【技术实现步骤摘要】
晶片卡紧装置和包括其的晶片测试设备相关申请的交叉引用本申请要求向韩国知识产权局提交的申请日为2018年4月3日的申请号为10-2018-0038815以及申请日为2018年10月16日的申请号为10-2018-0123255的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。
各种实施例总体而言可以涉及一种半导体制造装置,更具体地,涉及一种晶片卡紧装置和包括其的晶片测试设备。
技术介绍
通常,诸如集成电路的半导体元件可以通过在晶片上重复一系列半导体制造工艺来形成。例如,通过重复用于在晶片上形成层的沉积工艺、用于刻蚀所述层以形成具有电特性的图案的刻蚀工艺、用于利用杂质掺杂所述图案的离子注入工艺或扩散工艺、用于从具有图案的晶片去除粒子的清洁和冲洗工艺等,可以在晶片上形成集成电路。在通过上述工艺形成半导体元件之后,可以执行用于测试半导体元件的电特性的测试工艺。可以使用晶片测试设备来执行测试过程,所述晶片测试设备包括具有探针引脚的探针卡和连接到探针卡以向晶片测试设备提供测试信号的测试器。探针卡可以安装在测试室的上部。用于支撑晶片的卡盘可以布置在探针卡下方。用于旋转卡盘的旋转致动器可以布置在卡盘下方。用于在水平方向和垂直方向上移动卡盘的垂直/水平致动器可以布置在旋转致动器下方。在执行测试过程之前,可以执行用于使晶片与探针卡对准的对准过程,以使探针卡的探针引脚与半导体元件接触。然而,由于半导体制造工艺中使用的热量,会在晶片中产生热变形。即,具有半导体元件的晶片可以向上或向下弯曲,即,会在晶片中产生翘曲。卡盘可能无法精确地夹紧弯曲的晶片,使得探针可能不会均匀地与半导 ...
【技术保护点】
1.一种晶片卡紧装置,包括:用于支撑晶片的卡盘,所述卡盘包括形成在所述卡盘的上表面上的多个第一环形真空槽;真空夹紧器,其连接到所述卡盘的侧表面,以向所述晶片的下表面提供夹紧力;以及密封构件,其布置在所述卡盘的所述上表面上并且被配置为包围所述多个第一环形真空槽之中的最外面的第一环形真空槽。
【技术特征摘要】
2018.04.03 KR 10-2018-0038815;2018.10.16 KR 10-2011.一种晶片卡紧装置,包括:用于支撑晶片的卡盘,所述卡盘包括形成在所述卡盘的上表面上的多个第一环形真空槽;真空夹紧器,其连接到所述卡盘的侧表面,以向所述晶片的下表面提供夹紧力;以及密封构件,其布置在所述卡盘的所述上表面上并且被配置为包围所述多个第一环形真空槽之中的最外面的第一环形真空槽。2.如权利要求1所述的晶片卡紧装置,其中,所述密封构件与所述最外面的第一环形真空槽间隔开。3.如权利要求1所述的晶片卡紧装置,其中,在所述卡盘的所述上表面上形成有用于部分地容纳所述密封构件的插入槽。4.如权利要求3所述的晶片卡紧装置,其中,所述插入槽具有在所述插入槽中从上端到下端逐渐增大的直径。5.如权利要求3所述的晶片卡紧装置,其中,在所述卡盘的所述上表面上形成有台阶部分,所述台阶部分被配置为包围所述插入槽的入口。6.如权利要求1所述的晶片卡紧装置,其中,所述密封构件具有实心结构,所述实心结构具有封闭的两端,并且所述密封构件包括弹性材料。7.如权利要求1所述的晶片卡紧装置,其中,所述密封构件具有中空管状的形状,并且所述密封构件包括弹性材料。8.如权利要求1所述的晶片卡紧装置,其中,所述密封构件具有呈均匀宽度的带形状。9.如权利要求1所述的晶片卡紧装置,其中,所述密封构件包括管状主体部分和与所述主体部分连接的尾部分。10.如权利要求9所述的晶片卡紧装置,其中,在所述卡盘的所述上表面上形成有第一台阶部分,所述密封构件的所述尾部分布置在所述第一台阶部分处,并且在所述卡盘的所述上表面上形成有与所述第一台阶部分相邻的第二台阶部分。11.如权利要求10所述的晶片卡紧装置,还包括固定构件,所述固定构件布置在所述密封构件的所述尾部分,以将所述尾部分固定到所述第一台阶部分的底表面。12.如权利要求1所述的晶片卡紧装置,其中,所述卡盘还包括形成在所述卡盘的所述上表面上的第二环形真空槽,所述第二环形真空槽与所述密封构件间隔开并且在所述密封构件的外侧延伸。13.如权利要求1所述的晶片卡紧装置,其中,所述卡盘还包括:多个真空孔,其形成在所述多个第一环形真空槽中的每个环形真空槽的底表面上;以及至少一个真空线路,其形成在所述卡盘中并且平行于所述卡盘的所述上表面而延伸,所述真空线路连接到所述多个真空孔。14.如权利要求13所述的晶片卡紧装置,其中,所述多个真空孔包括:多个第一真空孔,其布置在沿第一方向延伸的第一直线上;以及多个第二真空孔,其布置在沿第二方向延伸的第二直线上,所述第二方向相对于所述第一方向以规定角度倾斜。15.如权利要求14所述的晶片卡紧装置,其中,所述至少一个真空线路包括:第一真空线路,其连接到所述多个第一真空孔;以及第二真空线路,其连接到所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员:张仁奎,金成龙,徐载亨,苏县俊,孙守镛,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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