阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、栅线和数据线、开关元件、公共电极层以及遮光导电层。栅线和数据线位于衬底基板上，相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；开关元件位于像素区域内，与栅线和数据线连接；公共电极层位于开关元件远离衬底基板的一侧；遮光导电层位于开关元件远离衬底基板的一侧，与公共电极层电连接。栅线、数据线和开关元件在衬底基板上的正投影的至少一部分落入遮光导电层在衬底基板上的正投影内。该阵列基板可以提升像素开口率，简化制作工艺，并降低公共电极的信号延迟。

Array substrate and its preparation method, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
本公开的实施例涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，触摸屏已经得到了广泛的应用。触摸屏通过利用触觉反馈系统取代机械式的按钮面板，从而提供了简单、方便的人机交互方式。根据不同的工作原理，触摸屏可以分为电容式、电阻式、红外式和表面声波式等类型。其中，电容式触摸屏应用最为广泛。电容式触摸屏分为利用互电容原理和利用自电容原理的触摸屏。利用互电容原理的触摸屏通常是在基板表面制作横向电极与纵向电极，在横向电极和纵向电极交叉的地方会形成电容器。当手指触摸到屏幕时，影响了触摸位置附近两个电极之间的耦合，从而改变了这两个电极之间的电容大小，根据电容的变化情况，可以计算出触摸位置的坐标。利用自电容原理的触摸屏的结构通常包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，每个自电容电极通过导线连接到触控侦测芯片。当人体未触摸屏幕时，各自电容电极提供的电容为一固定值；当人体触摸屏幕时，触摸位置对应的自电容电极的电容为固定值叠加人体电容，触控侦测芯片通过检测各自电容电极的电容值的变化情况可以得出触摸位置的坐标。
技术实现思路
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。本公开至少一个实施例提供的阵列基板通过设置遮光导电层，可以提升像素开口率，简化制作工艺，并降低公共电极的信号延迟。本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；栅线和数据线，位于所述衬底基板上，相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；开关元件，位于所述像素区域内，与所述栅线和所述数据线电连接；公共电极层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧；以及遮光导电层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧，与所述公共电极层电连接，其中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影的至少一部分落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。在一些示例中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影都落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。在一些示例中，所述阵列基板还包括：绝缘层，夹置于所述遮光导电层和所述公共电极层之间，其中，所述绝缘层包括至少一个过孔，所述遮光导电层和所述公共电极层通过所述至少一个过孔电连接。在一些示例中，所述至少一个过孔位于所述遮光导电层与所述开关元件、栅线或数据线在垂直于所述衬底基板方向上相重叠的区域中。在一些示例中，所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述沟道区在所述衬底基板上的正投影彼此重叠。在一些示例中，所述遮光导电层位于所述公共电极层靠近所述衬底基板的一侧，或者位于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧。在一些示例中，所述遮光导电层位于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧，所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，在所述像素区域中，所述公共电极层上设置有开口，且与所述沟道区在垂直于所述衬底基板的方向上相重叠。在一些示例中，所述阵列基板还包括：像素电极，位于所述像素区域内，其中，所述开关元件为薄膜晶体管，包括源极和漏极，所述像素电极与所述源极或漏极电连接，所述公共电极层包括位于所述像素区域内的公共电极，且所述公共电极与所述像素电极在垂直于所述衬底基板方向上相重叠。在一些示例中，所述遮光导电层的材料包括金属材料或有机导电材料。在一些示例中，所述有机导电材料包括掺杂了石墨的树脂材料。在一些示例中，所述公共电极层包括相互绝缘的多个公共电极单元，所述遮光导电层包括相互绝缘的多条触控走线，所述多个公共电极单元与所述多条触控走线一一对应电连接。在一些示例中，所述阵列基板还包括：绝缘层，夹置于所述遮光导电层和所述公共电极层之间，其中，所述绝缘层包括多个过孔，每个所述公共电极单元与对应的所述触控走线通过至少一个所述过孔电连接。在一些示例中，每个所述公共电极单元在垂直于所述衬底基板的方向上与至少两个像素区域重叠。在一些示例中，所述遮光导电层还包括相互绝缘的多个遮光单元，所述多个公共电极单元与所述多个遮光单元一一对应电连接。本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。本公开至少一个实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。本公开至少一个实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成栅线和数据线，所述栅线和所述数据线相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；在所述衬底基板上形成开关元件，其中，所述开关元件位于所述像素区域内，与所述栅线和所述数据线电连接；在所述开关元件远离所述衬底基板的一侧形成公共电极层；以及在所述开关元件远离所述衬底基板的一侧形成遮光导电层，其中，所述遮光导电层与所述公共电极层电连接，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影的至少一部分落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。图1为一种触控显示基板的结构示意图；图2A为根据本公开至少一个实施例的一种阵列基板的结构示意图；图2B为图2A所示的阵列基板的沿A-A’线的剖视结构示意图；图3A为根据本公开至少一个实施例的又一种阵列基板的结构示意图；图3B为图3A所示的阵列基板的沿B-B’线的剖视结构示意图；图4为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的触控走线示意图；图5A为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的一种遮光导电层图案的局部放大示意图；图5B为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的另一种遮光导电层图案的局部放大示意图；图6为根据本公开至少一个实施例的显示面板的结构示意图；图7为根据本公开至少一个实施例的显示装置的触控走线示意图；图8为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的制备方法流程图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。图1为一种触控显示基板的结构示意图，该触控显示基板例如是用于触控液晶显示装置的阵列基板。如图1所示，该触控显示基板包括衬底基板11、栅线12、数据线13、开关元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；栅线和数据线，位于所述衬底基板上，相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；开关元件，位于所述像素区域内，与所述栅线和所述数据线电连接；公共电极层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧；以及遮光导电层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧，与所述公共电极层电连接，其中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影的至少一部分落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；栅线和数据线，位于所述衬底基板上，相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；开关元件，位于所述像素区域内，与所述栅线和所述数据线电连接；公共电极层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧；以及遮光导电层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧，与所述公共电极层电连接，其中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影的至少一部分落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影都落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，还包括：绝缘层，夹置于所述遮光导电层和所述公共电极层之间，其中，所述绝缘层包括至少一个过孔，所述遮光导电层和所述公共电极层通过所述至少一个过孔电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述至少一个过孔位于所述遮光导电层与所述开关元件、栅线或数据线在垂直于所述衬底基板方向上相重叠的区域中。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述沟道区在所述衬底基板上的正投影彼此重叠。6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述遮光导电层位于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧，所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，在所述像素区域中，所述公共电极层上设置有开口，且与所述沟道区在垂直于所述衬底基板的方向上相重叠。7.根据权利要求1或2所述的阵列基板，还包括：像素电极，位于所述像素区域内，其中，所述开关元件为薄膜晶体管，包括源极和漏极，所述像素电极与所述源极或漏极电连接，所述公共...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金刚，李坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11