一种微小芯片的批量转移装置制造方法及图纸

本申请公开了一种微小芯片的批量转移装置，包括导轨及芯片转移模块；所述导轨两侧包括沿所述导轨延伸方向排列的导轨电极；所述芯片转移模块套装在所述导轨上，且所述芯片转移模块与所述导轨之间具有间隙；所述芯片转移模块内侧包括与所述导轨电极相对应的芯片转移模块电极，通过改变所述导轨电极与所述芯片转移模块电极的电场强度，使所述芯片转移模块沿所述导轨宏动。本申请通过改变所述导轨电极不同位置的电场强度，精确控制所述芯片转移模块的位置，本申请提供的技术方案，在对所述芯片转移模块实现长行程的间距调整的同时，相比与现有技术，还大大减小了所述微小芯片的批量转移装置的占用空间，提高芯片转移的效率。

A batch transfer device for microchips

【技术实现步骤摘要】
一种微小芯片的批量转移装置
本申请涉及芯片领域，特别是涉及一种微小芯片的批量转移装置。
技术介绍
随着芯片集成化极速发展。传统的固晶、焊线、倒装等芯片器件封装效率已达到极限，无法满足其行业发展需求，全球都在寻求新的突破。先进封装是后摩尔时代应对高密度、高集成度芯片封装的重大技术变革。能否实现规模化芯片阵列转移，是先进封装技术能否成为行业引领性主流技术的关键核心问题。芯片用量越来越多、尺寸越来越小，单颗芯片独立封装技术的效率无法跟上需求，亟需芯片批量转移与规模化封装的新工艺与装备；且在先进显示Micro-LED封装中数量更加庞大，对巨量芯片转移的需求更加突出。事实上，由于晶圆上的芯片密度与安装基板上芯片的密度不一样，芯片在巨量转移的过程中，是需要精确地调整间距和对位偏差的，虽然在世界范围内，存在许多的巨量转移方案，但是他们大多数没有考虑到芯片间距调整的问题。如现有技术中使用范围最广的利用弹性伸缩材料调整间距的装置，弹性伸缩材料的伸缩率小于0.1％，伸缩材料的行程如果要达到1μm那么，伸缩材料本体的长度至少得1000μm。而芯片间距要求在1-100μm之间调整，该机构直接使用伸缩材料伸缩来改变芯片间距，伸缩材料本体(1000μm)已远远超过芯片间距的最大长度(100μm),故在实际应用中，不可能实现大行程的间距调整。因此，找到一种在满足芯片调整间距的精度的前提下，实现长行程间距(1-100μm)调整的方法，是本领域技术人员亟待解决的问题。申请内容本申请的目的是提供一种微小芯片的批量转移装置，以解决现有技术中芯片调整间距的精度太低，不能实现长行程的间距调整。为解决上述技术问题，本申请提供一种微小芯片的批量转移装置，包括导轨及芯片转移模块；所述导轨两侧包括沿所述导轨延伸方向排列的导轨电极；所述芯片转移模块套装在所述导轨上，且所述芯片转移模块与所述导轨之间具有间隙；所述芯片转移模块内侧包括与所述导轨电极相对应的芯片转移模块电极，通过改变所述导轨电极与所述芯片转移模块电极的电场强度，使所述芯片转移模块沿所述导轨宏动。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，所述导轨上表面设置有气孔，所述气孔在所述芯片转移模块沿导轨所述导轨宏动时喷出气流，使所述芯片转移模块与所述导轨无接触。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，所述导轨上表面具有两列沿所述导轨的延伸方向的排列的对称分布的气孔。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，还包括分压挡板，所述分压挡板设置于所述导轨上方；当所述芯片转移模块的通孔的下表面与所述导轨的下表面接触时，所述芯片转移模块的上表面与所述分压挡板接触。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，当所述芯片转移模块的通孔的下表面与所述导轨的下表面接触时，所述芯片转移模块的底面水平。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，所述芯片转移模块的通孔的上侧内表面设置有块状压电材料，所述块状压电材料可通过调节电信号进行伸缩；当所述块状压电材料伸长时，所述芯片转移模块相对于所述导轨向上移动，使所述芯片转移模块的通孔的下表面与所述导轨的下表面紧密接触，通过摩擦力固定所述芯片转移模块与所述导轨的相对位置。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，所述芯片转移模块包括平面微动平台与悬挂装置；所述平面微动平台设置于所述悬挂装置下方，所述悬挂装置与所述平面微动平台围成腔体，所述腔体中设置有连接块；所述连接块与所述悬挂装置通过沿第一方向延伸的第一双层压电梁连接；所述连接块与所述微动平台通过沿第二方向延伸的第二双层压电梁连接；所述第一双层压电梁与所述第二双层压电梁为可伸缩的双层压电梁。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，所述第一方向与所述第二方向为在同一平面内相互垂直的两个方向。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，所述连接块为正方形连接块。可选地，在所述微小芯片的批量转移装置中，还包括机器视觉装置；所述机器视觉装置包括CCD相机，所述CCD相机设置在所述微小芯片的批量转移装置的底部，镜头向上，通过机器视觉反馈所述芯片转移模块的间距数据，使所述微小芯片的批量转移装置能通过所述间距数据调整所述芯片转移模块的间距。本申请所提供的微小芯片的批量转移装置，包括导轨及芯片转移模块；所述导轨两侧包括沿所述导轨延伸方向排列的导轨电极；所述芯片转移模块套装在所述导轨上，且所述芯片转移模块与所述导轨之间具有间隙；所述芯片转移模块内侧包括与所述导轨电极相对应的芯片转移模块电极，通过改变所述导轨电极与所述芯片转移模块电极的电场强度，使所述芯片转移模块沿所述导轨宏动。本申请通过改变所述导轨电极不同位置的电场强度，与所述芯片转移模块的芯片转移模块电极相配合，精确控制所述芯片转移模块的位置，举例说明，假设芯片转移模块A现处于导轨的a位置与b位置之间，而现需要将芯片转移模块A移动到导轨上的a位置，则可以使a位置处的导轨电极带正电，b位置带负电，同时使芯片转移模块A的芯片转移模块电极带负电，这样，芯片转移模块A就会在来自a位置的引力与b位置的斥力的共同作用下，通过调整轨道各处的电场强度大小，便会精准到达a位置。本申请提供的技术方案，在对所述芯片转移模块实现长行程的间距调整的同时，相比与现有技术，还大大减小了所述微小芯片的批量转移装置的占用空间，在相同空间占用下，可一次性转移更多芯片，提高芯片转移的效率。附图说明为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请提供的微小芯片的批量转移装置的一种具体实施方式的结构示意图；图2为本申请提供的微小芯片的批量转移装置的另一种具体实施方式的结构示意图；图3为本申请提供的微小芯片的批量转移装置的又一种具体实施方式的结构示意图；图4为本申请提供的微小芯片的批量转移装置的又一种具体实施方式的芯片转移模块的立体结构图；图5为本申请提供的微小芯片的批量转移装置的又一种具体实施方式的平面微动平台与悬挂装置连接处的结构示意图；图6为本申请提供的微小芯片的批量转移装置的又一种具体实施方式的平面微动平台与悬挂装置连接处的俯视图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请的核心是提供一种微小芯片的批量转移装置，其具体实施方式的结构示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括导轨100及芯片转移模块200；所述导轨100两侧包括沿所述导轨100延伸方向排列的导轨电极101；所述芯片转移模块200套装在所述导轨100上，且所述芯片转移模块200与所述导轨100之间具有间隙；所述芯片转移模块200内侧包括与所述导轨电极101相对应的芯片转移模块电极201，通过改变所述导轨电极101与所述芯片转移模块电极201的电场强度，使所述芯片转移模块200沿所述导轨100宏动。特别本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微小芯片的批量转移装置，其特征在于，包括导轨及芯片转移模块；所述导轨两侧包括沿所述导轨延伸方向排列的导轨电极；所述芯片转移模块套装在所述导轨上，且所述芯片转移模块与所述导轨之间具有间隙；所述芯片转移模块内侧包括与所述导轨电极相对应的芯片转移模块电极，通过改变所述导轨电极与所述芯片转移模块电极的电场强度，使所述芯片转移模块沿所述导轨宏动。

【技术特征摘要】
1.一种微小芯片的批量转移装置，其特征在于，包括导轨及芯片转移模块；所述导轨两侧包括沿所述导轨延伸方向排列的导轨电极；所述芯片转移模块套装在所述导轨上，且所述芯片转移模块与所述导轨之间具有间隙；所述芯片转移模块内侧包括与所述导轨电极相对应的芯片转移模块电极，通过改变所述导轨电极与所述芯片转移模块电极的电场强度，使所述芯片转移模块沿所述导轨宏动。2.如权利要求1所述的微小芯片的批量转移装置，其特征在于，所述导轨上表面设置有气孔，所述气孔在所述芯片转移模块沿导轨所述导轨宏动时喷出气流，使所述芯片转移模块与所述导轨无接触。3.如权利要求2所述的微小芯片的批量转移装置，其特征在于，所述导轨上表面具有两列沿所述导轨的延伸方向的排列的对称分布的气孔。4.如权利要求1所述的微小芯片的批量转移装置，其特征在于，还包括分压挡板，所述分压挡板设置于所述导轨上方；当所述芯片转移模块的通孔的下表面与所述导轨的下表面接触时，所述芯片转移模块的上表面与所述分压挡板接触。5.如权利要求4所述的微小芯片的批量转移装置，其特征在于，当所述芯片转移模块的通孔的下表面与所述导轨的下表面接触时，所述芯片转移模块的底面水平。6.如权利要求1所述的微小芯片的批量转移装置，其特征在于，所述芯片转移模块的通孔的上侧内表面设置有块状压电材料，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱钟源，汤晖，何思丰，陈新，高健，贺云波，崔成强，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44