一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。一方面，本发明专利技术有利于改善电压下降、发光亮度不均等异常现象；另一方面，本发明专利技术通过节省一道平坦层制程光罩，避免下层平坦层被大面积蚀刻导致再覆盖上层平坦层时产生膜脱落异常现象，提升显示装置的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
有机发光显示装置(英文全称：OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是：当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一。OLED显示装置主流驱动方式为电流驱动，工作电流在显示装置下边框处通过源漏极(SD：Source/Drain)进行输入，因源漏极自身存在一定电阻，信号传输存在电压下降(IRDrop)，即靠近上边框处电压偏小。而显示装置发光亮度与源漏极上驱动电压相关，最终导致显示装置出现发光亮度不均异常。目前解决OLED显示装置发光亮度不均的方法为双层源漏极结构，即采用两道平坦层分别实现第一源漏极层和第二源漏极层、第二源漏极层与像素电极层的连接；当进行第二源漏极层刻蚀时，会对下层平坦层存在大面积刻蚀，后续再覆盖上层平坦层后容易发生膜脱落(Peeling)异常。因此，需要寻求一种新型的显示装置以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，其能够节省一道平坦层制程光罩，并改善下层平坦层被大面积蚀刻后导致再覆盖上层平坦层时产生膜脱落现象，提升显示装置的可靠性。为了解决上述问题，本专利技术的一个实施方式提供了一种阵列基板，其定义有显示区和弯折区，其中包括：基板、缓冲层、有源层以及第一源漏极层。其中所述缓冲层设置于所述基板上；所述有源层设置于所述显示区的缓冲层上，所述有源层包括主体部和两个侧部；所述第一源漏极层包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极分别搭接于所述有源层的两个侧部上。进一步地，其中所述阵列基板还包括：绝缘层、栅极层、层间绝缘层以及第二源漏极层。其中所述绝缘层设置于所述第一源漏极层上；所述栅极层设置于所述绝缘层上；所述层间绝缘层设置于所述栅极层上；所述第二源漏极层设置于所述层间绝缘层上，所述第二源漏极层通过第一接触孔连接于所述第一源漏极层上。进一步地，其中所述弯折区的基板上还设置有一有机光阻层，所述第二源漏极层还设置于所述有机光阻层上。进一步地，其中所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层；所述第一绝缘层设置于所述有源层上；所述第一栅极层设置于所述第一绝缘层上；所述第二绝缘层设置于所述第一栅极层上；所述第二栅极层设置于所述第二绝缘层上；所述层间绝缘层设置于所述第二栅极层上。进一步地，其中所述第二源漏极层设置为网状结构。本专利技术的另一个实施方式还提供了一种制备本专利技术涉及的阵列基板的制备方法，其中包括以下步骤：S1，将待制备的阵列基板定义出显示区和弯折区，提供一基板，在所述基板上形成缓冲层；S2，在所述缓冲层上沉积有源层；S3，利用准分子激光晶化技术实现有源层的多晶硅化，并使用PR光罩对有源层进行图案化，通过一道PR光罩，对有源层进行离子植入，形成主体部和两个侧部；S4，在所述有源层上沉积第一源漏极层，并通过PR光罩实现图案化，将所述弯折区的第一源漏极层全部刻蚀掉，得到第一源极和第二漏极，使所述第一源极和第二漏极分别搭接于所述有源层的两个侧部上。进一步地，还包括以下步骤：S5，在所述第一源漏极层上沉积绝缘层，在所述绝缘层上沉积栅极层；S6，在所述栅极层上沉积制备层间绝缘层；S7，在所述层间绝缘层上沉积制备第二源漏极层，所述第二源漏极层通过第一接触孔连接于所述第一源漏极层上。进一步地，其中所述S7中还包括：通过PR光罩技术对所述弯折区的层间绝缘层远离所述基板的表面直至所述基板朝向所述层间绝缘层的表面进行蚀刻形成凹槽，在所述凹槽内填充有机光阻材料形成有机光阻层；在所述有机光阻层上沉积第二源漏极层。本专利技术的另一个实施方式还提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括本专利技术所涉及的阵列基板。进一步地，其中所述显示面板还包括平坦层、像素电极层以及像素定义层。其中所述平坦层设置于所述层间绝缘层和所述有机光阻层上；所述像素电极层设置于所述显示区的平坦层上，所述像素电极层通过所述第二接触孔连接于所述第二源漏极层上；所述像素定义层设置于所述像素电极层两侧的平坦层上。本专利技术的优点是：本专利技术涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。一方面，本专利技术有利于改善电压下降、发光亮度不均等异常现象；另一方面，本专利技术通过节省一道平坦层制程光罩，避免下层平坦层被大面积蚀刻后导致再覆盖上层平坦层时产生膜脱落异常现象，提升显示装置的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术显示装置的显示面板的结构示意图。图2是本专利技术显示装置的显示面板的第一制备示意图。图3是本专利技术显示装置的显示面板的第二制备示意图。图4是本专利技术显示装置的显示面板的第三制备示意图。图5是本专利技术显示装置的显示面板的第四制备示意图。图6是本专利技术显示装置的显示面板的第五制备示意图。图7是本专利技术显示装置的显示面板的第六制备示意图。图8是本专利技术显示装置的显示面板的第七制备示意图。图9是本专利技术显示装置的显示面板的第八制备示意图。图10是本专利技术显示装置的显示面板的第九制备示意图。图11是本专利技术显示装置的显示面板的第十制备示意图。图12是本专利技术显示装置的显示面板的第十一制备示意图。图中部件标识如下：100、显示面板101、显示区102、弯折区1、基板2、第一缓冲层3、第二缓冲层4、有源层5、第一源漏极层6、第一绝缘层7、第一栅极层8、第二绝缘层9、第二栅极层10、层间绝缘层12、有机光阻层13、第二源漏极层14、平坦层15、像素电极层16、像素定义层41、主体部42、侧部具体实施方式以下结合说明书附图详细说明本专利技术的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本专利技术的
技术实现思路
，以举例证明本专利技术可以实施，使得本专利技术公开的
技术实现思路
更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本专利技术。然而本专利技术可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本专利技术的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本专利技术的范围。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本专利技术，而不是用来限定本专利技术的保护范围。在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其定义有显示区和弯折区，其特征在于，包括：基板；缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上；有源层，所述有源层设置于所述显示区的缓冲层上，所述有源层包括主体部和两个侧部；以及第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极分别搭接于所述有源层的两个侧部上。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其定义有显示区和弯折区，其特征在于，包括：基板；缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上；有源层，所述有源层设置于所述显示区的缓冲层上，所述有源层包括主体部和两个侧部；以及第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极分别搭接于所述有源层的两个侧部上。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一源漏极层上；栅极层，所述栅极层设置于所述绝缘层上；层间绝缘层，所述层间绝缘层设置于所述栅极层上；以及第二源漏极层，所述第二源漏极层设置于所述层间绝缘层上，所述第二源漏极层通过第一接触孔连接于所述第一源漏极层上。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述弯折区的基板上还设置有一有机光阻层，所述第二源漏极层还设置于所述有机光阻层上。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层；所述第一绝缘层设置于所述有源层上；所述第一栅极层设置于所述第一绝缘层上；所述第二绝缘层设置于所述第一栅极层上；所述第二栅极层设置于所述第二绝缘层上；所述层间绝缘层设置于所述第二栅极层上。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源漏极层设置为网状结构。6.一种制备权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将待制备的阵列基板定义出显示区和弯折区，提供一基板，在所述基板上形成缓冲层；S2，在所述缓冲层上沉积有源层...

【专利技术属性】
技术研发人员：方亮，丁玎，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42