲层、第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中的开口电连接到叠置层。第二栅极导体可以是寄生电容器控制图案。数据导体可以是连接构件。叠置层可以在剖视图中设置在半导体层上方。有机发光二极管显示器还可以包括：阻挡层，位于柔性基底上方并且位于叠置层下方；缓冲层，位于叠置层上方并且位于半导体层下方；第一栅极绝缘层，覆盖半导体层；第一栅极导体，位于第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，覆盖第一栅极导体和第一栅极绝缘层；第二栅极导体，位于第二栅极绝缘层上；层间绝缘层，覆盖第二栅极导体和第二栅极绝缘层；数据导体，位于层间绝缘层上；以及钝化层，覆盖数据导体和层间绝缘层。叠置层可以与第一栅极导体或第二栅极导体位于同一层上。数据导体可以包括施加驱动电压ELVDD的驱动电压线，驱动电压线和叠置层可以通过层间绝缘层中的开口彼此电连接。叠置层可以与寄生电容器控制图案一体地形成，寄生电容器控制图案可以是第二栅极导体。实施例也涉及一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：柔性基底；半导体层，位于柔性基底上，半导体层包括晶体管的沟道、第一电极和第二电极；叠置层，位于半导体层和柔性基底之间；以及寄生电容器控制图案，设置为比半导体层距柔性基底远。晶体管可以包括：驱动晶体管，被构造为向有机发光二极管施加电流；第二晶体管，连接到扫描线和数据线，第二晶体管向驱动晶体管的输入电极传输通过数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到扫描线的栅电极、连接到驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到驱动晶体管的栅电极的第二电极。第三晶体管可以包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，第三节点可以形成在半导体层中，叠置层、寄生电容器控制图案和半导体层的第三节点可以顺序地叠置。寄生电容器控制图案可以施加有驱动电压ELVDD。附加电容部分可以在第三节点附近形成在半导体层中，叠置层可以与半导体层的第三节点和附加电容部分叠置。附图说明通过参照附图详细地描述示例实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得清楚，在附图中：图1示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图；图2示出根据示例实施例的施加到有机发光二极管显示器的一个像素的信号的时序图；图3示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图4示出图3的像素的一部分的放大图；图5示出沿图4的线V-V截取的剖视图；图6示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图7示出图6的像素的一部分的放大图；图8示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图9示出图8的像素的一部分的放大图；图10示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图11示出图10的像素的一部分的放大图；图12示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图13示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图；图14示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图15示出沿图14的线XV-XV截取的剖视图；图16示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图17示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图18示出沿图17的线XVIII-XVIII截取的剖视图；图19示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图20示出沿图19的线XX-XX截取的剖视图；图21示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；图22示出图13的电路图的一部分；以及图23示出亮度降低的实验结果。具体实施方式现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，这些示例实施例可以以不同的形式实现，并且不应该被理解为受限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域的技术人员充分地传达示例实施方式。同样的附图标记始终指同样的元件。为了清楚地描述本公开，可以省略与描述无关的部分。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在......上”或“在...上方”意味着设置在对象部分上或下方，并且不一定意味着基于重力方向设置在对象部分的上侧上。另外，除非明确地描述为相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：柔性基底；半导体层，位于所述柔性基底上，所述半导体层包括晶体管的沟道、第一电极和第二电极；以及叠置层，其中：所述晶体管包括：驱动晶体管，被构造为向有机发光元件施加电流；第二晶体管，连接到扫描线和数据线，所述第二晶体管向所述驱动晶体管的输入电极传输通过所述数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到所述扫描线的栅电极、连接到所述驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到所述驱动晶体管的栅电极的第二电极，并且所述第三晶体管包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，所述第三节点形成在所述半导体层中，附加电容部分形成在所述半导体层中并且在所述第三节点附近，并且所述叠置层与所述半导体层的所述第三节点和所述附加电容部分叠置。

【技术特征摘要】
2018.04.03 KR 10-2018-00387821.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：柔性基底；半导体层，位于所述柔性基底上，所述半导体层包括晶体管的沟道、第一电极和第二电极；以及叠置层，其中：所述晶体管包括：驱动晶体管，被构造为向有机发光元件施加电流；第二晶体管，连接到扫描线和数据线，所述第二晶体管向所述驱动晶体管的输入电极传输通过所述数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到所述扫描线的栅电极、连接到所述驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到所述驱动晶体管的栅电极的第二电极，并且所述第三晶体管包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，所述第三节点形成在所述半导体层中，附加电容部分形成在所述半导体层中并且在所述第三节点附近，并且所述叠置层与所述半导体层的所述第三节点和所述附加电容部分叠置。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述半导体层在第一方向上延伸并且位于所述第三晶体管内，在第二方向上弯曲，然后在所述第二方向上延伸，其中，所述第二方向与所述第一方向交叉。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第三节点设置在所述半导体层的弯曲部分处。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述附加电容部分是所述半导体层的在所述弯曲部分处在向上方向上突出的部分。5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述附加电容部分是所述半导体层的在所述弯曲部分处在所述第一方向上突出的部分。6.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述附加电容部分是所述半导体层的在所述弯曲部分处在所述第一方向和向上方向上突出的部分。7.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述附加电容部分与所述半导体层在所述弯曲部分处间隔开预定距离。8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层在剖视图中设置在所述柔性基底与所述半导体层之间。9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层浮置。10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层施加有驱动电压。11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：阻挡层，位于所述柔性基底上方并且位于所述叠置层下方；缓冲层，位于所述叠置层上方并且位于所述半导体层下方；第一栅极绝缘层，覆盖所述半导体层；第一栅极导体，位于所述第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极导体和所述第一栅极绝缘层；第二栅极导体，位于所述第二栅极绝缘层上；层间绝缘层，覆盖所述第二栅极导体和所述第二栅极绝缘层；数据导体，位于所述层间绝缘层上；以及钝化层，覆盖所述数据导体和所述层间绝缘层，其中；所述数据导...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盛民，梁容豪，金成虎，黄荣仁，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR