一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法及其应用技术

本发明专利技术提供一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法及其应用，包括以下步骤：步骤S1：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上涂布光阻形成光阻层；步骤S2：在所述光阻层上形成光阻凹槽；步骤S3：将黑色矩阵光阻填充入所述光阻凹槽；步骤S4：对所述黑色矩阵光阻进行曝光得到黑色矩阵。本发明专利技术提供一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法，能够使得黑色矩阵线宽变细、锥角变高，满足高分辨率的需求，有助于提高产品开口率；另一方面由于减少了显影制程，使得方法操作简便，无制程难点，容易实现，并且减少了显影制程带来的锥角低或者发生底切以及剥落的问题。

Preparation and application of black matrix on glass substrate

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法及其应用
本专利技术涉及显示面板
，特别涉及一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法及其应用。
技术介绍
TFT-LCD面板组成中的CF(ColorFilter)彩色滤光片是由排列成矩阵的众多像素构成，而每个像素又由红(R)、绿(G)、蓝(B)三个子像素组成，为了防止各色子像素发生混色，通常使用黑色矩阵(BlackMatrix)进行分隔。随着像素技术的发展，8K、16K等高分辨率(PPI)显示技术相继出现，这就要求其中像素的数量增多，尺寸减少，同时用于分隔彩色滤光片的黑色矩阵的线宽也需要设计的更小。为满足高分辨率的技术需求，制备的细线宽的黑色矩阵也需要有较高的锥角(TaperAngle)，原因是避免低锥角引起的开口率降低的问题。一直以来，提高像素开口率一直是液晶显示行业的技术追求，常用的技术方案有多种，如利用铜配线代替铝配线来降低电阻率；采用COA或BOA技术，防止黑色矩阵遮光区域或彩膜发生位移、对准不佳导致开口率降低。这些方案均可以提高像素开口率，从而实现高透过率的目的。除此之外，制备细线宽、高锥角的黑色矩阵不仅可以满足高分辨率的需求，同时也可以在一定程度上提升开口率，从而增加面板透过率，节省成本。现有技术中黑色矩阵主要依照光刻工艺来获得，首先使用负性光阻进行涂布成膜，再经过光罩进行曝光制程，曝光的部分发生固化不与显影液反应，经过显影制程后被保留，最后经过后烘烤制程得到最终图案。但由于负性光阻分辨率低，以及制程工艺存在瓶颈等问题，通常制备得到的黑色矩阵会存在线宽较大，锥角较低等问题。因此，确有必要来开发一种新型的黑色矩阵的制备方法，以克服现有技术的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法，其能够解决现有技术中黑色矩阵线宽较大、锥角较低等问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上涂布光阻形成光阻层；步骤S2：在所述光阻层上形成光阻凹槽；步骤S3：将黑色矩阵光阻填充入所述光阻凹槽；步骤S4：对所述黑色矩阵光阻进行曝光得到黑色矩阵。进一步的，在其他实施方式中，其中所述步骤1中的所述光阻为正性光阻，所述步骤S2中所述光阻凹槽是通过光刻制程形成的。进一步的，在其他实施方式中，其中所述步骤1中的所述光阻为正性光阻，所述步骤S2中所述光阻凹槽是通过激光切割形成的。进一步的，在其他实施方式中，所述步骤1中的所述光阻为负性光阻，所述步骤S2中所述光阻凹槽是通过光刻制程形成的。进一步的，在其他实施方式中，其中所述步骤1中的所述光阻为负性光阻，所述步骤S2中所述光阻凹槽是通过激光切割形成的。进一步的，在其他实施方式中，其中所述光阻凹槽的剖面形状为矩形形状。进一步的，在其他实施方式中，其中所述光阻凹槽的宽度小于10微米。进一步的，在其他实施方式中，其中所所述步骤S3中所述黑色矩阵光阻是通过喷墨打印的方式填充入所述光阻凹槽。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种玻璃基板，其上设置有黑色矩阵；其中所述黑色矩阵是根据本专利技术涉及的所述制备方法制备形成。进一步的，在其他实施方式中，其中所述黑色矩阵的锥角为90度。进一步的，在其他实施方式中，其中所述黑色矩阵的线宽小于10微米。相对于现有技术，本专利技术的有益效果在于提供一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法及其应用，能够使得形成的黑色矩阵线宽变细、锥角变高，满足高分辨率的需求，有助于提高产品开口率；另一方面由于减少了显影制程，使得方法操作简便，无制程难点，容易实现，并且减少了显影制程带来的锥角低或者发生底切以及剥落的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例1提供的黑色矩阵的制备方法的流程图；图2为本专利技术实施例2提供的黑色矩阵的制备方法的流程图；图3为本专利技术实施例3提供的黑色矩阵的制备方法的流程图；图4为本专利技术实施例4提供的黑色矩阵的制备方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本专利技术的示例性实施例的目的。但是本专利技术可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。实施例1本实施例提供一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法，请参阅图1，图1所示为本实施例提供的制备黑色矩阵方法的流程图，其包括以下步骤：步骤S1：提供玻璃基板1，在玻璃基板1上使用正性光阻进行涂布形成光阻层2。现有技术中制作黑色矩阵时使用负性光阻进行涂布，但由于负性光阻分辨率低，以及制程工艺存在瓶颈等问题，通常制备得到的黑色矩阵会存在线宽较大，锥角较低等问题。本实施例中制作黑色矩阵时使用正性光阻，因为正性光阻分辨率高，所以能够使得制备出的黑色矩阵实现细线宽的目的。步骤S2：对正性光阻进行光刻曝光，曝光区下方的正性光阻被显掉，得到光阻凹槽3；在本实施例中，光阻凹槽3的剖面形状为矩形形状。制备光阻凹槽，使得黑色矩阵光阻线宽得到保障，可以实现细线宽的目的，且能够得到较高的锥角。步骤S3：通过喷墨打印的方式用喷墨打印机4的喷嘴于光阻凹槽内滴入黑色矩阵光阻5；步骤S4：对黑色矩阵光阻5进行曝光得到黑色矩阵6。本实施例还提供一种玻璃基板，其上设置有黑色矩阵，所述黑色矩阵是根据本实施例涉及的所述制备方法形成的，制备得到的黑色矩阵6的锥角角度为90度，线宽L1小于10微米。现有技术中使用负性光阻进行涂布成膜，再经过光罩进行曝光制程，曝光的部分发生固化不与显影液反应，经过显影制程后被保留，最后经过后烘烤制程得到最终图案。本实施例中制备光阻凹槽后，将黑色矩阵光阻滴入光阻凹槽后只需要进行曝光制程就可以得到黑色矩阵，该制备方法减少了显影制程，使得方法操作简便，无制程难点，容易实现。并且减少了显影制程带来的锥角低或者发生底切以及剥落的问题。实施例2本实施例提供一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法，请参阅图2，图2所示为本实施例提供的制备黑色矩阵方法的流程图，其包括以下步骤：步骤S1：提供玻璃基板1，在玻璃基板1上使用正性光阻进行涂布形成光阻层2。现有技术中制作黑色矩阵时使用负性光阻进行涂布，但由于负性光阻分辨率低，以及制程工艺存在瓶颈等问题，通常制备得到的黑色矩阵会存在线宽较大，锥角较低等问题。本实施例中制作黑色矩阵时使用正性光阻，因为正性光阻分辨率高，所以能够使得制备出的黑色矩阵实现细线宽的目的。步骤S2：对正性光阻进行曝光后，通过激光精确定位切割，得到光阻凹槽3；在本实施例中，光阻凹槽3的剖面形状为矩形形状。制备光阻凹槽，使得黑色矩阵光阻线宽得到保障，可以实现细线宽的目的，且能够得到较高的锥角。步骤S3：通过喷墨打印的方式用喷墨打印机4的喷嘴于光阻凹槽内滴入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上涂布光阻形成光阻层；步骤S2：在所述光阻层上形成光阻凹槽；步骤S3：将黑色矩阵光阻填充入所述光阻凹槽；步骤S4：对所述黑色矩阵光阻进行曝光得到黑色矩阵。

【技术特征摘要】
1.一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上涂布光阻形成光阻层；步骤S2：在所述光阻层上形成光阻凹槽；步骤S3：将黑色矩阵光阻填充入所述光阻凹槽；步骤S4：对所述黑色矩阵光阻进行曝光得到黑色矩阵。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的所述光阻为正性光阻，所述步骤S2中所述光阻凹槽是通过光刻制程形成的。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的所述光阻为正性光阻，所述步骤S2中所述光阻凹槽是通过激光切割形成的。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的所述光阻为负性光阻，所述步骤S2中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雪，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44