蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法技术

技术编号:22326494 阅读:34 留言:0更新日期:2019-10-19 11:28
本发明专利技术提供可以在满足高精细化和轻量化二者的同时,还能够正确地对形成于树脂掩模开口部的形状图案是否正常进行确认的蒸镀掩模、用于得到该蒸镀掩模的蒸镀掩模前体、以及具备该蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模,还提供使用了该带框架的蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法。蒸镀掩模(100)是将形成有缝隙(15)的金属掩模(10)和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层而成的,并且使用波长550nm的光线透射率为40%以下的树脂掩模,由此解决上述课题。

【技术实现步骤摘要】
蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法本申请是申请日为2015年5月29日、申请号为201580022365.7的中国专利技术申请“蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法”的分案申请。
本专利技术涉及蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模前体、及有机半导体元件的制造方法。
技术介绍
随着使用有机EL元件的产品的大型化或基板尺寸的大型化,对蒸镀掩模大型化的要求也不断增加。而且,用于制造由金属构成的蒸镀掩模的金属板也大型化。然而,在当前的金属加工技术中,难以在大型的金属板上高精度地形成开口部,无法应对开口部的高精细化。另外,在作为仅由金属构成的蒸镀掩模时,由于随着大型化,其质量也增大,包含框架在内的总质量也增大,因此会给操作带来阻碍。在这样的状况下,专利文献1中公开了叠层设置有缝隙的金属掩模、和纵横地配置了多列位于金属掩模表面并与蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模而成的蒸镀掩模。根据专利文献1中公开的蒸镀掩模,即使在大型化的情况下,也能够满足高精细化和轻量化二者,而且,可以进行高精细的蒸镀图案的形成。现有技术文献专利文献专利文献1:专利第5288072号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的主要课题在于,提供可以在满足高精细化和轻量化二者的同时,还能对形成于树脂掩模开口部的形状图案是否正常正确地进行检查的蒸镀掩模;及提供用于得到该蒸镀掩模的蒸镀掩模前体;以及提供具备该蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模;进一步提供使用了该带框架的蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法。用于解决课题的方案用于解决所述课题的本专利技术提供一种蒸镀掩模,其是将形成有缝隙的金属掩模和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模叠层而成的,其特征在于,所述树脂掩模对波长550nm的光线透射率为40%以下。在所述专利技术中,优选所述树脂掩模含有着色材料成分。另外,优选所述树脂掩模的厚度为3μm以上且低于10μm。另外,用于解决所述课题的本专利技术提供一种带框架的蒸镀掩模,其是将蒸镀掩模固定在框架上而成的,其特征在于,所述蒸镀掩模是将形成有缝隙的金属掩模和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模叠层而成的,所述树脂掩模对波长550nm的光线透射率为40%以下。另外,用于解决所述课题的本专利技术提供一种蒸镀掩模前体,其用于得到将形成有缝隙的金属掩模和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模叠层而成的蒸镀掩模,其特征在于,在树脂板的一面上叠层设置了缝隙的金属掩模,所述树脂板对波长550nm的光线透射率为40%以下。另外,用于解决所述课题的本专利技术提供一种有机半导体元件的制造方法,其特征在于,包含使用在框架上固定有蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序,在形成所述蒸镀图案的工序中,固定于所述框架的所述蒸镀掩模叠层有形成有缝隙的金属掩模和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模,而且该树脂掩模对波长550nm的光线透射率为40%以下。专利技术的效果根据本专利技术的蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模,可以在满足高精细化和轻量化双方的同时,还能对形成于树脂掩模开口部的形状图案是否正常正确地进行检查。另外,根据本专利技术的蒸镀掩模前体,可以简便地制造上述特征的蒸镀掩模。另外,根据本专利技术的有机半导体元件的制造方法,可以高精度地制造有机半导体元件。附图说明图1(a)是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图,(b)是(a)的A-A剖面图;图2是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图;图3是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图;图4是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图;图5是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图;图6是从金属掩模侧观察实施方式(B)的蒸镀掩模的正面图;图7是从金属掩模侧观察实施方式(B)的蒸镀掩模的正面图;图8(a)~(d)都是示意性示出透过树脂掩模的透射光的状态的蒸镀掩模的概略剖面图,(a)~(c)是一实施方式的蒸镀掩模,(d)是比较的蒸镀掩模;图9是表示带框架的蒸镀掩模的一例的正面图;图10是表示带框架的蒸镀掩模的一例的正面图;图11是表示框架的一例的正面图;图12(a)~(e)分别是树脂掩模的样品1、2、4~6的阴影图。标记说明100…蒸镀掩模10…金属掩模15…缝隙16…贯通孔20…树脂掩模25…开口部40…着色材料层60…框架200…带框架的蒸镀掩模具体实施方式<<蒸镀掩模>>以下,对本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模100具体地进行说明。如图1所示,一实施方式的蒸镀掩模100采用叠层形成有缝隙15的金属掩模10和在与该缝隙15重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部25的树脂掩模20的结构。此外,图1(a)是从金属掩模10侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图,(b)是(a)的A-A概略剖面图。(树脂掩模)如图1所示,在树脂掩模20上设置有多个开口部25。而且,本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模100的特征在于,树脂掩模20的波长550nm的光线透射率为40%以下。使用一实施方式的蒸镀掩模100在蒸镀对象物的被蒸镀面上制作蒸镀图案时,在使蒸镀对象物的被蒸镀面、和蒸镀掩模100的树脂掩模20侧的面对置,使蒸镀对象物的被蒸镀面、和蒸镀掩模的树脂掩模20密接的状态下进行。而且,通过使由蒸镀源放出的蒸镀材料通过形成于树脂掩模20的开口部25附着于蒸镀对象物的被蒸镀面,在蒸镀对象物的被蒸镀面上制作与形成于树脂掩模20的开口部25对应的蒸镀图案。此外,对于使用了一实施方式的蒸镀掩模的蒸镀方法也没有作任何的限定,例如,可以举出溅射法、真空蒸镀法、离子镀、电束蒸镀法等物理气相沉积法(PhysicalVaporDeposition)、热CVD、等离子体CVD、光CVD法等化学气相沉积法(chemicalvapordeposition)等。即,在上述蒸镀对象物的被蒸镀面上制作蒸镀图案的方法中,形成于蒸镀对象物的被蒸镀面的蒸镀图案由形成于树脂掩模20的开口部25的开口图案决定。因此,如在蒸镀对象物的被蒸镀面上希望形成的蒸镀图案那样,在蒸镀掩模100的树脂掩模20上形成开口部25的开口图案至为重要,在蒸镀掩模使用前,即进行蒸镀掩模的制造后,需要检查形成于该蒸镀掩模100的树脂掩模20的开口部25的开口图案是否如在蒸镀对象物的被蒸镀面上希望形成的蒸镀图案那样形成。作为判别形成于蒸镀掩模100的树脂掩模20的开口部25的开口图案是否为在蒸镀对象物的被蒸镀面上所希望形成的蒸镀图案的检查方法之一,有下述方法:利用向树脂掩模20照射可见光,由树脂掩模20中透过该可见光的区域、不透过或难以透过的区域形成的阴影进行形成于树脂掩模20的开口图案的检查。具体而言,是下述方法:从树脂掩模20的不与金属掩模10相接的面侧向树脂掩模20照射可见光,利用照相机从金属掩模10的不与树脂掩模20相接的面侧拍摄该透射光,或从金属掩模10的不与树脂掩模20相接的面侧向树脂掩模20照射可见光,利用照相机从树脂掩模20的不与金属掩模10相接的面侧拍摄该透射光,利用所拍摄的透射光得到的阴影进行形成于树脂掩模20的开口图案的检查。在进行上述开口图案的检查的情况中,在形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀掩模,其是将形成有金属开口部的金属层和在与该金属开口部重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的树脂开口部的树脂掩模叠层而成的,其中,所述树脂掩模对波长550nm的光线透射率为40%以下。

【技术特征摘要】
2014.06.06 JP 2014-1177551.一种蒸镀掩模,其是将形成有金属开口部的金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员:武田利彦川崎博司小幡胜也
申请(专利权)人:大日本印刷株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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