电子照相感光体、充正电用电子照相感光体、处理盒和图像形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电子照相感光体、充正电用电子照相感光体、处理盒和图像形成装置。本发明专利技术的电子照相感光体包括：导电基材；设置在所述导电基材上的单层型感光层；设置在所述单层型感光层上的无机保护层；其中，介于所述导电基材和所述无机保护层之间的层的总厚度为10μm至25μm。

【技术实现步骤摘要】
电子照相感光体、充正电用电子照相感光体、处理盒和图像形成装置
本专利技术涉及电子照相感光体、充正电用电子照相感光体、处理盒和图像形成装置。
技术介绍
专利文献1描述了一种电子照相感光体，其包括导电基材、有机感光层和无机保护层，其中所述有机感光层设置在所述导电基材上，并且在与所述无机保护层接触的一侧的区域中至少包含电荷输送材料和体积平均粒径为20nm至200nm的二氧化硅颗粒，所述无机保护层设置为与所述有机感光层的表面接触。专利文献2描述了一种电子照相感光体，其包括基材、底涂层和感光层，其中所述底涂层是从基材侧起依次含有氧和镓的气相沉积膜，且具有28原子％至40原子％的镓含量。引用列表专利文献专利文献1：日本专利第5994708号专利文献2：日本专利第5509764号
技术实现思路
例如，在包含无机保护层的电子照相感光体中，诸如载体等硬质材料在电子照相感光体的表面上移动，并介于电子照相感光体和与电子照相感光体接触的部件之间。因此，无机保护层可能会出现凹痕。本专利技术的一个目的是提供包含单层型感光层和无机保护层的电子照相感光体，其中，与介于导电基材和无机保护层之间的层的总膜厚度超过25μm的情况相比，能够抑制无机保护层的凹痕的出现。这里，无机保护层中出现的“凹痕”是圆形或椭圆形凹部，最大直径为50μm以下。上述问题通过下述手段解决。<1>根据本专利技术的一个方面，提供了一种电子照相感光体，其包括：导电基材；设置在所述导电基材上的单层型感光层；设置在所述单层型感光层上的无机保护层；其中，介于所述导电基材和所述无机保护层之间的层的总厚度为10μm至25μm。<2>如<1>所述的电子照相感光体，其中，所述单层型感光层包含粘合剂树脂、电荷生成材料、空穴输送材料、电子输送材料和二氧化硅颗粒。<3>如<2>所述的电子照相感光体，其中，所述单层型感光层中的所述二氧化硅颗粒的含量为40质量％至70质量％。<4>如<1>至<3>中任一项所述的电子照相感光体，其中，所述无机保护层的厚度A与介于所述导电基材和所述无机保护层之间的层的总厚度B的比率(A/B)为0.12以上。<5>如<1>至<4>中任一项所述的电子照相感光体，其中，所述无机保护层由包含第13族元素和氧的金属氧化物层构成。<6>如<5>所述的电子照相感光体，其中，所述金属氧化物层包含氧化镓。<7>一种处理盒，其能够从图像形成装置上拆卸，并且包括：<1>至<6>中任一项所述的电子照相感光体。<8>一种图像形成装置，其包括：<1>至<6>中任一项所述的电子照相感光体；充电单元，其对所述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像；显影单元，其利用包含色调剂的显影剂将在所述电子照相感光体的表面上形成的所述静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印单元，其将所述色调剂图像转印至记录介质的表面上。<9>一种充正电用电子照相感光体，其包括：导电基材；设置在所述导电基材上的有机感光层；和设置在所述有机感光层上的无机保护层，所述无机保护层包含第13族元素和氧，其中，所述第13族元素和氧相对于构成所述无机保护层的所有元素的元素组成比之和为0.70以上，并且所述无机保护层在所述有机感光层上依次包含至少一个下述区域的组合：第一区域，其中，氧与所述第13族元素的元素比(氧/13族元素)为1.10至1.30；和第二区域，其中，氧与所述第13族元素的元素比(氧/13族元素)为1.40至1.50，其中，所述第二区域是所述无机保护层的最上层。<10>一种充正电用电子照相感光体，其包括：导电基材；设置在所述导电基材上的有机感光层；和设置在所述有机感光层上的无机保护层，所述无机保护层包含第13族元素和氧，其中，所述第13族元素和氧相对于构成所述无机保护层的所有元素的元素组成比之和为0.70以上，并且所述无机保护层在所述有机感光层上依次包含至少一个下述区域的组合：第一区域，其体积电阻率为2.0×107Ωcm至1.0×1010Ωcm；和第二区域，其体积电阻率为2.0×1010Ωcm以上，其中，所述第二区域是所述无机保护层的最上层。<11>如<9>或<10>所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述第13族元素是镓。<12>如<9>至<11>中任一项所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度。<13>如<12>所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度之比(所述第二区域的厚度/所述第一区域的厚度)为3至100。<14>如<12>或<13>所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述第一区域的厚度为0.01μm至0.5μm，所述第二区域的厚度为0.3μm至3.5μm。<15>如<9>至<14>中任一项所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述无机保护层的整体厚度为3μm至10μm。<16>如<15>所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述无机保护层的整体厚度为3μm至6μm。<17>如<9>至<16>中任一项所述的充正电用电子照相感光体，其中，依次形成的所述第一区域和所述第二区域的组合进行重复堆叠。<18>如<17>所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述第一区域和所述第二区域的组合的数目为1至10。<19>如<9>至<18>中任一项所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述有机感光层包括含有电荷输送材料、粘合剂树脂和二氧化硅颗粒的层。<20>如<19>所述的充正电用电子照相感光体，其中，相对于含有所述电荷输送材料、所述粘合剂树脂和所述二氧化硅颗粒的整个层，所述二氧化硅颗粒的含量为40质量％至80质量％。<21>如<9>至<20>中任一项所述的充正电用电子照相感光体，其中，所述导电基材的厚度为1.5μm以上。<22>一种处理盒，其能够从图像形成装置上拆卸，所述处理盒包括：<9>至<21>中任一项所述的电子照相感光体。<23>一种图像形成装置，其包括：<9>至<21>中任一项所述的电子照相感光体；充电单元，其对所述充正电用电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成单元，其在所述充正电用电子照相感光体的表面上形成静电潜像；显影单元，其利用包含色调剂的显影剂将在所述充正电用电子照相感光体的表面上形成的所述静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印单元，其将所述色调剂图像转印至记录介质的表面上。本专利技术的有利效果<1>、<5>或<6>的实施方式提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子照相感光体，其包括：导电基材；设置在所述导电基材上的单层型感光层；设置在所述单层型感光层上的无机保护层；其中，介于所述导电基材和所述无机保护层之间的层的总厚度为10μm至25μm。

【技术特征摘要】
2018.04.03 JP 2018-071954;2018.04.19 JP 2018-080711.一种电子照相感光体，其包括：导电基材；设置在所述导电基材上的单层型感光层；设置在所述单层型感光层上的无机保护层；其中，介于所述导电基材和所述无机保护层之间的层的总厚度为10μm至25μm。2.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述单层型感光层包含粘合剂树脂、电荷生成材料、空穴输送材料、电子输送材料和二氧化硅颗粒。3.如权利要求2所述的电子照相感光体，其中，所述单层型感光层中的所述二氧化硅颗粒的含量为40质量％至70质量％。4.如权利要求1至3中任一项所述的电子照相感光体，其中，所述无机保护层的厚度A与介于所述导电基材和所述无机保护层之间的所述层的总厚度B的比率(A/B)为0.12以上。5.如权利要求1至4中任一项所述的电子照相感光体，其中，所述无机保护层由包含第13族元素和氧的金属氧化物层构成。6.如权利要求5所述的电子照相感光体，其中，所述金属氧化物层包含氧化镓。7.一种处理盒，其能够从图像形成装置上拆卸，并且包括：权利要求1至6中任一项所述的电子照相感光体。8.一种图像形成装置，其包括：权利要求1至6中任一项所述的电子照相感光体；充电单元，所述充电单元对所述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成单元，所述静电潜像形成单元在所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像；显影单元，所述显影单元利用包含色调剂的显影剂将在所述电子照相感光体的表面上形成的所述静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印单元，所述转印单元将所述色调剂图像转印至记录介质的表面上。9.一种充正电用电子照相感光体，其包括：导电基材；设置在所述导电基材上的有机感光层；和设置在所述有机感光层上的无机保护层，所述无机保护层包含第13族元素和氧，其中，所述第13族元素和氧相对于构成所述无机保护层的所有元素的元素组成比之和为0.70以上，并且所述无机保护层在所述有机感光层上依次包含至少一个下述区域的组合：第一区域，其中，氧与所述第13族元素的元素比(氧/第13族元素)为1.10至1.30；和第二区域，其中，氧与所述第13族元素的元素比(氧/第13族元素)为1.40至1.50，其中，所述第二区域是所述无机保护层的最上层。10.一种充正电用电子照相感光体，其包括：导电基材；设置在所述导电基材上的有机感光层；和设置在所述有机感光层上的无机保护层，所述无机保护层包含第13族元素和氧，其中，所述第13族元素和氧相...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟越诚之，岩永刚，平方昌记，胜原秀弥，木越阳一，川畑幸美，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP