晶片的生成方法技术

提供晶片的生成方法，将所生成的晶片的履历与六方晶单晶锭关联而可靠地残留在晶片上。晶片的生成方法包含如下工序：平坦化工序，对六方晶单晶锭(2)的端面进行平坦化；剥离层形成工序，从已平坦化的端面将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位于相当于要生成的晶片(56)的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层(28)；制造履历形成工序，将激光光线(LB’)的聚光点(FP’)定位于要生成的晶片的不形成器件的区域而对六方晶单晶锭照射激光光线(LB’)，在六方晶单晶锭的已平坦化的端面上形成制造履历(29)；以及晶片生成工序，以剥离层为起点将所要生成的晶片从六方晶单晶锭剥离而生成晶片。

【技术实现步骤摘要】
晶片的生成方法
本专利技术涉及晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话或个人计算机等电子设备。供器件形成的晶片通常是利用线切割机将圆柱形状的半导体锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将半导体锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，半导体锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是六方晶单晶SiC锭，其硬度高，难以利用线切割机切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且锭的单价高，在高效地生成晶片方面具有课题。因此，提出了下述技术：将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于六方晶单晶SiC锭的内部而对六方晶单晶SiC锭照射激光光线，在切断预定面形成剥离层，沿着形成有剥离层的切断预定面将晶片从六方晶单晶SiC锭剥离(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2000-94221号公报专利文献2：日本特开2013-49161号公报但是，存在如下的问题：从六方晶单晶锭生成的晶片的履历未必清楚，即使在对晶片形成器件的过程中在器件上产生缺陷，也无法追溯晶片的履历而追究器件的缺陷的原因。该问题在利用线切割机将六方晶单晶锭切断而生成晶片的情况下、或者在利用内圆锯将六方晶单晶锭切断而生成晶片的情况下均会产生，但存在难以将变得零散的晶片和六方晶单晶锭关联的问题。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供晶片的生成方法，能够将所生成的晶片的履历与六方晶单晶锭关联而可靠地残留在晶片上。根据本专利技术，提供晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：平坦化工序，对六方晶单晶锭的端面进行平坦化；剥离层形成工序，从已平坦化的该端面将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层；制造履历形成工序，将激光光线的聚光点定位于要生成的晶片的不形成器件的区域而对六方晶单晶锭照射激光光线，在六方晶单晶锭的已平坦化的该端面上形成制造履历；以及晶片生成工序，以剥离层为起点将所要生成的晶片从六方晶单晶锭剥离而生成晶片。优选在该制造履历形成工序中所形成的制造履历包含六方晶单晶锭的批号、所生成的晶片的顺序、制造年月日、制造工厂以及有助于生成的机型中的任意信息。优选六方晶单晶锭是六方晶单晶SiC锭，其具有第一端面、与该第一端面相反的一侧的第二端面、从该第一端面至该第二端面的c轴以及与该c轴垂直的c面，该c轴相对于该第一端面的垂线倾斜，通过该c面和该第一端面形成偏离角，在该剥离层形成工序中，将对于六方晶单晶SiC锭具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于距离该第一端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使六方晶单晶SiC锭与该聚光点在与形成有该偏离角的方向垂直的方向上相对地移动而形成直线状的改质层和从该改质层沿着该c面延伸的裂纹，并且使单晶SiC锭与该聚光点在形成有该偏离角的方向上相对地移动而按照规定的量进行转位进给，从而形成剥离层，其中，所述直线状的改质层按照如下的方式形成：使SiC分离成Si和C，接着照射的脉冲激光光线被之前形成的C吸收而使SiC连锁性地分离成Si和C，从而形成该直线状的改质层。根据本专利技术，能够将所生成的晶片的履历与六方晶单晶锭关联而可靠地残留在晶片上，从而能够在形成器件的过程中对晶片的履历进行确认。另外，当在器件上产生缺陷的情况下，能够追溯至六方晶单晶锭而追究器件的缺陷的原因，能够有助于防止缺陷再次发生。附图说明图1的(a)是SiC锭的主视图，图1的(b)是SiC锭的俯视图。图2的(a)是SiC锭和基质的立体图，图2的(b)是示出在SiC锭上安装有基质的状态的立体图。图3是示出在激光加工装置的卡盘工作台上载置SiC锭的状态的立体图。图4的(a)是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图，图4的(b)是示出实施剥离层形成工序的状态的主视图。图5的(a)是形成有剥离层的SiC锭的俯视图，图5的(b)是图5的(a)中的B-B线剖视图。图6的(a)是示出实施制造履历形成工序的状态的立体图，图6的(b)是示出实施制造履历形成工序的状态的主视图。图7是剥离装置的立体图。图8是示出实施晶片生成工序的状态的剥离装置的剖视图。图9是示出从SiC锭剥离了晶片的状态的立体图。图10是示出实施平坦化工序的状态的立体图。标号说明2：锭；4：第一端面；6：第二端面；8：周面；10：垂线；24：改质层；26：裂纹；28：剥离层；29：制造履历；56：晶片；α：偏离角；A：形成有偏离角的方向。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的晶片的生成方法的实施方式进行说明。在图1中示出可实施本专利技术的晶片的生成方法的六方晶单晶SiC锭(以下简称为锭)2。锭2由六方晶单晶SiC整体形成为圆柱形状，锭2具有：圆形状的第一端面4；与第一端面4相反的一侧的圆形状的第二端面6；位于第一端面4和第二端面6之间的周面8；从第一端面4至第二端面6的c轴(＜0001＞方向)；以及与c轴垂直的c面({0001}面)。在锭2中，c轴相对于第一端面4的垂线10倾斜，通过c面和第一端面4形成有偏离角α(例如α＝1度、3度、6度)。将形成有偏离角α的方向用图1中箭头A表示。另外，在锭2的周面8上形成有表示晶体取向的矩形状的第一定向平面12和第二定向平面14。第一定向平面12与形成有偏离角α的方向A平行，第二定向平面14与形成有偏离角α的方向A垂直。如图1的(b)所示，从上方观察，第二定向平面14的长度L2比第一定向平面12的长度L1短(L2＜L1)。另外，可实施本专利技术的晶片的生成方法的锭不限于上述锭2，也可以是c轴相对于第一端面的垂线不倾斜、c面与第一端面的偏离角α为0度(即，第一端面的垂线与c轴一致)的SiC锭，或者也可以是由GaN(氮化镓)等六方晶单晶SiC以外的原材料形成的六方晶单晶锭。在本实施方式中，首先如图2所示，实施基质安装工序，在锭2的第二端面6上借助适当的粘接剂而安装圆板状的基质16。实施基质安装工序是为了通过后述的各装置的圆形的吸附卡盘按照规定的吸引力对形成有第一定向平面12和第二定向平面14的锭2进行吸引保持。基质16的直径略大于后述的各装置的吸附卡盘的直径，因此在将基质16朝向下方而将锭2载置于吸附卡盘时，吸附卡盘被基质16覆盖，因此能够通过吸附卡盘按照规定的吸引力对形成有第一定向平面12和第二定向平面14的锭2进行吸引保持。另外，在锭2的直径大于吸附卡盘并且锭2被载置于吸附卡盘时，吸附卡盘的整个上表面被锭2覆盖，在该情况下，当利用吸附卡盘进行吸引时，不会从吸附卡盘的露出部分吸入空气，从而能够通过吸附卡盘按照规定的吸引力对锭2进行吸附，因此也可以不在锭2上安装基质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：平坦化工序，对六方晶单晶锭的端面进行平坦化；剥离层形成工序，从已平坦化的该端面将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层；制造履历形成工序，将激光光线的聚光点定位于要生成的晶片的不形成器件的区域而对六方晶单晶锭照射激光光线，在六方晶单晶锭的已平坦化的该端面上形成制造履历；以及晶片生成工序，以剥离层为起点将所要生成的晶片从六方晶单晶锭剥离而生成晶片。

【技术特征摘要】
2018.04.03 JP 2018-0716531.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：平坦化工序，对六方晶单晶锭的端面进行平坦化；剥离层形成工序，从已平坦化的该端面将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层；制造履历形成工序，将激光光线的聚光点定位于要生成的晶片的不形成器件的区域而对六方晶单晶锭照射激光光线，在六方晶单晶锭的已平坦化的该端面上形成制造履历；以及晶片生成工序，以剥离层为起点将所要生成的晶片从六方晶单晶锭剥离而生成晶片。2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，在该制造履历形成工序中所形成的制造履历包含六方晶单晶锭的批号、所生成的晶片的顺序、制造年月日、制造工厂以及有助于生成的机型中的任意信...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，山本凉兵，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP