一种芯片的制作方法技术

一种芯片的制作方法，涉及光电技术领域。包括：于基片表面开设凹陷部。对基片覆盖种子层，于芯片图形区制作芯片图形并于凹陷部的侧壁制作侧面图形。芯片图形区位于基片的表面并位于凹陷部的口部的边缘，每个凹陷部均对应设置至少一个芯片图形区。将多余的种子层去除，切割得到芯片，以使每个芯片的芯片图形区与凹陷部的侧壁一一对应。其大大简化了制作侧壁金属图形和正面金属图形时的流程和操作难度，并且能够尽可能避免侧壁金属图形和正面金属图发生错位，优化了侧壁金属图形和正面金属图之间的导通效果，提升了芯片质量和可靠性。

A method of making chips

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的制作方法
本专利技术涉及光电
，具体而言，涉及一种芯片的制作方法。
技术介绍
在芯片的生产过程中，对薄膜电路芯片而言，其侧壁金属图形与正面金属图形之间的导通效果对芯片而言非常关键，但是目前在生产过程中经常出现侧壁金属图形与正面金属图形导通不良或者出现错位(对不正)的问题，这些都对芯片质量造成了严重影响。虽然目前有一些能够对侧壁金属图形和正面金属图形的位置进行修正和优化的方法，但是其操作流程过于复杂，会严重拖慢生产进度，并且实施起来也很不方便。有鉴于此，特提出本申请。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片的制作方法，其大大简化了制作侧壁金属图形和正面金属图形时的流程和操作难度，并且能够尽可能避免侧壁金属图形和正面金属图发生错位，优化了侧壁金属图形和正面金属图之间的导通效果，提升了芯片质量和可靠性。本专利技术的实施例是这样实现的：一种芯片的制作方法，其包括：于基片表面开设凹陷部。对基片覆盖种子层，于芯片图形区制作芯片图形并于凹陷部的侧壁制作侧面图形。芯片图形区位于基片的表面并位于凹陷部的口部的边缘，每个凹陷部均对应设置至少一个芯片图形区。将多余的种子层去除，切割得到芯片，以使每个芯片的芯片图形区与凹陷部的侧壁一一对应。进一步地，对基片覆盖种子层包括：对基片的表面和凹陷部的侧壁同时覆盖种子层。进一步地，制作方法还包括对芯片图形区和凹陷部的侧壁的种子层进行加厚处理。进一步地，基片的厚度小于或等于0.6mm。种子层为金层。进一步地，凹陷部的口部具有过渡段，过渡段的内壁连接于基片的表面和凹陷部的侧壁之间。由凹陷部的口部指向其内部的方向，过渡段的内径递减。进一步地，种子层为膜系层。对基片覆盖种子层包括：对基片的表面和过渡段的内壁覆盖种子层。进一步地，于芯片图形区制作芯片图形包括：制作芯片图形并对芯片图形区进行金层加厚处理，再将芯片图形区和过渡段二者之外的区域的种子层的膜层去除。进一步地，于凹陷部的侧壁制作侧面图形包括：将制作好芯片图形的基片沿凹陷部切割以使凹陷部的侧壁暴露出来，对凹陷部的侧壁覆盖种子层并制作侧面图形得到具有膜系的图形结构，并对凹陷部的侧壁进行金层加厚处理。进一步地，将多余的种子层去除包括：将芯片图形区、过渡段和凹陷部的侧壁三者之外的区域的Ti层去除。进一步地，每个凹陷部均对应设置两个芯片图形区，两个芯片图形区位于凹陷部的相对两侧边缘，凹陷部的相对两侧的侧壁同两个芯片图形区一一对应。本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例提供的芯片的制作方法采取直接在基片表面开设凹陷部。通过在芯片图形区制作正面金属图形，在凹陷部的侧壁制作侧面金属图形，相当于利用了凹陷部作为参考基准，从而保证正面金属图形与侧面金属图形处于准确对应的位置。此外，侧壁在开设凹陷部时就制作完成，根据凹陷部的位置和大小，可以对芯片图形区的位置进行适应性调整(即可以以凹陷部为参考基准对正面金属图形和侧面金属图形的位置进行优化)，这样能够确保正面金属图形和侧面金属图形对应准确，避免发生错位。相比于“先制作正面金属图形再制作侧壁，再于侧壁上制作侧面金属图形”的方式相比，对侧壁的位置精度的要求大大降低，不会因为侧壁的位置略微偏移而直接导致侧面图形无法顺利制作的问题，同时也不会因为在制作侧壁的过程中意外将正面金属图形损伤，特别是在正面金属图形所在的表面和侧面金属图形所在的侧壁的交界处，不会因为他们的交界处的基片本体受损而影响到正面金属图形的质量。通过以上设计，不仅将制作难度和制作要求大大降低，同时还能够有效避免在制作过程中对正面金属图形和侧面金属图形造成意外损伤，在提高效率和简易度的同时还进一步保障了芯片质量。总体而言，本专利技术实施例提供的芯片的制作方法大大简化了制作侧壁金属图形和正面金属图形时的流程和操作难度，并且能够尽可能避免侧壁金属图形和正面金属图发生错位，优化了侧壁金属图形和正面金属图之间的导通效果，提升了芯片质量和可靠性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例1所提供的芯片的制作方法的中间过程示意图；图2为由本专利技术实施例1所提供的芯片的制作方法制得的芯片的结构示意图；图3为本专利技术实施例2所提供的芯片的制作方法的中间过程示意图；图4为图3中的基片附上种子层后的剖面结构示意图；图5为图4中的金层加厚之后的结构示意图；图6为图5中的多余的Au层和Pt层被去除后的结构示意图；图7为图3中的基片被切割呈条状之后的结构示意图；图8为由本专利技术实施例2所提供的芯片的制作方法制得的芯片的结构示意图；图9为在凹陷部的两侧均设置芯片图形区时的结构示意图；图10为采用另一种结构的过渡段时的结构示意图。图标：芯片100；基片110；凹陷部120；正面金属图形130；侧面金属图形140；芯片200；基片210；凹陷部220；正面金属图形230；侧面金属图形240；过渡段250。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。下面对本专利技术实施例提供的芯片的制作方法进行具体说明。本专利技术实施例提供的一种芯片的制作方法。该方法的一部分步骤包括：于基片表面开设凹陷部。对基片覆盖种子层，于芯片图形区制作芯片图形并于凹陷部的侧壁制作侧面图形。其中，芯片图形区位于基片的表面并位于凹陷部的口部的边缘，每个凹陷部均对应设置至少一个芯片图形区。将多余的种子层去除，切割得到芯片，以使每个芯片的芯片图形区与凹陷部的侧壁一一对应。在本专利技术实施例提供的制作方法中，采取直接在基片表面开设凹陷部。通过在芯片图形区制作正面金属图形，在凹陷部的侧壁制作侧面金属图形，相当于利用了凹陷部作为参考基准，从而保证正面金属图形与侧面金属图形处于准确对应的位置。此外，侧壁在开设凹陷部时就制作完成，根据凹陷部的位置和大小，可以对芯片图形区的位置进行适应性调整(即可以以凹陷部为参考基准对正面金属图形和侧面金属图形的位置进行优化)，这样能够确保正面金属图形和侧面金属图形对应准确，避免发生错位。相比于“先制作正面金属图形再制作侧壁，再于侧壁上制作侧面金属图形”的方式相比，对侧壁的位置精度的要求大大降低，不会因为侧壁的位置略微偏移而直接导致侧面图形无法顺利制作的问题，同时也不会因为在制作侧壁的过程中意外将正面金属图形损伤，特别是在正面金属图形所在的表面和侧面金属图形所在的侧壁的交界处，不会因为他们的交界处的基片本体受损而影响到正面金属图形的质量。通过以上设计，不仅将制作难度和制作要求大大降低，同时还能够有效避免在制作过程中对正面金属图形和侧面金属图形造成意外损伤，在提高效率和简易度的同时还进一步保障了芯片质量。其中，凹陷部可以是凹槽，也可以是贯穿基片的通孔，且不限于此。最后，当把正面金属图形和侧面金属图形均制作完毕后，就可以沿凹陷部对基片进行切割，得到芯片产品。需要说明的是，每个凹陷部均可以对应设置多个芯片图形区，为了避免增加不必要的工作量，我本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括：于基片表面开设凹陷部；对所述基片覆盖种子层，于芯片图形区制作芯片图形并于所述凹陷部的侧壁制作侧面图形；所述芯片图形区位于所述基片的表面并位于所述凹陷部的口部的边缘，每个所述凹陷部均对应设置至少一个所述芯片图形区；将多余的所述种子层去除，切割得到所述芯片，以使每个所述芯片的所述芯片图形区与所述凹陷部的侧壁一一对应。

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括：于基片表面开设凹陷部；对所述基片覆盖种子层，于芯片图形区制作芯片图形并于所述凹陷部的侧壁制作侧面图形；所述芯片图形区位于所述基片的表面并位于所述凹陷部的口部的边缘，每个所述凹陷部均对应设置至少一个所述芯片图形区；将多余的所述种子层去除，切割得到所述芯片，以使每个所述芯片的所述芯片图形区与所述凹陷部的侧壁一一对应。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述基片覆盖所述种子层包括：对所述基片的表面和所述凹陷部的侧壁同时覆盖所述种子层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括对所述芯片图形区和所述凹陷部的侧壁的所述种子层进行加厚处理。4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述基片的厚度小于或等于0.6mm；所述种子层为金层。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述凹陷部的口部具有过渡段，所述过渡段的内壁连接于所述基片的表面和所述凹陷部的侧壁之间；由所述凹陷部的口部指向其内部的方向，所述过渡段的内径递减。6.根据权利要求5所述的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚宏博，肖洋，
申请(专利权)人：四川科尔威光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51