【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】第4族催化剂化合物及其使用方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年2月20日提交的序列号62/461,110和2017年3月17日提交的EP17161679.0的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及新的第4族催化剂化合物,包含它们的催化剂体系及其用途。
技术介绍
烯烃聚合催化剂在工业中具有很大用途。因此有兴趣寻找新的催化剂体系,其增加催化剂的商业用途并能够生产具有改进性能的聚合物。用于烯烃聚合的催化剂通常基于取代的金属茂作为催化剂前体,其或在铝氧烷的帮助下活化,或采用含有非配位阴离子的活化剂活化。例如,美国专利US7,829,495公开了Me2Si(芴)(3-nPr-Cp)ZrCl2和美国专利US7,179,876公开了负载的(nPrCp)2HfMe2。此外,Stadelhofer,J.;Weidlein,J.;和Haaland,A.,J.Organomet.Chem.,1975,84,C1-C4公开了环戊二烯钾的制备。此外,已合成Me2C(Cp)(Me3SiCH2-Ind)MCl2和Me2C(Cp)(Me,Me3SiCH2-Ind)MCl2,其中M为Zr或Hf,并筛选丙烯的间同立构聚合,参见Leino,R.;Gomez,F.;Cole,A.;和Waymouth,R.,Macromolecules,2001,34,pp.2072-2082。背景参考文献包括公开号US2009/0297810美国申请说明书,WO2016/171807,WO2016/094,843,WO2016/172,099和JP5262405B。领域仍然需要用于烯烃聚合 ...
【技术保护点】
1.由式(A)表示的催化剂化合物:
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.17 EP 17161679.0;2017.02.20 US 62/461,1101.由式(A)表示的催化剂化合物:其中:M是Hf或Zr;每个R1,R2和R4独立地为氢、烷氧基或C1-C40取代或未取代的烃基;R3独立地为氢、烷氧基或C1-C40取代或未取代的烃基或者为-CH2-SiR′3或-CH2-CR′3,并且每个R′独立地为C1-C20取代或未取代的烃基,条件是至少一个R′不是H;每个R7,R8和R10独立地为氢、烷氧基或C1-C40取代或未取代的烃基;R9是-CH2-SiR′3或-CH2-CR′3,其中每个R′独立地是C1-C20取代的或未取代的烃基,条件是至少一个R′不是H;T是桥接基团;以及每个X独立地为单价阴离子配体,或者两个X连接并结合到金属原子上形成金属环状物环,或者两个X连接以形成螯合配体、二烯配体或烷叉基配体。2.权利要求1的催化剂化合物,其中M是Hf和Zr。3.权利要求1或2的催化剂化合物,其中R9和R3独立地是-CH2-SiR′3或-CH2-CR′3,并且每个R′独立地是C1-C20取代或未取代的烃基,条件是至少一个R′不是H。4.权利要求1,2或3的催化剂化合物,其中R3是氢、烷氧基或C1-C40取代或未取代的烃基。5.权利要求1,2,3或4的催化剂化合物,其中催化剂化合物为至少50%外消旋,优选至少90%外消旋,优选至少97%外消旋。6.权利要求1,2,3,4或5的催化剂化合物,其中R9和任选的R3独立地是-CH2-CMe3或-CH2-SiMe3。7.一种催化剂体系,包括活化剂和权利要求1,2,3,4,5或6的催化剂。8.权利要求7的催化剂体系,其中活化剂包含铝氧烷或非配位阴离子。9.权利要求7或8的催化剂体系,其中催化剂体系还包含载体。10.一种聚合烯烃的方法,包括使一种或多种烯烃与权利要求7,8或9的催化剂体系接触。11.权利要求10的方法,其中烯烃和催化剂体系在气相中接触。12.权利要求10的方法,其中烯烃和催化剂体系在淤浆相中接触。13.权利要求10的方法,其中烯烃和催化剂体系在溶液相中接触。14.权利要求10的方法,其中烯烃和催化剂体系在淤浆环管反应器中接触。15.权利要求10的方法,其中聚合是连续方法。16.权利要求10的方法,其中催化剂化合物包括以下中的一种或多种:外消旋/内消旋Me2Si(Me3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋Me2Si(Me3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Ph2Si(Me3SiCH2Cp)2HfMe2;Me2Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)HfMe2;Ph2Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(Me3SiCH2Cp)2ZrMe2;Me2Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)ZrMe2;Ph2Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(Me3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(Me3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(Me3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(Me3SiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(Me3SiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(Me3SiCH2Cp)2ZrMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)HfMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)ZrMe2;(CH2)3Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)HfMe2;(CH2)3Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)ZrMe2;(C6F5)2Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)HfMe2;(C6F5)2Si(Me4Cp)(Me3SiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋Me2Ge(Me3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(Me2PhSiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Ph2Si(Me2PhSiCH2Cp)2HfMe2;Me2Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)HfMe2;Ph2Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(Me2PhSiCH2Cp)2ZrMe2;Me2Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)ZrMe2;Ph2Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(Me2PhSiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(Me2PhSiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(Me2PhSiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(Me2PhSiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(Me2PhSiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(Me2PhSiCH2Cp)2ZrMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)HfMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)ZrMe2;(CH2)3Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)HfMe2;(CH2)3Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)ZrMe2;(C6F5)2Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)HfMe2;(C6F5)2Si(Me4Cp)(Me2PhSiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋Me2Ge(Me2PhSiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(MePh2SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Ph2Si(MePh2SiCH2Cp)2HfMe2;Me2Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)HfMe2;Ph2Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(MePh2SiCH2Cp)2ZrMe2;Me2Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)ZrMe2;Ph2Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(MePh2SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(MePh2SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(MePh2SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(MePh2SiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(MePh2SiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(MePh2SiCH2Cp)2ZrMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)HfMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)ZrMe2;(CH2)3Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)HfMe2;(CH2)3Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)ZrMe2;(C6F5)2Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)HfMe2;(C6F5)2Si(Me4Cp)(MePh2SiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋Me2Ge(MePh2SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(Ph3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Ph2Si(Ph3SiCH2Cp)2HfMe2;Me2Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)HfMe2;Ph2Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(Ph3SiCH2Cp)2ZrMe2;Me2Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)ZrMe2;Ph2Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(Ph3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(Ph3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(Ph3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(Ph3SiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(Ph3SiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(Ph3SiCH2Cp)2ZrMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)HfMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)ZrMe2;(CH2)3Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)HfMe2;(CH2)3Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)ZrMe2;(C6F5)2Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)HfMe2;(C6F5)2Si(Me4Cp)(Ph3SiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋Me2Ge(Ph3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(Cy3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋Me2Si(Cy3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋Ph2Si(Cy3SiCH2Cp)2HfMe2;Me2Si(Me4Cp)(Cy3SiCH2Cp)HfMe2;Ph2Si(Me4Cp)(Cy3SiCH2Cp)HfMe2;外消旋/内消旋Me2Si(Cy3SiCH2Cp)2ZrMe2;Me2Si(Me4Cp)(Cy3SiCH2Cp)ZrMe2;Ph2Si(Me4Cp)(Cy3SiCH2Cp)ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(Cy3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(Cy3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(Cy3SiCH2Cp)2HfMe2;外消旋/内消旋(CH2)3Si(Cy3SiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(CH2)4Si(Cy3SiCH2Cp)2ZrMe2;外消旋/内消旋(C6F5)2Si(Cy3SiCH2Cp)2ZrMe2;(CH2)4Si(Me4Cp)(Cy3SiCH2Cp)HfMe2;(CH2)4S...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·库普斯瓦米,M·W·赫尔特卡普,D·M·飞斯卡司,M·S·贝多雅,L·G·麦卡洛,叶璇,
申请(专利权)人:埃克森美孚化学专利公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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