滤波器、光传感器、固体摄像元件及图像显示装置制造方法及图纸

技术编号:22311586 阅读:53 留言:0更新日期:2019-10-16 11:23
本发明专利技术提供一种能够检测干扰少的光的滤波器、光传感器、固体摄像元件及图像显示装置。该滤波器二维配置有多个不同的像素,多个像素中的至少1个像素为遮蔽近红外区域波长光的至少一部分,且使可见光区域波长光透射的近红外线截止滤波器的像素(11)。

Filter, optical sensor, solid-state camera element and image display device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】滤波器、光传感器、固体摄像元件及图像显示装置
本专利技术涉及一种滤波器、光传感器、固体摄像元件及图像显示装置。
技术介绍
摄像机、数码照相机、带相机功能的移动电话等中使用作为彩色图像的固体摄像元件的CCD(电荷耦合元件)、CMOS(互补金属氧化物半导体)。这些固体摄像元件在其受光部上使用了对红外线具有灵敏度的硅光电二极管。因此,有时将近红外线截止滤波器配置在滤色器像素的光路上来进行可见度校正(例如,参考专利文献1、专利文献2)。以往技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-200878号公报专利文献2:国际公开WO2016/117596号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题近年来,尝试使用环境光或红外线等进行各种感测的研究。例如,尝试有通过检测环境光来检测周围的亮度,从而进行调整显示器或照明器具等的光量等。期待在提高这种各种光传感器的感测精度时,提高目标光的信噪比(S/N比)来进行检测。用于解决技术课题的手段本专利技术的目的在于提供一种能够检测干扰少的光的滤波器、光传感器、固体摄像元件及图像显示装置。根据本专利技术人等的研究,发现通过使用具有近红外线截止滤波器的像素的滤波器能够实现上述目的,并实现完成本专利技术。本专利技术提供以下。<1>一种滤波器,二维配置有多个不同的像素,其中,多个像素中的至少1个像素为遮蔽近红外区域波长光的至少一部分,且使可见光区域波长光透射的近红外线截止滤波器的像素。<2>根据<1>所述的滤波器,其中,近红外线截止滤波器的像素在波长700~2000nm的范围具有最大吸收波长,最大吸收波长下的吸光度Amax与波长550nm下的吸光度A550的比即吸光度Amax/吸光度A550为20~500。<3>根据<1>或<2>所述的滤波器,其中,多个不同的像素包含第1近红外线截止滤波器的像素和与第1近红外线截止滤波器不同的遮蔽近红外区域波长光的第2近红外线截止滤波器的像素。<4>根据<3>所述的滤波器,其中,第1近红外线截止滤波器的像素的最大吸收波长与第2近红外线截止滤波器的像素的最大吸收波长的差为20~1000nm。<5>根据<1>至<4>中任一项所述的滤波器,其中,多个不同的像素包含除了近红外线截止滤波器以外的像素。<6>根据<5>所述的滤波器,其中,除了近红外线截止滤波器以外的像素为选自透明像素、着色像素及选择性地透射或遮蔽特定波长光的层的像素中的至少一种。<7>根据<6>所述的滤波器,其中,选择性地透射或遮蔽特定波长光的层的像素为选自红外线透射滤波器的像素及紫外线截止滤波器的像素中的至少一种。<8>根据<1>至<6>中任一项所述的滤波器,其中,多个不同像素的上表面彼此的高低差为最厚像素的膜厚的20%以下。<9>根据<7>所述的滤波器,其中,多个不同像素的上表面彼此的高低差为最厚像素的膜厚的10%以下。<10>根据<1>至<8>中任一项所述的滤波器,其至少具有近红外线截止滤波器的像素和红外线透射滤波器的像素,这两者像素的厚度差为最厚像素的膜厚的20%以下。<11>根据<1>至<10>中任一项所述的滤波器,其中,近红外线截止滤波器的像素中波长400~700nm的光的平均折射率为1.4~1.9。<12>根据<1>至<11>中任一项所述的滤波器,其中,近红外线截止滤波器包含近红外线吸收色素,近红外线吸收色素为具有包含单环或稠环的芳香族环的π共轭平面的化合物。<13>根据<12>所述的滤波器,其中,近红外线吸收色素为选自吡咯并吡咯化合物、花青化合物及方酸化合物中的至少一种。<14>根据<13>所述的滤波器,其中,近红外线吸收色素为吡咯并吡咯化合物。<15>一种光传感器,其具有<1>至<14>中任一项所述的滤波器。<16>一种固体摄像元件,其具有<1>至<14>中任一项所述的滤波器。<17>一种图像显示装置,其具有<1>至<14>中任一项所述的滤波器。专利技术效果根据本专利技术,能够提供一种可检测干扰少的光的滤波器、光传感器、固体摄像元件及图像显示装置。附图说明图1为本专利技术的滤波器的概略俯视图。图2为图1的a-a剖面图。图3为本专利技术的滤波器的概略俯视图。图4为图3的a-a剖面图。图5为本专利技术的滤波器的概略俯视图。图6为图5的a-a剖面图。图7为图5的b-b剖面图。图8为表示光传感器的一实施方式的概略图。图9为表示光传感器的其他实施方式的概略图。具体实施方式以下,对本专利技术的内容进行详细说明。本说明书中,“~”是指以记载于其前后的数值作为下限值及上限值而包含的含义来使用。在本说明书的基团(原子团)的标记中,未标有经取代及未经取代的标记,包含不具有取代基的基团(原子团)的同时,还包含具有取代基的基团(原子团)。例如,“烷基”是指不仅包含不具有取代基的烷基(未经取代的烷基),还包含具有取代基的烷基(经取代的烷基)。本说明书中“曝光”是指只要无特别限定,除了利用光的曝光以外,利用电子束、离子束等粒子束的绘制也包含在曝光中。并且,作为用于曝光的光,可举出水银灯的明线光谱、准分子激光为代表的远紫外线、极紫外线(EUV光)、X射线、电子束等光化射线或放射线。本说明书中,“(甲基)烯丙基”表示烯丙基及甲代烯丙基这两者或其中任一个,“(甲基)丙烯酸酯”表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯这两者或其中任一个,“(甲基)丙烯酸”表示丙烯酸及甲基丙烯酸这两者或其中任一个,“(甲基)丙烯酰基”表示丙烯酰基及甲基丙烯酰基这两者或其中任一个。本说明书中,重均分子量及数均分子量作为通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定的聚苯乙烯换算值而被定义。本说明书中,重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn)例如能够通过使用HLC-8220(TOSOHCORPORATION制),作为管柱使用TSKgelSuperAWM―H(TOSOHCORPORATION制,6.0mmID(内径)×15.0cm),作为洗脱液使用10mmol/L的溴化锂NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶液来求出。本说明书中,近红外线是指波长为700~2500nm的光(电磁波)。本说明书中,总固体成分是指从组合物的所有成分中去除了溶剂成分的总质量。本说明书中,“步骤”这一术语,不仅是独立的步骤,而且即使在无法与其他步骤明确区分的情况下,若可实现对该步骤所期待的作用,则也包含在本术语中。<滤波器>本专利技术的滤波器,二维配置有多个不同的像素,其特征在于,多个像素中的至少1个像素为遮蔽近红外区域波长光的至少一部分,且使可见光区域波长光透射的近红外线截止滤波器的像素。本专利技术的滤波器具有近红外线截止滤波器的像素,因此通过该像素能够遮蔽二级管光等中所含有的近红外区域波长光,且能够以较少干扰检测环境光等目标光。因此,通过将本专利技术的滤波器用于光传感器,能够进行信噪比(S/N比)高的检测。例如,能够检测干扰少的清晰的图像,或者高灵敏度地检测干扰少的环境光等。另外,本专利技术中,二维配置有多个不同的像素是指,像素的至少一部分存在于同一平面上。本专利技术的滤波器中,优选各像素形成在同一平面上。本专利技术的滤波器中,近红外线截止滤波器的像素可以为能够截止近红外线的膜的单层膜(以下,也称为近红外线截止层),也可以为在不损伤近红外线截止层的分光特性的范围内层叠有除了近红外线截止层以外的其他层。另外,当层叠2层以上的膜来构成近红外线截止滤波器的像素时,需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波器,二维配置有多个不同的像素,其中,所述多个像素中的至少1个像素为遮蔽近红外区域波长光的至少一部分,且使可见光区域波长光透射的近红外线截止滤波器的像素。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.07 JP 2017-0424661.一种滤波器,二维配置有多个不同的像素,其中,所述多个像素中的至少1个像素为遮蔽近红外区域波长光的至少一部分,且使可见光区域波长光透射的近红外线截止滤波器的像素。2.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述近红外线截止滤波器的像素在波长700nm~2000nm的范围具有最大吸收波长,所述最大吸收波长下的吸光度Amax与波长550nm下的吸光度A550的比即吸光度Amax/吸光度A550为20~500。3.根据权利要求1或2所述的滤波器,其中,所述多个不同的像素包含第1近红外线截止滤波器的像素和与所述第1近红外线截止滤波器不同的遮蔽近红外区域波长光的第2近红外线截止滤波器的像素。4.根据权利要求3所述的滤波器,其中,第1近红外线截止滤波器的像素的最大吸收波长与所述第2近红外线截止滤波器的像素的最大吸收波长的差为20nm~1000nm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器,其中,多个不同的像素包含除了近红外线截止滤波器以外的像素。6.根据权利要求5所述的滤波器,其中,所述除了近红外线截止滤波器以外的像素为选自透明像素、着色像素及选择性地透射或遮蔽特定波长光的层的像素中的至少一种。7.根据权利要求6所述的滤波器,其中,所述选择性地透射或遮蔽特定波长光的...

【专利技术属性】
技术研发人员:高桥和敬尾田和也
申请(专利权)人:富士胶片株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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