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磁传感装置制造方法及图纸

技术编号:22235883 阅读:17 留言:0更新日期:2019-10-09 15:52
本发明专利技术提供一种磁传感装置,其具备第一磁传感器、第二磁传感器、软磁性构造体。第一磁传感器生成与外部磁场的平行于X方向的方向的分量对应的检测值。第二磁传感器生成与外部磁场的平行于Y方向的方向的分量对应的检测值。在软磁性构造体上存在X方向的剩余磁化的状态下,对第一磁传感器施加基于软磁性构造体的剩余磁化的磁场即包含‑X方向的分量的磁场。在软磁性构造体上存在Y方向的剩余磁化的状态下,对第二磁传感器施加基于软磁性构造体的剩余磁化的磁场即包含‑Y方向的分量的磁场。

Magnetic sensor

【技术实现步骤摘要】
磁传感装置
本专利技术涉及包含磁传感器和软磁性构造体的磁传感装置。
技术介绍
近年来,在种种用途中都在利用磁传感器。作为磁传感器,已知有使用了设置于基板上的多个磁检测元件的磁传感器。作为磁检测元件,例如可使用磁阻效应元件。国际公开第2011/068146号记载了在支承体上设有X轴磁传感器、Y轴磁传感器及Z轴磁传感器的地磁传感器。在该地磁传感器中,Z轴磁传感器具备磁阻效应元件和软磁性体。软磁性体将平行于Z轴的方向的垂直磁场分量转换为垂直于Z轴的方向的水平磁场分量,并将该水平磁场分量赋予磁阻效应元件。然而,一直以来,在使用如磁阻效应元件那样包含磁性层的磁检测元件的磁传感器中,检测值会因磁性层的磁滞特性而具有磁滞特性,其结果,存在检测精度降低等的问题点。下面,对该问题点进行详细说明。在磁检测元件所含的磁性层具有磁滞特性的情况下,在通过外部磁场而磁性层暂时具有磁化以后,即使外部磁场变成零,也会在磁性层上残余某种大小的磁化。其结果,通过该残余的磁化,导致外部磁场为零时的磁传感器的检测值与理想值不同。另外,在外部磁场变成了零时,磁性层上残余的磁化的方向或大小会因外部磁场变成零之前的外部磁场的方向或大小而不同。因此,导致外部磁场变成了零时的磁传感器的检测值因外部磁场变成零之前的外部磁场的方向及大小而不同。这样,检测值就会具有磁滞特性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种磁传感装置,其能够抑制由检测值的磁滞特性引起的检测精度的降低。本专利技术的磁传感装置具备:至少一个第一种磁传感器、和由软磁性材料构成的软磁性构造体。至少一个第一种磁传感器包含至少一个磁检测元件,并生成对应于外部磁场的检测值。软磁性构造体具有在使外部磁场发生了变化时的磁化的磁滞曲线表示剩余磁化的磁特性。至少一个第一种磁传感器和软磁性构造体以在软磁性构造体存在剩余磁化的状态下对至少一个第一种磁传感器施加基于剩余磁化的磁场的方式构成。至少一个第一种磁传感器在单独时,具有在使外部磁场发生了变化时的检测值的磁滞曲线中,在外部磁场为零时的检测值和理想值之差成为零以外的第一值的特性。组装于磁传感装置的状态下的至少一个第一种磁传感器具有在使外部磁场发生了变化时的检测值的磁滞曲线中,在外部磁场为零时的检测值和理想值之差成为第二值的特性。第二值的绝对值比第一值的绝对值小。在本专利技术的磁传感装置中,至少一个第一种磁传感器也可以生成与外部磁场的平行于第一方向的方向的分量对应的检测值。在这种情况下,至少一个第一种磁传感器和软磁性构造体也可以沿与第一方向交叉的方向并排配置。另外,在本专利技术的磁传感装置中,施加于至少一个第一种磁传感器的基于剩余磁化的磁场也可以包含与剩余磁化的方向相反的方向的分量。另外,在本专利技术的磁传感装置中,至少一个磁检测元件也可以包含至少一个磁性层。另外,在本专利技术的磁传感装置中,至少一个第一种磁传感器也可以是生成与外部磁场的平行于第一方向的方向的分量对应的检测值的第一磁传感器、和生成与外部磁场的平行于第二方向的方向的分量对应的检测值的第二磁传感器。第一方向和第二方向相互正交。磁传感装置也可以还具备支承第一及第二磁传感器和软磁性构造体的支承部。支承部也可以具有与第一及第二方向都平行的基准平面。基准平面也可以包含相互不同的第一区域、第二区域和第三区域。第一区域是将第一磁传感器垂直投影到基准平面上而形成的区域。第二区域是将第二磁传感器垂直投影到基准平面上而形成的区域。第三区域是将软磁性构造体垂直投影到基准平面上而形成的区域。在将位于基准平面内,并穿过第三区域的重心且相互正交的两条直线设为第一直线和第二直线时,第一区域的至少一部分也可以位于与第一直线交叉的位置,第二区域的至少一部分也可以位于与第二直线交叉的位置。第一直线也可以与第二方向平行。另外,第一区域的任何部分也可以都不与第二直线交叉,第二区域的任何部分也可以都不与第一直线交叉。另外,磁传感装置也可以还具备用于检测外部磁场的平行于第三方向的方向的分量的第二种磁传感器。第三方向与第一方向及第二方向正交。在这种情况下,软磁性构造体也可以包含磁场转换部,所述磁场转换部接收外部磁场的平行于第三方向的方向的分量,输出垂直于第三方向的方向的输出磁场分量。输出磁场分量的强度也可以与外部磁场的平行于第三方向的方向的分量的强度具有对应关系。第二种磁传感器也可以检测输出磁场分量的强度。另外,软磁性构造体也可以还具备至少一个软磁性层。另外,支承部也可以包含具有上表面的基板。第一及第二磁传感器、第二种磁传感器以及软磁性构造体也可以配置于基板的上表面上或上方。基准平面也可以为基板的上表面。在本专利技术的磁传感装置中,通过具备如上所述规定的至少一个第一种磁传感器和软磁性构造体,能够抑制由检测值的磁滞特性引起的检测精度的降低。本专利技术的其它目的、特征及利益通过以下说明即可明白。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式的磁传感装置的概略结构的俯视图;图2是表示本专利技术的一个实施方式的磁传感装置的电路结构的一个例子的电路图;图3是表示本专利技术的一个实施方式的第一及第二磁传感器的结构和与第一磁传感器有关的配线的说明图;图4是表示本专利技术的一个实施方式的第一及第二磁传感器的结构和与第二磁传感器有关的配线的说明图;图5是表示本专利技术的一个实施方式的与第三磁传感器有关的配线的说明图;图6是表示本专利技术的一个实施方式的磁阻效应元件的立体图;图7是表示本专利技术的一个实施方式的一个电阻部的一部分的立体图;图8是表示本专利技术的一个实施方式的磁场转换部的结构的一个例子的说明图;图9是表示本专利技术的一个实施方式的第一~第三磁传感器和软磁性构造体各自的一部分的截面图;图10是表示本专利技术的一个实施方式的软磁性构造体的磁滞曲线的特性图;图11是放大表示图10所示的磁滞曲线的一部分的特性图;图12是表示本专利技术的一个实施方式的第一种磁传感器的检测值的磁滞曲线的特性图;图13是放大表示图12所示的磁滞曲线的一部分的特性图;图14是用于说明本专利技术的一个实施方式的磁传感装置的效果的说明图;图15是用于说明本专利技术的一个实施方式的磁传感装置的效果的说明图。具体实施方式下面,参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。首先,参照图1对本专利技术的一个实施方式的磁传感装置的概略结构进行说明。本实施方式的磁传感装置1是检测外部磁场的、相互正交的三个方向的分量的装置。磁传感装置1具备至少一个第一种磁传感器。至少一个第一种磁传感器包含至少一个磁检测元件,生成与外部磁场对应的检测值。至少一个磁检测元件包含至少一个磁性层。在本实施方式中,至少一个第一种磁传感器是生成与外部磁场的平行于第一方向的方向的分量对应的检测值的第一磁传感器10、和生成与外部磁场的平行于第二方向的方向的分量对应的检测值的第二磁传感器20。第一方向和第二方向相互正交。磁传感装置1还具备用于检测外部磁场的平行于第三方向的方向的分量的第二种磁传感器即第三磁传感器30。第三磁传感器30包含至少一个磁检测元件。第三方向与第一方向及第二方向正交。磁传感装置1还具备由软磁性材料构成的软磁性构造体40。软磁性构造体40包含磁场转换部42和至少一个软磁性层。此外,磁场转换部42表示在后面说明的图8及图9中。磁场转换部42接收外部磁场的平行于第三方向的方向的分量,输出垂直于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感装置,其特征在于,具备:至少一个第一种磁传感器,其包含至少一个磁检测元件,生成对应于外部磁场的检测值;和软磁性构造体,其由软磁性材料构成,所述软磁性构造体具有在使所述外部磁场发生了变化时的磁化的磁滞曲线表示剩余磁化的磁特性,所述至少一个第一种磁传感器和所述软磁性构造体以在所述软磁性构造体存在所述剩余磁化的状态下对所述至少一个第一种磁传感器施加基于所述剩余磁化的磁场的方式构成,所述至少一个第一种磁传感器在单独时具有在使所述外部磁场发生了变化时的所述检测值的磁滞曲线中,在所述外部磁场为零时的检测值和理想值之差成为零以外的第一值的特性,组装于所述磁传感装置的状态下的所述至少一个第一种磁传感器具有在使所述外部磁场发生了变化时的所述检测值的磁滞曲线中,在所述外部磁场为零时的检测值和理想值之差成为第二值的特性,所述第二值的绝对值比所述第一值的绝对值小。

【技术特征摘要】
2018.03.22 JP 2018-0540911.一种磁传感装置,其特征在于,具备:至少一个第一种磁传感器,其包含至少一个磁检测元件,生成对应于外部磁场的检测值;和软磁性构造体,其由软磁性材料构成,所述软磁性构造体具有在使所述外部磁场发生了变化时的磁化的磁滞曲线表示剩余磁化的磁特性,所述至少一个第一种磁传感器和所述软磁性构造体以在所述软磁性构造体存在所述剩余磁化的状态下对所述至少一个第一种磁传感器施加基于所述剩余磁化的磁场的方式构成,所述至少一个第一种磁传感器在单独时具有在使所述外部磁场发生了变化时的所述检测值的磁滞曲线中,在所述外部磁场为零时的检测值和理想值之差成为零以外的第一值的特性,组装于所述磁传感装置的状态下的所述至少一个第一种磁传感器具有在使所述外部磁场发生了变化时的所述检测值的磁滞曲线中,在所述外部磁场为零时的检测值和理想值之差成为第二值的特性,所述第二值的绝对值比所述第一值的绝对值小。2.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于,所述至少一个第一种磁传感器生成与所述外部磁场的平行于第一方向的方向的分量对应的检测值,所述至少一个第一种磁传感器和所述软磁性构造体以沿与所述第一方向交叉的方向并排的方式配置。3.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于,施加于所述至少一个第一种磁传感器的基于所述剩余磁化的磁场包含与所述剩余磁化的方向相反方向的分量。4.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于,所述至少一个磁检测元件包含至少一个磁性层。5.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于,所述至少一个第一种磁传感器是生成与所述外部磁场的平行于第一方向的方向的分量对应的检测值的第一磁传感器、和生成与所述外部磁场的平行于第二方向的方向的分量对应的检测值的第二磁传感器,...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡部司也平林启
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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