阵列基板的制备方法和制备系统技术方案

技术编号:22332044 阅读:57 留言:0更新日期:2019-10-19 12:38
本发明专利技术提供一种阵列基板的制备方法,制备方法包括:提供基板;在基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对保护层图案化形成保护层图案;以保护层图案为掩模,对栅极层进行刻蚀形成栅极;以保护层图案为掩模,对有源层的第一区域进行导体化处理,第一区域为未被保护层图案在有源层上的投影覆盖的区域;以保护层图案为掩膜,对栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案;剥离保护层图案。本发明专利技术通过保护层图案为掩膜,透过栅绝缘层对有源层进行导体化工艺,使导体化位置更精准,同时用剥离的方式去除保护层图案,不会导致有源层的电阻率上升。

Preparation method and system of array substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制备方法和制备系统
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板的制备方法和制备系统。
技术介绍
现有的顶栅结构薄膜晶体管,一般在形成栅极及栅极绝缘层图形后,再对有源层导体化来形成源漏极的欧姆接触层。导体化工艺在栅极绝缘层刻蚀后完成,之后进行灰化来去除光刻胶,一方面,灰化过程氧气的使用会导致有缘层的导体化效果发生变化,降低与源漏极接触区域的电阻率;另一方面,因采用自对位光罩,导体化区域大小及效果取决于栅极绝缘层,若栅极绝缘层刻蚀均一性出现波动或者干刻横向加大,会使导体化效果变差,影响未被导体化处理的沟道区长度。因此,现有顶栅结构薄膜晶体管存在有源层导体化效果不佳的技术问题,需要改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制备方法,以解决现有阵列基板存在的有源层导体化效果不佳的技术问题。为解决上述问题,本专利技术提供的技术方案如下:本专利技术提供一种阵列基板的制备方法,包括:提供基板;在所述基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对所述保护层图案化形成保护层图案;以所述保护层图案为掩模,对所述栅极层进行刻蚀形成栅极;以所述保护层图案为掩模,对所述有源层的第一区域进行导体化处理,所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域;以所述保护层图案为掩膜,对所述栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案;剥离所述保护层图案。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述以所述保护层图案为掩模,对所述有源层的第一区域进行导体化处理,所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域的步骤包括:对所述第一区域进行准分子激光照射。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述对所述第一区域进行准分子激光照射的步骤包括:用氟化氪激光进行照射。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述对所述第一区域进行准分子激光照射的步骤包括:用氟化氩激光进行照射。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述对所述第一区域进行准分子激光照射的步骤包括:用氯化氙激光进行照射。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述以所述保护层图案为掩模,对所述有源层的第一区域进行导体化处理,所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域的步骤包括:对所述第一区域进行烘烤。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述对所述第一区域进行烘烤的步骤包括:用300℃至350℃温度烘烤。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述在所述基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对所述保护层图案化形成保护层图案的步骤包括:在所述栅极层上涂布光刻胶,并对光刻胶图案化。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述以所述保护层图案为掩模,对所述栅极层进行刻蚀形成栅极的步骤包括:对所述栅极层采用湿法刻蚀。在本专利技术的阵列基板的制备方法中,所述以所述保护层图案为掩膜,对所述栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案的步骤包括:对所述栅绝缘层采用干法刻蚀。本专利技术的有益效果为:本专利技术提供一种阵列基板的制备方法,所述制备方法包括:提供基板;在所述基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对所述保护层图案化形成保护层图案;以所述保护层图案为掩模,对所述栅极层进行刻蚀形成栅极;以所述保护层图案为掩模,对所述有源层的第一区域进行导体化处理,所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域;以所述保护层图案为掩膜,对所述栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案;剥离所述保护层图案。本专利技术通过保护层图案为掩膜,透过栅绝缘层对有源层进行导体化工艺,使导体化位置更精准,同时用剥离的方式去除保护层图案,不会导致有源层的电阻率上升。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法流程图;图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第一阶段的结构示意图;图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第二阶段的结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第三阶段的结构示意图;图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第四阶段的结构示意图;图6为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第五阶段的结构示意图;图7为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第六阶段的结构示意图;图8为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第七阶段的结构示意图;图9为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第八阶段的结构示意图;图10为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第九阶段的结构示意图;图11为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备过程中第十阶段的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。如图1所示,本专利技术提供的阵列基板的制备方法包括以下步骤:S1、提供基板;S2、在基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对保护层图案化形成保护层图案;S3、以保护层图案为掩模,对栅极层进行刻蚀形成栅极;S4、以保护层图案为掩模,对有源层的第一区域进行导体化处理,第一区域为未被保护层图案在有源层上的投影覆盖的区域;S5、以保护层图案为掩膜,对栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案;S6、剥离保护层图案。下面结合图2至图11对该制备方法进行具体说明。在步骤S1中,如图2所示,先提供基板10,基板10可以是绝缘且透明的玻璃基板或树脂基板,对基板10进行预清洗,然后在基板10上形成遮光层20和缓冲层30。遮光层20可以是叠层的钼铝钼(Mo/Al/Mo)结构或叠层的钛铝钛(Ti/Al/Ti)结构,也可以是单层的钼结构或者单层的铝结构,通过物理气相沉积法沉积在基板10上,之后再进行黄光及干法刻蚀和剥离工艺,形成遮光层图案。在一种实施例中,遮光层20的膜厚为150纳米。缓冲层30可以是叠层的SiOx/SiNx结构,也可以是单层的SiNx结构或SiOx结构,通过化学气相沉积法沉积在遮光层20上,在一种实施例中,缓冲层30为叠层的SiO/SiNx结构,SiO的膜层厚度为200纳米,SiNx的膜层厚度也为200纳米。在步骤S2中,如图3所示,先在缓冲层30上形成有源层40。有源层40可以采用金属氧化物材料如氧化锌ZnO、氧化铟InO,或基于上述两种材料的多元金属氧化物半导体如氧化铟镓锌IGZO、氧化铟锌IZO、氧化锌锡ZTO,氧化铪铟锌HIZO、氧化铟锡ITO等。有源层40可通过物理气相沉积等方法沉积在缓冲层30上,进行烘烤后进行黄光工艺,通过草酸刻蚀形成有源层图案。在一种实施例中,有源层40的膜层厚度为100纳米。如图4所示,再在有源层40上形成栅绝缘层50和栅极60。栅绝缘层50的材料可以为氧化硅,通过化学气相沉积法沉积在有源层40上,在一种实施例中,栅绝缘层50的膜层厚度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对所述保护层图案化形成保护层图案;以所述保护层图案为掩模,对所述栅极层进行刻蚀形成栅极;以所述保护层图案为掩模,对所述有源层的第一区域进行导体化处理,所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域;以所述保护层图案为掩膜,对所述栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案;剥离所述保护层图案。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对所述保护层图案化形成保护层图案;以所述保护层图案为掩模,对所述栅极层进行刻蚀形成栅极;以所述保护层图案为掩模,对所述有源层的第一区域进行导体化处理,所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域;以所述保护层图案为掩膜,对所述栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案;剥离所述保护层图案。2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述以所述保护层图案为掩模,对所述有源层的第一区域进行导体化处理,所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域的步骤包括:对所述第一区域进行准分子激光照射。3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述对所述第一区域进行准分子激光照射的步骤包括:用氟化氪激光进行照射。4.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述对所述第一区域进行准分子激光照射的步骤包括:用氟化氩激光进行照射。5.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:章仟益
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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