一种封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构及封装方法，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成第一封装层；采用化学镀于所述第一封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的金属层，所述金属层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层；去掉所述第一窗口内裸露的所述化学镀种子层，以显露所述第一封装层；于所述第一封装层及所述图形化的金属层上方形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述金属层。本发明专利技术的封装结构及封装方法能够提高封装层的牢固性，提高金属层与第一封装层之间的结合力，从而防止第二封装层在后续工序中的脱落现象。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构及封装方法
本专利技术属于半导体封装领域，特别是涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
晶圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，简称WLCSP)，即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20％的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。晶圆级芯片封装往往需要多层封装层及金属层，传统的工艺中，金属层和封装层之间的结合力不强，导致封装层之间出现脱落分离现象，严重影响了产品的良品率。基于以上所述，本专利技术的目的是给出一种封装结构及封装方法，以解决现有技术的封装层脱落问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种封装结构及封装方法，用于解决现有技术中封装层脱落问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种封装方法，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成第一封装层；采用化学镀于所述第一封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的金属层，所述金属层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层；去掉所述第一窗口内裸露的所述化学镀种子层，以显露所述第一封装层；于所述第一封装层及所述图形化的金属层上方形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述金属层。可选地，形成所述图形化的金属层的方法包括：于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层具有第二窗口，所述第二窗口显露所述化学镀种子层；于所述第二窗口内形成所述金属层；去掉所述掩膜层，以形成所述图形化的金属层。可选地，所述掩膜层包括光刻胶，形成所述图形化的光刻胶的方法包括光刻工艺。可选地，形成所述金属层的方法包括电镀。可选地，所述金属层的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。可选地，所述金属层的厚度介于3μm～15μm之间。可选地，所述化学镀种子层的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。可选地，所述化学镀种子层的厚度介于180nm～220nm之间。可选地，所述第一封装层和所述第二封装层的材质包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合。可选地，形成所述第一封装层和形成所述第二封装层的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。可选地，所述支撑基底的材质包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种，所述支撑基底的厚度介于800μm～1200μm之间。可选地，去掉裸露部分的所述化学镀种子层的方法包括化学刻蚀工艺。本专利技术还提供一种封装结构，包括：支撑基底；第一封装层，形成于所述支撑基底上；图形化的化学镀种子层，形成于所述第一封装层的表面；图形化的金属层，形成于所述化学镀种子层的表面；第二封装层，形成于所述第一封装层、所述化学镀种子层和所述金属层上，且所述第二封装层包覆所述化学镀种子层和所述金属层。可选地，所述金属层的厚度介于3μm～15μm之间。可选地，所述化学镀种子层的厚度介于180nm～220nm之间。可选地，所述支撑基底的厚度介于800μm～1200μm之间。如上所述，本专利技术提供一种封装结构及封装方法，本专利技术具有以下功效：本专利技术的封装结构及封装方法采用化学镀于所述第一封装层的上表面形成化学镀种子层，具有提高封装层的牢固性，提高金属层与第一封装层之间的结合力，从而防止第二封装层在后续工序中的脱落现象。于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层具有第二窗口，以显露所述化学镀种子层，于所述第二窗口内形成所述金属层，去掉所述掩膜层，采用化学刻蚀工艺去掉裸露部分的所述化学镀种子层，在整个图形化金属层的形成过程中没有用到干法刻蚀，只采用了湿法刻蚀，提高了生产效率，降低了生产成本。所述金属层与所述第一封装层之间具有所述化学镀种子层，提高封装层的牢固性，提高金属层与第一封装层之间的结合力，从而防止第二封装层在后续工序中的脱落现象。而且所述化学镀种子层与所述第一封装层之间直接接触不夹带其他物质，提高了所述化学镀种子层与所述第一封装层之间的结合力。附图说明图1显示为本专利技术的封装方法步骤1)所呈现的结构示意图。图2显示为本专利技术的封装方法步骤2)所呈现的结构示意图。图3显示为本专利技术的封装方法步骤3)所呈现的结构示意图。图4显示为本专利技术的封装方法步骤4)所呈现的结构示意图。图5显示为本专利技术的封装方法步骤5)所呈现的结构示意图。图6显示为本专利技术的封装方法步骤6)所呈现的结构示意图。图7显示为本专利技术的封装方法步骤7)所呈现的结构示意图。图7显示为本专利技术的封装结构所呈现的结构示意图。图8显示为本专利技术的封装方法的流程图。元件标号说明101支撑基底102第一封装层103化学镀种子层104掩膜层105第二窗口106金属层107第一窗口108第二封装层S01～S07步骤具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图1～图8所示，本实施例提供一种封装方法，包括步骤：如图1所示，进行步骤1)S01，提供一支撑基底101，于所述支撑基底101的上表面形成第一封装层102。所述支撑基底101的材质包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种，所述支撑基底101的厚度介于800μm～1200μm之间，例如，所述支撑基底101的厚度可以为900μm、1000μm、1100μm。所述第一封装层102的材质包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，形成所述第一封装层102的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。所述第一封装层102通过撒料、加热融化、合模冷却等工艺后形成。在本实施例中，所述第一封装层102的材质选用为环氧树脂，环氧树脂是指分子中含有两个以上环氧基团的一类聚合物的总称。它是环氧氯丙烷与双酚A或多元醇的缩聚产物。由于环氧基的化学活性，可用多种含有活泼氢的化合物使其开环，固化交联生成网状结构，因此它是一种热固性树脂。如图2所示，进行步骤2)S02，采用化学镀于所述第一封装层102的上表面形成化学镀种子层103。作为示例，所述化学镀种子层103的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。所述化学镀种子层103的厚度介于180nm～220nm之间，例如，所述化学镀种子层103的厚度可以为180nm、200nm、220nm。在本实施例中，所述化学镀种子层103的材质包括铜，所述化学镀的温度介于25℃～30℃之间，温度过低时，镀铜的速率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装方法，其特征在于，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成第一封装层；采用化学镀于所述第一封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的金属层，所述金属层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层；去掉所述第一窗口内裸露的所述化学镀种子层，以显露所述第一封装层；于所述第一封装层及所述图形化的金属层上方形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述金属层。

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成第一封装层；采用化学镀于所述第一封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的金属层，所述金属层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层；去掉所述第一窗口内裸露的所述化学镀种子层，以显露所述第一封装层；于所述第一封装层及所述图形化的金属层上方形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述金属层。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：形成所述图形化的金属层的方法包括：于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层具有第二窗口，所述第二窗口显露所述化学镀种子层；于所述第二窗口内形成所述金属层；去掉所述掩膜层，以形成所述图形化的金属层。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：所述掩膜层包括光刻胶，形成所述图形化的光刻胶的方法包括光刻工艺。4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：形成所述金属层的方法包括电镀。5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述金属层的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述金属层的厚度介于3μm～15μm之间。7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述化学镀种子层的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。8.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述化学镀种子层的厚度介于180nm～...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，周祖源，吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32