微发光二极管吸附体制造技术

本发明专利技术涉及一种解决迄今为止所提出的微发光二极管的转印头的问题，采用可用于转印微发光二极管的真空吸附构造的微发光二极管吸附体及利用其的微发光二极管检查系统。

Microled adsorber

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管吸附体
本专利技术涉及一种吸附微发光二极管的吸附体及利用其的微发光二极管检查系统。
技术介绍
目前，显示器市场仍以液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)为主流，但有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)正快速地替代LCD而逐渐成为主流。最近，在显示器企业参与OLED市场成为热潮的情况下，微发光二极管(微LED，MicroLED)(以下，称为“微发光二极管”)显示器也逐渐成为下一代显示器。LCD与OLED的核心原材料分别为液晶(LiquidCrystal)、有机材料，与此相反，微发光二极管显示器是将1微米至100微米(μm)单位的LED芯片本身用作发光材料的显示器。随着Cree公司在1999年申请有关“提高光输出的微-发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现“微发光二极管”一词以来，陆续发表相关研究论文，并且进行研究开发。作为为了将微发光二极管应用在显示器而需解决的问题，需开发一种基于挠性(Flexible)原材料/元件制造微发光二极管元件的定制型微芯片，需要一种微米尺寸的LED芯片的转印(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。尤其，关于将微发光二极管元件移送到显示基板的转印(transfer)，因LED尺寸变小至1微米至100微米(μm)单位而无法使用以往的取放(pick&place)设备，需要一种以更高精确度进行移送的转印头技术。关于这种转印头技术，揭示如下所述的几种构造，但所揭示的各技术具有几个缺点。美国的Luxvue公司揭示了一种利用静电头(electrostatichead)转印微发光二极管的方法(韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号，以下称为“现有专利技术1”)。现有专利技术1的转印原理为对由硅材质制成的头部分施加电压，由此通过带电现象与微发光二极管产生密接力。所述方法在静电感应时会因施加在头部的电压产生因带电现象引起的微发光二极管损伤的问题。美国的X-Celeprint公司揭示了一种应用具有弹性的聚合物物质作为转印头而将晶片上的微发光二极管移送到所期望的基板的方法(韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号，以下称为“现有专利技术2”)。与静电头方式相比，所述方法无LED损伤的问题，但存在如下缺点：在转印过程中，只有弹性转印头的接着力大于目标基板的接着力才可稳定地移送微发光二极管，需另外进行用以形成电极的制程。另外，持续地保持弹性聚合物物质的接着力也为非常重要的要素。韩国光技术院揭示了一种利用纤毛接着构造头转印微发光二极管的方法(韩国注册专利公报注册编号第1754528号，以下称为“现有专利技术3”)。然而，现有专利技术3存在难以制作纤毛的接着构造的缺点。韩国机械研究院揭示了一种在辊上涂覆接着剂来转印微发光二极管的方法(韩国注册专利公报注册编号第1757404号，以下称为“现有专利技术4”)。然而，现有专利技术4存在如下缺点：需持续使用接着剂，在对辊进行加压时，微发光二极管也会受损。三星显示器揭示了一种在阵列基板浸入在溶液的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压而通过静电感应现象将微发光二极管转印到阵列基板的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0026959号，以下称为“现有专利技术5”)。然而，现有专利技术5存在如下缺点：在将微发光二极管浸入到溶液而转印到阵列基板的方面而言，需要另外的溶液，此后需要干燥制程。LG电子揭示了一种将头保持器配置到多个拾取头与基板之间，随多个拾取头的移动而形状变形来对多个拾取头提供自由度的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0024906号，以下称为“现有专利技术6”)。然而，现有专利技术6具有如下缺点：其为在多个拾取头的接着面涂布具有接着力的接合物质而转印微发光二极管的方式，因此需要在拾取头涂布接合物质的另外的制程。为了解决如上所述的现有专利技术的问题，需在直接使用现有专利技术所采用的基本原理的同时改善上述缺点，但如上所述的缺点是从现有专利技术所使用的基本原理衍生，因此在保持基本原理的同时改善缺点的方面存在极限。因此，本专利技术的申请人不仅改善这些以往技术的缺点，而且揭示一种在现有专利技术中完全未考虑过的新颖的方式。现有技术文献专利文献(专利文献1)韩国注册专利公报注册编号第0731673号(专利文献2)韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号(专利文献3)韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号(专利文献4)韩国注册专利公报注册编号第1754528号(专利文献5)韩国注册专利公报注册编号第1757404号(专利文献6)韩国公开专利公报第10-2017-0026959号(专利文献7)韩国公开专利公报第10-2017-0024906号
技术实现思路
专利技术欲解决的课题因此，本专利技术的目的在于提供一种解决迄今为止所提出的微发光二极管的转印头的问题，采用可用于转印微发光二极管的真空吸附构造的微发光二极管吸附体及利用其微发光二极管检查系统。解决课题的手段为了达成这种本专利技术的目的，本专利技术的微发光二极管吸附体包括：多孔性部件，具有气孔；以及导电层，形成在所述多孔性部件的表面。另外，所述微发光二极管吸附体的特征在于：所述导电层不堵塞所述气孔。另外，所述微发光二极管吸附体的特征在于：密接在所述导电层的表面的微发光二极管通过施加在所述气孔的真空而吸附到转印头。另外，所述多孔性部件包括阳极氧化膜。另外，所述多孔性部件包括多孔性陶瓷。另一方面，本专利技术的微发光二极管吸附体包括：多孔性部件，具有气孔；垂直导电部，形成在所述多孔性部件的气孔；以及水平导电部，与所述垂直导电部连接。另外，所述微发光二极管吸附体的特征在于：所述垂直导电部位于吸附微发光二极管的吸附区域内。另外，所述微发光二极管吸附体的特征在于：所述多孔性部件为将金属阳极氧化而形成的阳极氧化膜。专利技术效果如上所述，本专利技术的微发光二极管吸附体可真空吸附成为转印对象的微发光二极管，可通过真空吸附将微发光二极管从第一基板移送到第二基板。另外，本专利技术的微发光二极管吸附体具备导电层，从而可去除产生在微发光二极管的静电。另外，本专利技术的微发光二极管吸附体具备导电层，从而可利用在表面具备导电层的检查装置检查微发光二极管是否不良。另外，本专利技术的微发光二极管吸附体在吸附区域内同时具备吸附部及导电部，从而可在吸附微发光二极管的同时检查微发光二极管是否不良。另外，本专利技术的微发光二极管吸附体具备导电部，从而可产生静电及去除静电。另外，本专利技术的微发光二极管吸附体在吸附及解吸微发光二极管时，可有效地去除阻碍吸附及解吸的静电而更有效率地转印微发光二极管。附图说明图1是表示成为本专利技术的实施例的吸附对象的微发光二极管的图。图2是通过本专利技术的实施例移送到显示基板而安装的微发光二极管构造体的图。图3是本专利技术的第一实施例的微发光二极管吸附体的图。图4是本专利技术的第二实施例的微发光二极管吸附体的图。图5是图4的“A”部分的放大图。图6是表示图4的微发光二极管吸附体吸附微发光二极管的状态的图。图7及图8a、图8b是表示第二实施例的变形例的图。图9是本专利技术的第三实施例的微发光二极管吸附体的图。图10是表示第三实施例的变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管吸附体，其特征在于包括：多孔性部件，具有气孔；以及导电层，形成在所述多孔性部件的表面。

【技术特征摘要】
2018.04.06 KR 10-2018-0040375;2018.04.06 KR 10-2011.一种微发光二极管吸附体，其特征在于包括：多孔性部件，具有气孔；以及导电层，形成在所述多孔性部件的表面。2.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，所述导电层不堵塞所述气孔。3.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，密接在所述导电层的表面的微发光二极管通过施加在所述气孔的真空而吸附到转印头。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，边圣铉，宋台焕，
申请(专利权)人：普因特工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR