反应腔室及半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括腔室本体、与腔室本体连接的真空装置、调压管路和/或第一调节阀、和设置于腔室本体内的基座，其中，基座包括承载基片的承载面，并在基座中设置有抽气通道，且抽气通道的一端贯通至承载面上，另一端与真空装置连通；真空装置用于对抽气通道和腔室本体抽气；调压管路的一端与真空装置连接，另一端与腔室本体连通，第一调节阀设置在抽气通道上，调压管路和/或第一调节阀用于调节抽气通道内的压力，使抽气通道内的压力小于腔室本体内的压力。本实用新型专利技术提供的反应腔室及半导体加工设备能够避免基片在基座上的位置偏移，以及基片被吹起甚至碎裂的情况发生，从而提高基座吸附基片的可靠性。

Reaction Chamber and Semiconductor Processing Equipment

【技术实现步骤摘要】
反应腔室及半导体加工设备
本技术涉及半导体工艺设备
，具体地，涉及一种反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
目前，在化学气相沉积(CVD)工艺中，腔室内的反应压力较高，并且工艺过程中的压力变化范围较大，通常在5Torr到300Torr不等，而在需要压力上升或者下降的过程中，压力变化的时间越短越好，并且在达到所需的反应压力后，能够使腔室内的压力稳定在反应压力。在现有技术中，用于化学气相沉积的反应腔室包括腔室本体、真空卡盘(VacuumChuck)和真空装置，其中，真空卡盘设置在腔室本体中，真空装置分别与腔室本体和真空卡盘连接，一方面用于对腔室内体进行抽气，另一方面用于对真空卡盘进行抽气，以使真空卡盘能够真空吸附基片(Wafer)。但是，现有技术的反应腔室在短时间内进行大范围卸压时，会有大量的气体在短时间内进入真空装置，导致真空装置内的压力脉冲式上升，而真空装置内的压力会影响到真空卡盘内的压力，当真空装置内的压力脉冲值高于腔室本体内的压力时，会导致真空卡盘内的压力大于腔室本体内的压力，真空卡盘对基片的真空吸附失效，从而导致基片在真空卡盘上的位置偏移，更严重的会导致基片被吹起甚至碎裂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，包括腔室本体和设置于所述腔室本体内用于承载基片的基座，其特征在于，所述反应腔室还包括真空装置、调压管路和/或第一调节阀，其中，所述真空装置与所述腔室本体连接，用于对所述腔室本体进行抽气；所述基座包括承载所述基片的承载面，并在所述基座中设置有抽气通道，且所述抽气通道的一端贯通至所述承载面上，另一端与所述真空装置连通，以通过所述真空装置对所述抽气通道进行抽气；所述调压管路的一端与所述真空装置连接，另一端与所述腔室本体连通，用于调节所述抽气通道内的压力，使所述抽气通道内的压力小于所述腔室本体内的压力；所述第一调节阀设置在所述抽气通道上，用于调节所述抽气通道内的压力，使所述抽气通道内...

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括腔室本体和设置于所述腔室本体内用于承载基片的基座，其特征在于，所述反应腔室还包括真空装置、调压管路和/或第一调节阀，其中，所述真空装置与所述腔室本体连接，用于对所述腔室本体进行抽气；所述基座包括承载所述基片的承载面，并在所述基座中设置有抽气通道，且所述抽气通道的一端贯通至所述承载面上，另一端与所述真空装置连通，以通过所述真空装置对所述抽气通道进行抽气；所述调压管路的一端与所述真空装置连接，另一端与所述腔室本体连通，用于调节所述抽气通道内的压力，使所述抽气通道内的压力小于所述腔室本体内的压力；所述第一调节阀设置在所述抽气通道上，用于调节所述抽气通道内的压力，使所述抽气通道内的压力小于所述腔室本体内的压力。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述真空装置包括真空管路和真空泵，所述真空管路与所述真空泵连接，并与所述调压管路、所述抽气通道和所述腔室本体连通，且所述调压管路与所述真空管路连通处相对于所述抽气通道与所述真空管路连通处靠近所述真空泵。3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述调压管路包括第一管部，第二管部和第三管部，其中，所述第一管部与所述腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：何中凯，荣延栋，傅新宇，魏景峰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11