蒙版框架、蒙版和蒙版框架的制备方法技术

本发明专利技术涉及蒙版框架及其制备方法、以及蒙版，所述蒙版框架具备：框架基材、在上述框架基材的表面形成的厚度为2.0~7.5μm的黑色的阳极氧化被膜、和在上述阳极氧化被膜上形成的透明的聚合物电沉积涂膜，所述蒙版具备：该蒙版框架、和在上述蒙版框架的一个端面设置的蒙版膜。

【技术实现步骤摘要】
蒙版框架、蒙版和蒙版框架的制备方法
本专利技术涉及在半导体器件或液晶显示器的制备中用作光掩模除尘的平板印刷用蒙版(pellicle)、构成该蒙版的蒙版框架(pellicleframe)、和蒙版框架的制备方法。
技术介绍
在LSI、超LSI等半导体器件或液晶显示器等的制备中，采用对半导体晶片或液晶用底版(原板)照射光来形成图案的照相平板印刷技术。在该照相平板印刷工序中，在光掩模(曝光底版)附着尘土的情况下，尘土会吸收光，或扭曲光。其结果，有转印的图案变形、边缘粗糙、基底污黑等尺寸、品质、外观受损的问题。因此，这些操作通常在洁净室中进行，但即使在洁净室内也难以使光掩模完全保持清洁。因此，为了除尘，通常在光掩模的表面安装良好地透过曝光的光的蒙版。由此，尘土不直接附着在光掩模的表面而附着在蒙版膜上。因此，若在曝光时事先使焦点与光掩模上的图案重合，则蒙版膜上的尘土与转印无关。将通常的蒙版的结构示于图2中。该蒙版在蒙版框架102的上端面通过粘接剂103铺设良好地透过曝光的光的蒙版膜101，在蒙版框架102的下端面形成用于将蒙版粘贴在光掩模105上的粘结剂层104。另外，在粘结剂层104的下端面，也可设置能够剥离的用于保护粘结剂层104的隔膜(未图示)。按照覆盖在光掩模的表面形成的图案区域106来设置这样的蒙版。因此，通过蒙版将该图案区域106与外部隔离，防止尘土附着在光掩模上。近年来，LSI的设计规则逐渐精细化至亚四分之一微米。与之相伴的是，作为污染抑制对象的粒子(パーティクル)尺寸也进一步变小。另外，曝光光源的波长也短波长化，变得容易产生因曝光而引起模糊(ヘイズ，haze)的微小粒子。其原因在于，由于光的能量因曝光的短波长化而变大，所以在曝光气氛中存在的气态物质反应，在掩模基板上生成反应产物。例如，在用于蒙版框架的铝合金表面的阳极氧化被膜中掺入硫酸、硝酸、有机酸等酸。它们在曝光环境下从框架表面的阳极氧化被膜中脱离，滞留在蒙版与掩模之间的空间。通过在该状态下照射曝光时的短波长紫外线，产生硫酸化合物、例如硫酸铵等。因此，由于现有的实施耐酸铝处理(阳极氧化处理)的框架含有硫酸根离子，所以逐渐被敬而远之。于是，例如在专利文献1中，作为无硫酸根离子洗脱的框架，提出了实施聚合物涂覆(ポリマーコート)的蒙版。在该文献中，作为聚合物涂覆，公开了使用通过黑色颜料着色的消光涂料的黑色消光电沉积涂料膜。另外，专利文献2公开了在由铝合金构成的框架基材表面形成纯铝被膜，进而在实施阳极氧化处理和黑色染色后，通过电沉积涂装形成透明的丙烯酸树脂被膜的蒙版框架。该纯铝被膜用于覆盖被误认为蒙版框架表面异物的导致亮点(缺陷)的铝合金表面的结晶物，提高蒙版的外观品质或可靠性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-333910号公报；专利文献2：日本特开2014-206661号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在照相平板印刷的曝光工序中，通常按照不对蒙版框架照射曝光的光来设定，但在图案边缘等的反射或折射光的一部分有可能作为杂射光照射至蒙版框架的内侧面。在这样的杂射光照射至如专利文献1所记载的实施聚合物涂覆的蒙版框架的内侧面的情况下，有聚合物涂覆层(ポリマーコート層)被蚀刻，且分散于其中的颜料微粒等脱落之虞。需说明的是，认为照射至蒙版框架的内侧面的杂射光最大为照射至光掩模图案区域的ArF激光强度的约1.5%左右。目前，由于ArF用蒙版膜的耐光性要求为100000J左右，所以蒙版框架的内侧面所要求的耐光性相当于1500J。另一方面，在形成阳极氧化被膜的框架基材上通过电沉积涂装形成涂膜的情况下，有时难以形成均匀的涂膜，成品率显著降低。认为这是由于阳极氧化被膜为非导电性的缘故。另外，在电沉积涂膜的厚度的不均匀性较轻微的情况下，该不均匀部分的检测变得困难，利用外观检查的不合格品的检测变得困难。在这种情况下，在膜厚变薄的部位，也有可能受到由曝光的光导致的损伤，阳极氧化被膜露出，导致产生模糊。因此，本专利技术的目的在于，提供在照相平板印刷的曝光工序中，即使在杂射光照射至蒙版框架的内侧面的情况下，也不因酸的脱离等而污染光掩模，抑制被误认为异物的表面缺陷的产生，容易进行外观检查的蒙版框架，和含有该蒙版框架的蒙版。另外，本专利技术的目的还在于，提供成品率良好地制备该蒙版框架的方法。用于解决课题的手段本专利技术人为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，若以较小的厚度将阳极氧化被膜设为特定的范围，进而在该阳极氧化被膜上设置透明的聚合物电沉积涂膜，则可解决该课题，从而想到了本专利技术。即，本专利技术如下所述。[1]蒙版框架，其具备：框架基材、在上述框架基材的表面形成的厚度为2.0~7.5μm的黑色的阳极氧化被膜、和在上述阳极氧化被膜上形成的透明的聚合物电沉积涂膜。[2][1]所述的蒙版框架，其中，上述透明的聚合物电沉积涂膜不含有不均匀地存在于该透明的聚合物电沉积涂膜中的不均匀成分。[3][1]或[2]所述的蒙版框架，其中，上述透明的聚合物电沉积涂膜不含有染料。[4][1]~[3]中任一项所述的蒙版框架，其中，上述透明的聚合物电沉积涂膜的可见光透过率超过50%。[5]蒙版，其具备：[1]~[4]中任一项所述的蒙版框架、和在上述蒙版框架的一个端面设置的蒙版膜。[6]蒙版框架的制备方法，其依次包括：在框架基材的表面形成厚度为2.0~7.5μm的阳极氧化被膜的工序、将上述阳极氧化被膜着色为黑色的工序、和在上述阳极氧化被膜上形成透明的聚合物电沉积涂膜的工序。专利技术效果根据本专利技术，可提供蒙版框架和含有该蒙版框架的蒙版，所述蒙版框架为：在照相平板印刷的曝光工序中，即使在杂射光照射至蒙版框架的内侧面的情况下，也不因酸的脱离等污染光掩模，抑制被误认为异物的表面缺陷的产生，容易进行外观检查。另外，可提供成品率良好地制备该蒙版框架的方法。此外，与现有结构的实施聚合物涂覆的蒙版框架比较，可增大曝光的光的照射量，或增大所使用的曝光的光的能量。附图简述[图1]是本专利技术的一个方式所涉及的蒙版的截面示意图。[图2]是表示现有的蒙版的通常结构的截面示意图。具体实施方式以下，详细地说明本专利技术的实施方式，但本专利技术并不限定于这些。[1]蒙版框架本实施方式所涉及的蒙版框架具备：框架基材、在框架基材的表面形成的厚度为2.0~7.5μm的黑色的阳极氧化被膜、和在阳极氧化被膜上形成的透明的聚合物电沉积涂膜。(框架基材)作为蒙版框架的框架基材，可使用能够形成阳极氧化被膜的材料。其中，从强度、刚性、轻量、加工性、成本等方面出发，优选使用铝和铝合金。作为铝合金，可列举出JISA7075、JISA6061、JISA5052等。(阳极氧化被膜)阳极氧化被膜为将框架基材的表面电解处理得到的被膜，在本专利技术的情况下，特指耐酸铝(アルマイト，alumite)被膜。阳极氧化被膜的厚度为2.0~7.5μm，优选为2.0~7.0μm，更优选为3.0~5.0μm。通常的蒙版框架的阳极氧化被膜的厚度为约10μm，但在本实施方式中减小该膜厚。这样，被膜电阻不会过度升高，因此在此后工序中可实施膜厚均匀的聚合物电沉积涂装。特别是通过设为7.5μm以下，可抑制蒙版框架的色斑，即由透明的聚合物电沉积涂膜的膜厚不均匀引起的黑色色调的不同。另外，可抑制蒙版框架的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.蒙版框架，其具备：框架基材、在上述框架基材的表面形成的厚度为2.0~7.5μm的黑色的阳极氧化被膜、和在上述阳极氧化被膜上形成的透明的聚合物电沉积涂膜。

【技术特征摘要】
2018.04.03 JP 2018-0715681.蒙版框架，其具备：框架基材、在上述框架基材的表面形成的厚度为2.0~7.5μm的黑色的阳极氧化被膜、和在上述阳极氧化被膜上形成的透明的聚合物电沉积涂膜。2.权利要求1所述的蒙版框架，其中，上述透明的聚合物电沉积涂膜不含有不均匀地存在于该透明的聚合物电沉积涂膜中的不均匀成分。3.权利要求所述1或2的蒙版框架，其中，上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨田裕一，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP