一种欠压锁定电路及开关电源芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种欠压锁定电路和开关电源芯片，该欠压锁定电路包括：欠压锁定电路输入端、欠压锁定电路输出端、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、施密特触发器。本实用新型专利技术的欠压锁定电路利用施密特触发器的迟滞特性，实现电路的关断电压远小于电路的启动电压，该欠压锁定电路结构简单、响应速度快，且没有涉及基准源电路、复杂的比较电路等结构，可有效减小电路版图面积，节约制造成本。

An undervoltage locking circuit and switching power supply chip

【技术实现步骤摘要】
一种欠压锁定电路及开关电源芯片
本技术涉及集成电路
，特别涉及一种欠压锁定电路及开关电源芯片。
技术介绍
在集成电路设计中，保持稳定的开关电源输出电压极为重要，其中，开关电源芯片中的欠压锁定电路便用来提高电源的安全性、可靠性和稳定性。在芯片上电时，由于电源输入端存在等效电阻、电容等，电源电压会有一个上升的过程，当电源电压达到电路系统的启动电压时，电路系统开始工作，但在开启瞬间，若系统的负载电流过大，则会把电路两端的电压拉到启动电压以下，如果此时关断电压等于启动电压，就会出现一启动就关断的情况。为了保证电路启动后能正常工作，关断电压必须远小于启动电压。而传统的欠压锁定电路存在较大的静态功耗、响应速度慢的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术目的之一在于提供一种响应速度快，可有效减少静态功耗的欠压锁定电路。其采用如下技术方案：一种欠压锁定电路，包括：欠压锁定电路输入端、欠压锁定电路输出端、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、施密特触发器；欠压锁定电路输入端与电源连接，电阻R1的第一端、PMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种欠压锁定电路，其特征在于，包括：欠压锁定电路输入端、欠压锁定电路输出端、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、施密特触发器；欠压锁定电路输入端与电源连接，电阻R1的第一端、PMOS管M1的源极、电阻R5的第一端、PMOS管M2的源极均与欠压锁定电路输入端连接，电阻R6的第一端、PMOS管M2的漏极均与电阻R5的第二端连接，PMOS管M1的栅极、NMOS管M3的漏极、施密特触发器的输入端均与电阻R6的第二端连接，PMOS管M2的栅极与施密特触发器的第二输出端连接，电阻R1的第二端、电阻R2的第一端均与P...

【技术特征摘要】
1.一种欠压锁定电路，其特征在于，包括：欠压锁定电路输入端、欠压锁定电路输出端、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、施密特触发器；欠压锁定电路输入端与电源连接，电阻R1的第一端、PMOS管M1的源极、电阻R5的第一端、PMOS管M2的源极均与欠压锁定电路输入端连接，电阻R6的第一端、PMOS管M2的漏极均与电阻R5的第二端连接，PMOS管M1的栅极、NMOS管M3的漏极、施密特触发器的输入端均与电阻R6的第二端连接，PMOS管M2的栅极与施密特触发器的第二输出端连接，电阻R1的第二端、电阻R2的第一端均与PMOS管M1的漏极连接，电阻R2的第二端、电阻R3的第一端均与NMOS管M3的栅极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐敏，孙泉，宋培滢，朱军辉，孙钰，汝长海，
申请(专利权)人：江苏集萃微纳自动化系统与装备技术研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32