曝光装置和制造物品的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及曝光装置和制造物品的方法。本发明专利技术提供了一种曝光装置，所述曝光装置包括被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记的形成单元，以及控制单元，该控制单元被配置为通过基于标记的测量位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，其中，在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前，控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理，以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。

【技术实现步骤摘要】
曝光装置和制造物品的方法
本专利技术涉及一种曝光装置和制造物品的方法。
技术介绍
当要通过使用光刻技术制造设备(半导体设备，液晶显示设备，薄膜磁头等)时，使用曝光装置，该曝光装置通过经由投影光学系统将掩模(中间掩模(reticle))的图案投影到已经涂覆有光致抗蚀剂的基板上，来将该图案转印到涂覆有光致抗蚀剂的基板。近年，在日本专利公报第11-307449号中已经提出了一种曝光装置，该曝光装置通过在单层上多次执行曝光处理并在不执行显影处理的情况下将在各个曝光处理中形成的潜像图案加起来，来形成单层图案。在这种曝光装置中，在执行第一曝光处理之前形成对准(AMF：AlignmentMarkFormer，对准标记形成器)标记，并且基于这些对准标记来管理(控制)在各个曝光处理中形成的潜像图案的相对位置。在曝光装置中，可能存在在基板上涂覆的光致抗蚀剂(即，抗蚀剂膜)中或在曝光处理时的曝光条件(曝光状态)中发生异常的情况。在这种情况下，执行从基板去除已经涂覆的抗蚀剂膜并在基板上再次涂覆(再次生成)抗蚀剂膜的处理，以防止在从该基板制造的设备中产生缺陷。这种经过抗蚀剂膜再次生成的基板被称为“返工基板(reworkedsubstrate)”并被再次使用。然而，在一些情况下，在返工之前形成的对准标记的影响可能会保留在返工的基板中。这是因为由于对准标记的形成而导致基板表面的性质可能已经改变。因此，由于在返工之前形成的对准标记的影响，在返工基板上再次形成的对准标记的检测精度会降低，并且会变得无法检测再次形成的对准标记。
技术实现思路
本专利技术提供一种有利于再次使用返工基板的曝光装置。根据本专利技术的第一方面，提供了一种曝光装置，所述曝光装置包括：形成单元，被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记；测量单元，被配置为测量由形成单元形成的标记的位置；以及控制单元，被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，其中，在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前，控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理，以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。根据本专利技术的第二方面，提供了一种曝光装置，所述曝光装置包括：形成单元，被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记；测量单元，被配置为测量由形成单元形成的标记的位置；以及控制单元，被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，其中，控制单元确定测量单元是否能够测量到形成在抗蚀剂膜上的第一标记的位置，当测量单元不能测量到第一标记的位置时，控制形成单元在抗蚀剂膜上的偏离第一标记的位置的位置处形成第二标记，并且基于由测量单元测量的第二标记的位置来控制曝光处理。根据本专利技术的第三方面，提供一种制造物品的方法，所述制造方法包括：通过使用曝光装置将基板曝光；将经曝光的基板显影；以及从经显影的基板制造物品，其中，所述曝光装置包括：形成单元，被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记，测量单元，被配置为测量由形成单元形成的标记的位置，以及控制单元，被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，其中，在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前，控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理，以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。根据本专利技术的第四方面，提供一种制造物品的方法，所述制造方法包括：通过使用曝光装置将基板曝光；将经曝光的基板显影；以及从经显影的基板制造物品，其中，所述曝光装置包括：形成单元，被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记；测量单元，被配置为测量由形成单元形成的标记的位置；以及控制单元，被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，其中，控制单元确定测量单元是否能够测量到形成在抗蚀剂膜上的第一标记的位置，当测量单元不能测量到第一标记的位置时，控制形成单元在抗蚀剂膜上的偏离第一标记的位置的位置处形成第二标记，并且基于由测量单元测量的第二标记的位置来控制曝光处理。根据下面参照附图对示例性实施例的描述，本专利技术的其他方面将变得清晰。附图说明图1是示出作为本专利技术的一个方面的曝光装置的布置的示意图。图2是用于解释在图1所示的曝光装置中执行的基本曝光处理的流程图。图3A至图3D是用于解释图2所示的曝光处理中的步骤S203、S204、S205和S209的细节的图。图4A至图4F是用于解释根据第一实施例的对返工基板执行的曝光处理的图。图5是示出返工基板上的标记迹线和在返工基板上形成的AMF标记的图。图6是用于解释根据第二实施例的对返工基板执行的处理的流程图。图7是示出根据第三实施例的对返工基板执行的曝光处理的概念的图。图8是用于解释根据第三实施例的对返工基板执行的曝光处理的流程图。具体实施方式下面将参照附图描述本专利技术的优选实施例。注意，在所有附图中，相同的附图标记表示相同的构件，并且将不给出其重复描述。<第一实施例>图1是示出作为本专利技术的一个方面的曝光装置1的布置的示意图。曝光装置1是在光刻工艺中使用的光刻装置，光刻工艺是诸如半导体设备或液晶显示设备的设备的制造工艺。曝光装置1通过经由投影光学系统将掩模图案投影到基板上的抗蚀剂膜上，执行曝光处理，其中在基板上的抗蚀剂膜(光致抗蚀剂)上形成潜像(潜像图案)。如图1所示，曝光装置1包括照明光学系统12、掩模台架14、投影光学系统15、基板台架17、标记形成单元18、标记测量单元19和控制单元20。照明光学系统12通过使用来自光源11的光照射掩模13。掩模台架14是可以在保持掩模13的同时移动的台架。投影光学系统15通过将已经被照明光学系统12照射的掩模13的图案投影到基板上，在基板上的抗蚀剂膜上形成潜像图案。基板台架17是可以在保持基板16的同时移动的台架。标记形成单元18在基板上的抗蚀剂膜上形成对准标记(以下称为“AMF(AlignmentMarkFormer，对准标记形成器)标记”)。标记测量单元19通过检测在基板上的抗蚀剂膜上形成的AMF标记来测量各AMF标记的位置。控制单元20由例如包括CPU、存储器等的计算机形成，并且通常根据存储在存储单元中的程序控制曝光装置1的各单元。将参照图2描述在曝光装置1中执行的基本曝光处理。这里将举例解释这样的情况，其中，通过对单层执行两次(多次)曝光处理，并在不执行显影处理的情况下将在各个曝光处理中形成的潜像图案加起来以形成单层图案。在这种情况下，在执行第一曝光处理之前在基板上的抗蚀剂膜上形成AMF标记，并且将通过使用AMF标记为参考来控制(管理)在各个曝光处理中要形成的潜像图案的相对位置。在步骤S201中，将掩模13装载到曝光装置1中。更具体地，掩模传送装置(未示出)取出储存在掩模储存架中的掩模13，并将掩模13装载到曝光装置1中，以使掩模台架14保持掩模。在步骤S202中，将基板16装载到曝光装置1中。更具体地，基板传送装置(未示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括：形成单元，被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记；测量单元，被配置为测量由形成单元形成的标记的位置；以及控制单元，被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，其中，在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前，控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理，以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。

【技术特征摘要】
2018.04.03 JP 2018-0719191.一种曝光装置，其特征在于，包括：形成单元，被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记；测量单元，被配置为测量由形成单元形成的标记的位置；以及控制单元，被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，其中，在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前，控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理，以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。2.根据权利要求1所述的装置，其中，在形成处理中，控制单元使形成单元在第二抗蚀剂膜上形成至少三个第二标记。3.根据权利要求2所述的装置，其中，控制单元执行形成处理，使得要形成在第二抗蚀剂膜上的所述至少三个第二标记之间的距离将长于预先确定的距离。4.根据权利要求1所述的装置，其中，在形成处理中，控制单元使形成单元在第二抗蚀剂膜上形成多个第二标记，所述多个第二标记的数量等于在第一抗蚀剂膜上形成的多个第一标记的数量。5.根据权利要求4所述的装置，其中，控制单元执行形成处理，使得要在第二抗蚀剂膜上形成的所述多个第二标记之间的相对距离等于在第一抗蚀剂膜上形成的所述多个第一标记之间的相对距离。6.根据权利要求1所述的装置，其中，在形成处理中，控制单元使形成单元在第二抗蚀剂膜上形成第二标记，以使在返工基板上第二标记的位置与第一标记的位置不重叠。7.根据权利要求1所述的装置，其中，在形成处理中，控制单元使形成单元在第二抗蚀剂膜上形成第二标记，使得形成在第一抗蚀剂膜上的第一标记的位置落在当要通过测量单元测量第二标记的位置时测量单元的测量范围之外。8.根据权利要求1所述的装置，其中，形成单元通过使用与用于形成潜像的光的波长不同的波长的光在第二抗蚀剂膜上形成第二标记。9.根据权利要求1所述的装置，其中，第一标记是通过形成单元在第一抗蚀剂膜上形成的。10.根据权利要求1所述的装置，其中，第一标记由与所述曝光装置不同的装置形成，并且控制单元从其他装置获得与在第一抗蚀剂膜上形成的第一标记的...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田丰，玉置公寿，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP