低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法。该制造方法包括提供一基板；形成一多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述基板上；形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层；形成一金属层，所述金属层形成于所述第二绝缘层上；图案化所述金属层及所述第二绝缘层，形成一第一图案化金属层及一图案化第二绝缘层；图案化所述第一图案化金属层，形成第二图案化金属层；离子注入所述多晶硅层，以同时形成一重掺杂区和一轻掺杂区。

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
本专利技术是有关于一种显示面板及其制造方法，且特别是有关于一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法。
技术介绍
随着科技的发展，显示装置被广泛应用在许多电子产品上，如手机、平板电脑、手表等。为了提高显示质量，大尺寸、高解析度、高亮度的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板应运而生。现有的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板，一般在制作薄膜晶体管时，通常采用在形成栅极金属层后定义出重掺杂区N+后进行离子注入，在栅极金属层上形成光阻层，并进一步蚀刻栅极金属层，进而定义轻掺杂区N-后进行离子注入。因此，重掺杂区N+以及轻掺杂去N-的形成需要两道蚀刻及两道离子注入的步骤。同时，栅极绝缘层通常由氧化硅和氮化硅两层绝缘膜组成，如在栅极绝缘层的成膜过程中有颗粒掉落在半导体层与栅极金属层之间，会导致半导体层和栅极金属层之间的短路，进而造成显示面板良率下降。为此，需要增加栅极绝缘层的厚度予以改善。但栅极绝缘层厚度的增加会影响掺杂区的深度与剂量，增加制程时间，减少产能。因此，如何能减少蚀刻及离子注入的次数并有效降低栅极绝缘层厚度增加对制程时间增加的影响，实为需要解决的问题之一。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法，可以减少蚀刻及离子注入的次数并有效降低栅极绝缘层厚度增加对制程时间增加的影响，并保持沟道与金属层之间绝缘层的厚度，以减少颗粒掉落造成短路的良率下降。本专利技术一实施例的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板的制造方法，包括提供一基板；形成一多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述基板上；形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层；形成一金属层，所述金属层形成于所述第二绝缘层上；图案化所述金属层及所述第二绝缘层，形成一第一图案化金属层及一图案化第二绝缘层；图案化所述第一图案化金属层，形成第二图案化金属层；离子注入所述多晶硅层，以同时形成一重掺杂区和一轻掺杂区。本专利技术一实施例的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板，其中，低温多晶硅薄膜晶体管包括一基板；一多晶硅层，设置于所述第一基板，且所述多晶硅层具有一第一重掺杂区、一第二重掺杂区与一沟道区，所述沟道区位于所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区之间；一第一绝缘层，覆盖于所述多晶硅层；一第二绝缘层，覆盖于所述第一绝缘层；一金属层，覆盖于所述第二绝缘层，且位置对应于所述沟道区；其中，所述第二绝缘层的宽度大于所述金属层的宽度，且所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的材料不同。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1A-图1H是本专利技术一实施例低温多晶硅薄膜晶体管制造方法的流程图。图2是本专利技术一实施例低温多晶硅薄膜晶体管的结构示意图。其中，附图标记：100：低温多晶硅薄膜晶体管101：基板102：半导体层103：第一栅极绝缘层104：第二栅极绝缘层105：第一金属层106：光阻层107：层间绝缘层108：第二金属层VIA：接触孔N+：重掺杂区N-：轻掺杂区CH：沟道区具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：本专利技术提供一种显示面板的制造方法，特别是显示面板中低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，对于本领域技术人员而言，其他结构采用熟知的制造方法。图1A-图1H是本专利技术一实施例低温多晶硅薄膜晶体管制造方法的流程图。本实施例中的低温多晶硅薄膜晶体管100的制造方法包括以下步骤：如图1A所示，首先提供一基板101，其中基板101上还可形成有缓冲层(图中未示出)，在基板101上形成半导体层102，半导体层102可以采用非晶硅、多晶硅等半导体材料制成，本专利技术并不以此为限。接下来，如图1B所示，在半导体层102上分别形成第一栅极绝缘层103以及第二栅极绝缘层104。其中，第一栅极绝缘层103可以采用氧化硅材料制成，其厚度通常为第二栅极绝缘层104可以采用氮化硅材料制成，其厚度可以由通常的增加至如图1C所示，在第二栅极绝缘层104上形成第一金属层105。其中，第一金属层105可以为钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合。然后，如图1D所示，在第一金属层105上形成光阻层106，以光阻层106为掩模，对第一金属层105以及第二栅极绝缘层104进行图案化。如图1E所示，其中，先采用第一蚀刻气体，例如SF6和O2的混合气体，蚀刻第一金属层105以及第二栅极绝缘层104，对第一金属层105以及第二栅极绝缘层104进行图案化。如图1F所示，其次，采用第二蚀刻气体，例如CL2和O2的混合气体，过度蚀刻第一金属层105，进一步对第一金属层105进行图案化。需要说明的是，第二蚀刻气体与第一蚀刻气体为不同的蚀刻气体，其中第二蚀刻气体对第一金属层105及第二绝缘层104的蚀刻选择比相对于第一蚀刻气体较佳。本实施例所指的第一蚀刻气体、第二蚀刻气体仅仅作为示例，任何对于第一金属层105以及第二栅极绝缘层蚀刻选择比不同的蚀刻气体均可实现，本专利技术并不以此为限。如图1G所示，移除光阻层106，以图案化后的第一金属层105以及第二栅极绝缘层104为掩模，进行离子注入。由于第一金属层105、第二栅极绝缘层104以及第一栅极绝缘层103形成了台阶状的结构，半导体层102上方所对应膜层的厚度不同，因此，在进行离子注入时会产生不同区域离子注入剂量不同的状况。其中，在第二栅极绝缘层104的外部两侧，半导体层102上方仅有第一栅极绝缘层103覆盖，厚度小，离子注入剂量大，形成重掺杂区N+；在第一金属层105外部两侧与第二栅极绝缘层104对应的区域，半导体层102上方有第一栅极绝缘层103、第二栅极绝缘层104覆盖，厚度较大，离子注入剂量小，形成轻掺杂区N-；而第一金属层105对应的区域，半导体层102不进行离子注入，形成低温多晶硅薄膜晶体管100的沟道区CH。需要说明的是，本实施例中，重掺杂区N+以及轻掺杂区N-在离子注入过程中同时形成。最后，如图1H所示，在基板101上形成层间绝缘层107覆盖第一金属层105、第二栅极绝缘层104、第一栅极绝缘层103，在层间绝缘层107、第一栅极绝缘层103中形成通孔；接着在层间绝缘层107上形成第二金属层108，第二金属层108填充通孔并与下方的重掺杂区N+相接触，实现电性连接，形成低温多晶硅薄膜晶体管100的源极和/或漏极。当然，形成低温多晶硅薄膜晶体管100以及显示面板还有很多其他的层，本专利技术仅示例性的进行描述，并不以此为限。需要说明的是，在本专利技术之实施例中，增加第二栅极绝缘层104的厚度，可以加大第一栅极绝缘层103与第二栅极绝缘层104之间的厚度断差，在不同区域形成两种不同厚度的栅极绝缘层。由此，可以利用蚀刻气体对氧化硅和氮化硅选择比的不同，利用栅极绝缘层厚度的差异，在进行离子注入时，在半导体层102中形成浓度不同的掺杂区。但是，第二栅极绝缘层104的厚度应控制在合理范围，优选的为如果第二栅极绝缘层104的厚度过大，可能导致在离子注入时，掺杂离子无法到达半导体层102，使得掺杂浓度不足，导致LDD失效且需要更大的栅级电压才能驱动薄膜晶体管；如果第二栅极绝缘层104的厚度过小，可能导致在离子注入时，轻掺杂区的掺杂浓度变大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述基板上；形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层；形成一金属层，所述金属层形成于所述第二绝缘层上；图案化所述金属层及所述第二绝缘层，形成一第一图案化金属层及一图案化第二绝缘层；图案化所述第一图案化金属层，形成第二图案化金属层；离子注入所述多晶硅层，以同时形成一重掺杂区和一轻掺杂区。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述基板上；形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层；形成一金属层，所述金属层形成于所述第二绝缘层上；图案化所述金属层及所述第二绝缘层，形成一第一图案化金属层及一图案化第二绝缘层；图案化所述第一图案化金属层，形成第二图案化金属层；离子注入所述多晶硅层，以同时形成一重掺杂区和一轻掺杂区。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用所述图案化第二绝缘层作为掩模，离子注入穿过所述第一绝缘层，于所述多晶硅层形成所述重掺杂区。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用所述图案化第二金属层作为掩模，离子注入穿过所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层，于所述多晶硅层形成所述轻掺杂区。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，图案化所述金属层及所述第二绝缘层以及图案化所述第一图案化金属层的步骤包括：采用一第一蚀刻气体图案化所述金属层及所述第二绝缘层；采用一第二蚀刻气体进一步图案化所述第一图案化金属层；其中，所述第一蚀刻气体与所述第二蚀刻气体不同。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一蚀刻气体至少包括SF6和O2。6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第二蚀刻气体至少包括CL2和O2。7.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰毅，
申请(专利权)人：友达光电昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32