滤色器和图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供滤色器和图像显示装置，所述滤色器包括：用于转换光波长的波长转换层、形成在波长转换层上的透光层和形成在透光层上的波长过滤层，其中透光层允许在波长转换层和波长过滤层之间行进的光从其透过并阻挡排气流。根据本发明专利技术的滤色器包括透光层，该透光层允许在波长转换层和波长过滤层之间行进的光从其透过并阻挡排气流，从而根据本发明专利技术的滤色器具有优异的发光效率和光保持率并能够实现高色彩再现性。

Colour filter and image display device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】滤色器和图像显示装置
本专利技术涉及滤色器和图像显示装置。更具体地，本专利技术涉及一种滤色器以及具有滤色器的图像显示装置，所述滤色器包括在波长转换层和波长过滤层之间的透光层，从而能够实现高色彩再现性同时具有优异的发光效率和光保持率。
技术介绍
最近，作为实现滤色器的方法之一，应用了使用颜料分散型感光树脂的颜料分散方法。然而，在从光源照射的光透过滤色器的过程中，出现了一部分光被滤色器吸收的问题，导致光效率降低，并且由于滤色器中含有的颜料的性质，导致色彩再现性降低。作为解决这些问题的替代方案，已经提出了一种使用含有量子点的感光树脂组合物的滤色器。例如，韩国专利公布公开No.2009-0036373公开了当传统的滤色器更换以由量子点磷光体组成的发光层时，它可以提高发光效率，从而改善显示质量。如此，当量子点用作滤色器的发光材料时，可以窄化发光波形，并且还可以具有在颜料中不能实现的高色彩再现能力并且具有优异的亮度性能。然而，具有量子点滤色器的图像显示装置使用蓝光作为光源，并且这里使用的蓝光与红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层的自发光混合。因此，在蓝色像素层的情况下没有问题，但是在红色像素层和绿色像素层的情况下可能不容易发射纯红色和绿色。例如，在绿色像素层的情况下，量子点在500nm至550nm处出现发光峰值，但是当使用蓝光时，蓝光同时在380nm至400nm处出现峰值，导致滤色器的色纯度劣化。因此，存在的缺点在于，由于以再现方式显示期望颜色的限制而使图像质量劣化。另外，量子点受到在高温下进行的用于制造滤色器的后烘焙工艺的影响，导致发光效率和光保持率的劣化。因此，需要开发一种能够抑制这种问题发生的方法。
技术实现思路
技术问题本专利技术的一个目的是提供一种滤色器，其能够实现高色彩再现性，同时具有优异的发光效率和光保持率。本专利技术的另一个目的是提供一种具有滤色器的图像显示装置。技术方案根据本专利技术的一个方面，提供了一种滤色器，其包括：转换光波长的波长转换层、形成在波长转换层上的透光层和形成在透光层上的波长过滤层，其中透光层透射在波长转换层和波长过滤层之间行进的光并阻挡排气流。在本专利技术的一个实施方案中，波长转换层可包括含有量子点的自发射型像素层。在本专利技术的一个实施方案中，透光层可以为热固性树脂组合物或光固化性树脂组合物的固化层。在本专利技术的一个实施方案中，波长过滤层可以为着色感光树脂组合物的固化层。根据本专利技术的另一个方面，本专利技术提供一种具有滤色器的图像显示装置。有益效果根据本专利技术的滤色器包括透光层，该透光层透射在波长转换层和波长过滤层之间行进的光并阻挡排气流，从而能够实现高色彩再现性同时具有优异的发光效率和光保持率。附图说明图1是根据本专利技术的一个实施方案的滤色器的横截面图。图2是根据本专利技术的另一个实施方案的滤色器的横截面图。具体实施方式在下文中，将参考附图更详细地描述本专利技术。参考图1，根据本专利技术的滤色器包括基板11；形成在基板11上并转换光波长的波长转换层12；形成在波长转换层上的透光层13；和形成在透光层上的波长过滤层14。此外，参考图2，根据本专利技术另一实施方案的滤色器包括基板11；形成在基板11上的波长过滤层14；形成在波长过滤层上的透光层13；和形成在透光层上并转换光波长的波长转换层12。这里，光源可以位于基板11的下部。<基板>在本专利技术的一个实施方案中，基板可以是滤色器本身的基板，或者滤色器位于显示装置等上所在的部分，并且没有特别限制。基板可以是玻璃基板、硅(Si)基板、氧化硅(SiOx)基板或聚合物基板。聚合物基板可以是聚醚砜(PES)基板或聚碳酸酯(PC)基板等。<波长转换层>在本专利技术的一个实施方案中，波长转换层可包括含有量子点的自发射型像素层。波长转换层的厚度可以为1.0μm至15.0μm，优选3.0μm至12μm，并且更优选4.0μm至10μm。具体而言，自发射型像素层可为自发射型感光树脂组合物的固化层，自发射型感光树脂组合物包括光致发光量子点粒子、碱溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂和溶剂。量子点是纳米尺寸的半导体材料。原子形成分子，并且分子形成称为簇的小分子的聚集体，从而形成纳米粒子。当这些纳米粒子具有特别的半导体特性时，它们被称为量子点。当量子点从外部接收能量并达到激发态时，它们发射出对应于唯一能带隙的能量。本专利技术的滤色器包括这些光致发光量子点粒子，因此由其制成的滤色器能够通过光照射发光(光致发光)。根据本专利技术的量子点不受特别限制，只要它们是能够通过光的刺激发光的量子点即可。例如，它们可以选自由II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或含有该元素的化合物；及其组合组成的组。它们可以单独使用，也可以两种或更多种组合使用。II-VI族半导体化合物可选自由以下所组成的组：选自由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组中的四元化合物，但不限于此。III-V族半导体化合物可选自由选自由以下所组成的组：选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组中的四元化合物，但不限于此。IV-VI族半导体化合物可选自由以下所组成的组：选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组中的四元化合物，但不限于此。IV族元素或包含其的化合物可选自由以下所组成的组：选自由Si、Ge及其混合物组成的组中的元素；和选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组中的二元化合物，但不限于此。此外，量子点可以具有均匀的单一结构；双重结构，例如核壳结构、梯度结构等；或其混合结构。在核-壳的双重结构中，构成核和壳中的每一个的材料可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤色器，包括：转换光波长的波长转换层、形成在所述波长转换层上的透光层和形成在所述透光层上的波长过滤层，其中所述透光层透射在所述波长转换层和所述波长过滤层之间行进的光并阻挡排气流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.14 KR 10-2017-00200851.一种滤色器，包括：转换光波长的波长转换层、形成在所述波长转换层上的透光层和形成在所述透光层上的波长过滤层，其中所述透光层透射在所述波长转换层和所述波长过滤层之间行进的光并阻挡排气流。2.根据权利要求1所述的滤色器，其中所述波长转换层包括含有量子点的自发射型像素层。3.根据权利要求2所述的滤色器，其中所述自发射型像素层是自发射型感光树脂组合物的固化层，所述自发射型感光树脂组合物包括光致发光量子点粒子、碱溶性树脂、光聚合性化...

【专利技术属性】
技术研发人员：金亨柱，金胄皓，王贤正，李宗洙，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR