一种高频段滤波装置、电器设备及其高频段滤波方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种高频段滤波装置、电器设备及其高频段滤波方法，该装置包括：基本滤波单元和第一高频陷波单元；所述第一高频陷波单元，设置在所述基本滤波单元中；其中，所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中高频段之外频段部分的共模干扰进行滤除；所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。本发明专利技术的方案，可以解决增加滤波器级数提高高频共模滤波性能的方式器件成本大的问题，达到减小成本的效果。

A High Frequency Band Filtering Device, Electrical Equipment and Its High Frequency Band Filtering Method

【技术实现步骤摘要】
一种高频段滤波装置、电器设备及其高频段滤波方法
本专利技术属于滤波
，具体涉及一种高频段滤波装置、电器设备及其高频段滤波方法，尤其涉及一种高频段传导共模干扰陷波电路和家用电器。
技术介绍
共模滤波器用于滤除电器设备产生的共模干扰，以满足电磁兼容标准要求。共模滤波器的通常结构包括共模电容(也称为Y电容)和共模电感，通过共模电感的共模阻抗以及共模电容的旁路作用降低共模干扰。共模滤波器通常针对传导电磁干扰，作用频段在150kHz-30MHz。高频段(约10MHz-30MHz)传导电磁干扰超标是电磁兼容测试遇到的常见问题。对于高频段共模干扰，通常需要加大进线磁环的匝数、个数以提高共模阻抗，但是阻抗的加大受到匝间电容的约束。增加滤波器级数可以提高高频共模滤波性能，但是器件成本大幅增加。上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述缺陷，提供一种高频段滤波装置、电器设备及其高频段滤波方法，以解决增加滤波器级数提高高频共模滤波性能的方式器件成本大的问题，达到减小成本的效果。本专利技术提供一种高频段滤波装置，包括：基本滤波单元和第一高频陷波单元；所述第一高频陷波单元，设置在所述基本滤波单元中；其中，所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中高频段之外频段部分的共模干扰进行滤除；所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。可选地，所述基本滤波单元，包括：第一磁环、第一共模扼流圈和第一共模电容；其中，所述第一磁环，设置在所述电源的电源进线的L、N线处；所述第一共模电容和所述第一高频陷波单元，依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间；所述第一共模扼流圈，设置在电源进线的L、N线上，且位于所述第一共模电容和所述第一高频陷波单元之间。可选地，所述基本滤波单元，还包括：第二共模扼流圈；所述第二共模扼流圈设置在所述电源的电源出线的L、N线上；其中，所述第一磁环，包括：阻抗值在预设值以上的高频段磁环，以与所述第一共模扼流圈和所述第二共模扼流圈，形成两级以上的多级滤波单元。可选地，该高频段滤波装置，还包括：第二高频陷波单元；所述第二高频陷波单元，设置在电源进线的L、N线与地线之间，且位于所述第二高频陷波单元远离电源线进线的一侧。可选地，所述第二高频陷波单元的结构，与所述第一高频陷波单元的结构相同。可选地，所述第一高频陷波单元，包括：第二共模电容和第一陷波电感；其中，所述第二共模电容的公共端，经所述第一陷波电感后接地。可选地，所述第一高频陷波单元，还包括：第一陷波电阻；其中，所述第二共模电容的公共端，依次经所述第一陷波电感和所述第一陷波电阻后接地。可选地，每个共模电容，包括：陶瓷电容或薄膜电容；每个共模电容的电容值大于第一共模扼流圈或第二共模扼流圈的寄生电容；和/或，第一陷波电感，包括：两个以上电感；两个以上所述电感串联；第一陷波电感的磁芯，采用镍锌铁氧体或镁锌铁氧体设置。与上述装置相匹配，本专利技术再一方面提供一种电器设备，包括：以上所述的高频段滤波装置。与上述电器设备相匹配，本专利技术再一方面提供一种电器设备的高频段滤波方法，包括：通过基本滤波单元，对待滤波的电源中高频段之外频段部分的共模干扰进行滤除；通过第一高频陷波单元，对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。本专利技术的方案，通过利用谐振电感和共模扼流圈寄生电容的并联谐振，对高频段共模干扰产生较大阻抗，抑制高频段共模干扰传出，且成本低。进一步，本专利技术的方案，通过在滤波器出线处Y电容串联电感再接地，滤波器级数减少，电源线出线处磁环减少、匝数减少，电路器件成本下降。进一步，本专利技术的方案，通过在滤波器出线处Y电容串联电感再接地，以利用谐振电感和共模扼流圈寄生电容的并联谐振，减少滤波器级数，并对高频段共模干扰产生较大阻抗，成本低。由此，本专利技术的方案，通过利用谐振电感和共模扼流圈寄生电容的并联谐振，对高频段共模干扰产生较大阻抗，抑制高频段共模干扰传出，解决增加滤波器级数提高高频共模滤波性能的方式器件成本大的问题，达到减小成本的效果。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本专利技术的高频段滤波装置的一实施例的结构示意图，具体为高频共模陷波电路的结构示意图；图2为本专利技术的高频段滤波装置的另一实施例的结构示意图，具体为二级滤波的陷波电路的结构示意图；图3为常规的高频共模滤波电路的结构示意图；图4为一种干扰基于图3的传导EMI测试效果示意图；图5为一种干扰基于图1的传导EMI测试效果示意图。结合附图，本专利技术实施例中附图标记如下：Y1-第一Y电容；Y2-第二Y电容；Y3-第三Y电容；Y4-第四Y电容；R1-第一陷波电阻；R2-第二陷波电阻；L1-第一陷波电感；L2-第二陷波电感。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。根据本专利技术的实施例，提供了一种高频段滤波装置。参见图1所示本专利技术的装置的一实施例的结构示意图。该高频段滤波装置可以包括：基本滤波单元和第一高频陷波单元。所述第一高频陷波单元，设置在所述基本滤波单元中。其中，所述基本滤波单元，可以用于对待滤波的电源中高频段之外频段部分的共模干扰进行滤除。所述第一高频陷波单元，可以用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。例如：为了低成本地实现高频段(约10MHz-30MHz)共模传导电磁干扰的滤除。本专利技术的方案，提供了一种高频段传导共模干扰陷波电路和家用电器，利用谐振电感和共模扼流圈寄生电容的并联谐振，对高频段共模干扰产生较大阻抗，抑制高频段共模干扰传出。例如：通过在滤波器出线处Y电容串联电感再接地，使滤波器级数减少，电源线出线处磁环减少、匝数减少，电路器件成本下降。由此，通过基本滤波单元和第一高频陷波单元的配合设置，可以增强高频滤波效果，增强滤除共模传导电磁干扰的效果。可选地，所述基本滤波单元，可以包括：第一磁环、第一共模扼流圈和第一共模电容。其中，所述第一磁环，设置在所述电源的电源进线的L、N线处。所述第一共模电容和所述第一高频陷波单元，依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间。所述第一共模扼流圈，设置在电源进线的L、N线上，且位于所述第一共模电容和所述第一高频陷波单元之间。例如：可以在图3所示方案的基础上，对其第二共模电容Y2旁路通路进行优化设计，对第二共模电容Y2后串联一个陷波电感和陷波电阻，提高其高频旁路阻抗，抑制高频共模干扰，一个实施方式可以如图1所示。若利用形如图1的陷波电路，提高Y电容在高频时的阻抗，迫使干扰源经过共模扼流圈，且选用的共模扼流圈可以使用铁氧体/非晶，同时保证低频和高频抑制效果，可以减少电源进线处的磁环使用，并减少使用一个第二共模扼流圈，最终效果如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频段滤波装置，其特征在于，包括：基本滤波单元和第一高频陷波单元；所述第一高频陷波单元，设置在所述基本滤波单元中；其中，所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中高频段之外频段部分的共模干扰进行滤除；所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。

【技术特征摘要】
1.一种高频段滤波装置，其特征在于，包括：基本滤波单元和第一高频陷波单元；所述第一高频陷波单元，设置在所述基本滤波单元中；其中，所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中高频段之外频段部分的共模干扰进行滤除；所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基本滤波单元，包括：第一磁环、第一共模扼流圈和第一共模电容；其中，所述第一磁环，设置在所述电源的电源进线的L、N线处；所述第一共模电容和所述第一高频陷波单元，依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间；所述第一共模扼流圈，设置在电源进线的L、N线上，且位于所述第一共模电容和所述第一高频陷波单元之间。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述基本滤波单元，还包括：第二共模扼流圈；所述第二共模扼流圈设置在所述电源的电源出线的L、N线上；其中，所述第一磁环，包括：阻抗值在预设值以上的高频段磁环，以与所述第一共模扼流圈和所述第二共模扼流圈，形成两级以上的多级滤波单元。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，该高频段滤波装置，还包括：第二高频陷波单元；所述第二高频陷波单元，设置在电源进线的L、N线与地线之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭建明，曾颖宇，万今明，肖彪，黄强，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44