【技术实现步骤摘要】
一种热插拔保护电路及方法
本专利技术涉及电子通信领域，具体涉及一种热插拔保护电路及方法。
技术介绍
工业电子通信系统通常使用48V供电，供电电压较高，在电子系统通过连接器将电源插拔或反接上电时，往往由于电路板存在较大电容电感等元件此时会在电子系统与供电系统连接器管脚触点处电压会出现弹跳，电压发生震荡从而产生较高的过冲电压，电压震荡往往会持续几十ms到上百ms，期间产生能量如果较大，往往会损坏接入的电子元器件。为了解决上述问题，需要为工业电子通信供电系统提供模块化的解决方案，通过控制MOS开关管的通断延时电源给电子系统供电时间，在热插拔产生抖动发生的几十到上百毫秒内不对电子通信系统供电以消除抖动的影响。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术公开了一种热插拔保护电路及方法。本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案是：一种热插拔保护电路，包括：连接端口(J1)、MOS开关管(Q1)和热插拔保护模块；该热插拔保护模块包括第一稳压二极管(D3)和用于延时闭合所述MOS开关管(Q1)的延时单元，所述第一稳压二极管(D3)的正极与所述延时单元的输入端连接，所述连接端口(J1)...
【技术保护点】
1.一种热插拔保护电路，其特征在于，包括：连接端口(J1)、MOS开关管(Q1)和热插拔保护模块；该热插拔保护模块包括第一稳压二极管(D3)和用于延时闭合所述MOS开关管(Q1)的延时单元，所述第一稳压二极管(D3)的正极与所述延时单元的输入端连接，所述连接端口(J1)的第一管脚连接到所述第一稳压二极管(D3)的负极；所述延时单元的输出端与该MOS开关管(Q1)的栅极连接，所述MOS开关管(Q1)的源极与所述连接端口(J1)的第二管脚连接。
【技术特征摘要】
1.一种热插拔保护电路，其特征在于，包括：连接端口(J1)、MOS开关管(Q1)和热插拔保护模块；该热插拔保护模块包括第一稳压二极管(D3)和用于延时闭合所述MOS开关管(Q1)的延时单元，所述第一稳压二极管(D3)的正极与所述延时单元的输入端连接，所述连接端口(J1)的第一管脚连接到所述第一稳压二极管(D3)的负极；所述延时单元的输出端与该MOS开关管(Q1)的栅极连接，所述MOS开关管(Q1)的源极与所述连接端口(J1)的第二管脚连接。2.根据权利要求1所述的热插拔保护电路，其特征在于，其还包括防反接单元和至少一个电路保护单元；所述连接端口(J1)的第一管脚连接到所述电路保护单元的输入端，该电路保护单元、防反接单元依次连接，且所述防反接单元的输出端连接到所述第一稳压二极管(D3)的负极。3.根据权利要求2所述的热插拔保护电路，其特征在于，其还包括滤波模块，所述滤波模块包括共模电感和若干与所述共模电感并联的消噪电容；所述防反接单元的输出端与所述共模电感的第一输入端连接，所述共模电感的第二输入端与所述MOS开关管(Q1)的漏极连接，所述共模电感的第三、第四输出端接入电源。4.根据权利要求2所述的热插拔保护电路，其特征在于，所述电路保护单元包括依次连接的第一级保护电路、第二级保护电路；所述第一级保护电路包括PTC保险丝(PT1)，所述PTC保险丝(PT1)的输入端连接到所述连接端口(J1)的第一管脚，所述PTC保险丝(PT1)的输出端与所述第二级保护电路的输入端连接；所述第二级保护电路包括相互并联的TVS二极管(D1)和陶瓷电容器(C1)；所述TVS二极管(D1)的输入端与所述PTC保险丝(PT1)的输出端连接。5.根据权利要求3所述的热插拔保护电路，其特征在于，所述防反接单元为肖特基二极管(D2)，所述肖特基二极管(D2)的输入端与所述电路保护单元的输出端连接，所述肖特基二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：凌应路，
申请(专利权)人：深圳市中创工业互联网有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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