一种防错接电路、防错接振镜以及防错接电源制造技术

本实用新型专利技术公开一种防错接电路，包括第一MOS管U1、第二MOS管U2、电容C1以及电容C2；第一MOS管U1的源极作为与外接电源电连接的正接线端EXT+，第二MOS管U2的源极作为与外接电源电连接的负接线端EXT‑，第一MOS管U1的栅极与第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与外接电源电连接的地接线端EXTGND；第一MOS管U1的漏极通过电容C1与第一MOS管U1的栅极电连接，并作为与振镜电连接的正接线端V+，第二MOS管U2的漏极通过电容C2与第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与振镜电连接的负接线端V‑，第二MOS管U2的栅极作为与振镜电连接的地接线端VGND。本实用新型专利技术可以防止因人工疏忽的电源错接导致振镜驱动板烧毁的问题。

An anti wrong connection circuit, anti wrong connection galvanometer and anti wrong connection power supply

【技术实现步骤摘要】
一种防错接电路、防错接振镜以及防错接电源
本技术涉及振镜电源接线
，具体涉及一种防错接电路、防错接振镜以及防错接电源。
技术介绍
常用振镜电源一般为正负接线端加上地线端共三根线，而且振镜在出厂时不会配置电源线。电源线均需要使用者自行连接。由于是三条线，在使用过程中，经常会出现接线疏忽导致振镜整个控制板烧毁。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述技术不足，提供一种防错接电路、防错接振镜以及防错接电源，解决现有技术中振镜电源线容易错接造成控制板烧毁的技术问题。为达到上述技术目的，本技术的技术方案提供一种防错接电路，包括第一MOS管U1、第二MOS管U2、电容C1以及电容C2；所述第一MOS管U1的源极作为与外接电源电连接的正接线端EXT+，所述第二MOS管U2的源极作为与所述外接电源电连接的负接线端EXT-，所述第一MOS管U1的栅极与所述第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与所述外接电源电连接的地接线端EXTGND；所述第一MOS管U1的漏极通过所述电容C1与所述第一MOS管U1的栅极电连接，并作为与振镜电连接的正接线端V+，所述第二MOS管U2的漏极通过所述电容C2与所述第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与所述振镜电连接的负接线端V-，所述第二MOS管U2的栅极作为与所述振镜电连接的地接线端VGND。本技术还提供一种防错接振镜，包括振镜本体，还包括所述防错接电路，所述振镜本体的正接线口与所述正接线端V+电连接，所述振镜本体的负接线口与所述负接线端V-电连接，所述振镜本体的地接线口与所述地接线端VGND电连接。本技术还提供一种防错接电源，包括电源本体，还包括所述防错接电路，所述电源本体的正极与所述正接线端EXT+电连接，所述电源本体的负极与所述负接线端EXT-电连接，所述电源本体的公共端与所述地接线端EXTGND电连接。与现有技术相比，本技术的有益效果包括：本技术采用两个MOS管构成防错接电路，当电源线接错时，第一MOS管和第二MOS管不满足导通条件，因此振镜与电源无法导通，避免错接时烧毁振镜。附图说明图1是本技术提供的防错接电路的电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1：如图1所示，本技术的实施例1提供了一种防错接电路，以下简称防错接电路，包括第一MOS管U1、第二MOS管U2、电容C1以及电容C2；所述第一MOS管U1的源极作为与外接电源电连接的正接线端EXT+，所述第二MOS管U2的源极作为与所述外接电源电连接的负接线端EXT-，所述第一MOS管U1的栅极与所述第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与所述外接电源电连接的地接线端EXTGND；所述第一MOS管U1的漏极通过所述电容C1与所述第一MOS管U1的栅极电连接，并作为与振镜电连接的正接线端V+，所述第二MOS管U2的漏极通过所述电容C2与所述第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与所述振镜电连接的负接线端V-，所述第二MOS管U2的栅极作为与所述振镜电连接的地接线端VGND。本实施例中振镜的额定电源电压为15V，防错接电路主要由两个大功率MOS管构成。如图1，外部电源的三根电源分别通过正接线端EXT+、地接线端EXTGND、负接线端EXT-接入防错接电路。如果接线正确，则正接线端EXT+处电压大于地接线端EXTGND处电压，第一MOS管U1正常导通，外接电源通过第一MOS管为振镜提供+15V的正电压；地接线端EXTGND处电压大于负接线端EXT-处电源,第二MOS管U2正常导通，外接电源通过第二MOS管为振镜提供-15V的负电压。如果接线错误，第一MOS管U1和第二MOS管U2中至少一个不满足导通条件，接反的电源电压被第一MOS管U1、第二MOS管截断，从而达到保护振镜及其相关电路的目的。电容C1与电容C2起到滤波作用，更好的稳定输出电压。本实施例中电容C1和电容C2均为1000uF/35V的电解电容。本技术提供的防错接电路，可以防止因人工疏忽的电源错接导致振镜驱动板烧毁的问题，为振镜驱动板提供有效的电源保护。本技术电路结构简单，易于实现，实现成本低，防错率高，很好的解决因人工疏忽导致的电源错接问题。优选的，所述第一MOS管为P沟道MOS管，所述第二MOS管为N沟道MOS管。具体的，本实施例中第一MOS管U1的型号为IRF7240，其Vgs＝-(1.0～3.0)V，第二MOS管U2的型号为IRF7471,其Vgs＝(1.0～3.0)V。本实施例选用的第一MOS管和第二MOS管具有导通电阻低，通过电流大的特性，有效减少了其工作时对电源效率的影响。优选的，所述第一MOS管U1和第二MOS管U2均内置有续流二极管。反向并联续流二极管起到保护作用，防止高压击穿MOS管。实施例2：本技术的实施例2提供了一种防错接振镜，包括振镜本体，还包括以上任一实施例提供的防错接电路，所述振镜本体的正接线口与所述正接线端V+电连接，所述振镜本体的负接线口与所述负接线端V-电连接，所述振镜本体的地接线口与所述地接线端VGND电连接。本技术提供的防错接振镜，包括上述防错接电路，因此，上述防错接电路所具备的技术效果，防错接振镜同样具备，在此不再赘述。实施例3：本技术的实施例3提供了一种防错接电源，包括电源本体，还包括以上任一实施例提供的防错接电路，所述电源本体的正极与所述正接线端EXT+电连接，所述电源本体的负极与所述负接线端EXT-电连接，所述电源本体的公共端与所述地接线端EXTGND电连接。本技术提供的防错接电源，包括上述防错接电路，因此，上述防错接电路所具备的技术效果，防错接电源同样具备，在此不再赘述。本技术提供的防错接电路可以集成于振镜内，也可以集成于外接电源内。以上所述本技术的具体实施方式，并不构成对本技术保护范围的限定。任何根据本技术的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本技术权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防错接电路，其特征在于，包括第一MOS管U1、第二MOS管U2、电容C1以及电容C2；所述第一MOS管U1的源极作为与外接电源电连接的正接线端EXT+，所述第二MOS管U2的源极作为与所述外接电源电连接的负接线端EXT‑，所述第一MOS管U1的栅极与所述第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与所述外接电源电连接的地接线端EXTGND；所述第一MOS管U1的漏极通过所述电容C1与所述第一MOS管U1的栅极电连接，并作为与振镜电连接的正接线端V+，所述第二MOS管U2的漏极通过所述电容C2与所述第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与所述振镜电连接的负接线端V‑，所述第二MOS管U2的栅极作为与所述振镜电连接的地接线端VGND。

【技术特征摘要】
1.一种防错接电路，其特征在于，包括第一MOS管U1、第二MOS管U2、电容C1以及电容C2；所述第一MOS管U1的源极作为与外接电源电连接的正接线端EXT+，所述第二MOS管U2的源极作为与所述外接电源电连接的负接线端EXT-，所述第一MOS管U1的栅极与所述第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与所述外接电源电连接的地接线端EXTGND；所述第一MOS管U1的漏极通过所述电容C1与所述第一MOS管U1的栅极电连接，并作为与振镜电连接的正接线端V+，所述第二MOS管U2的漏极通过所述电容C2与所述第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与所述振镜电连接的负接线端V-，所述第二MOS管U2的栅极作为与所述振镜电连接的地接线端VGND。2.根据权利要求1所述的防错接电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海，唐会华，孔华豪，陈国文，
申请(专利权)人：武汉诺雅光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42