放射线检测器以及放射线图像拍摄装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及放射线检测器以及放射线图像拍摄装置。放射线检测器具备：传感器基板，其包含挠性的基材、以及设置于基材的第1面且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素的层；变换层，其设置于形成像素的层中的设置基材的一侧的相反侧，将放射线变换成光；和应力中立面调整构件，其设置于基材的第1面的相反侧的第2面侧，将应力中立面的位置从与传感器基板对置的变换层的面即界面调整到传感器基板以及变换层层叠的层叠方向P的预先确定的范围内。

Radiation Detector and Radiation Image Capturing Device

【技术实现步骤摘要】
放射线检测器以及放射线图像拍摄装置
本专利技术涉及放射线检测器以及放射线图像拍摄装置。
技术介绍
过去，已知进行以医疗诊断为目的的放射线拍摄的放射线图像拍摄装置。在这样的放射线图像拍摄装置中使用用于检测透过被摄体的放射线并生成放射线图像的放射线检测器。作为放射线检测器，有具备如下要素的放射线检测器：将放射线变换成光的闪烁体等变换层；设置有多个蓄积对应于由变换层变换的光而产生的电荷的多个像素的传感器基板。作为这样的放射线检测器，已知在传感器基板中使用挠性的基材的放射线检测器(例如参考JP特开2013-217769号公报(专利文献1))。通过使用挠性的基材，例如能使放射线图像拍摄装置(放射线检测器)轻量化，而且有时会使被摄体的拍摄变得容易。在专利文献1记载的技术中，由于使用挠性的基材，因此设置有调整挠曲特性(刚性分布)的挠曲调整构件。在专利文献1记载的技术中，通过挠曲调整构件，使由放射线检测器和用于从放射线检测器读出电荷的控制部等电气电路一体构成的装置整体发生挠曲，从而应力会集中在刚性小的部分，可抑制耐撞击性的降低。然而，在放射线图像拍摄装置的制造工序的中途等，有时放射线检测器会按单体来对待。在与变换层和传感器基板层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器和电气电路，遍及放射线检测器以及电气电路的整体来设置挠曲调整构件，在这样的放射线图像拍摄装置中，并未考虑按放射线检测器单体进行对待的情况。因此，在上述结构的放射线图像拍摄装置中的放射线检测器按单体被对待的情况下，传感器基板有可能会从变换层剥离。
技术实现思路
本公开的目的在于，提供放射线检测器以及放射线图像拍摄装置，在与变换层和传感器基板层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器和电气电路，相比遍及放射线检测器以及电气电路的整体设置挠曲调整构件的放射线图像拍摄装置，能抑制放射线检测器单体中的传感器基板与变换层的剥离。为了达成上述目的，本公开的第1方案的放射线检测器具备：传感器基板，其包含挠性的基材、以及设置于基材的第1面且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素的层；变换层，其设置于形成像素的层中的设置基材的一侧的相反侧，将放射线变换成光；和应力中立面调整构件，其设置于基材的第1面的相反侧的第2面侧，将应力中立面的位置从与传感器基板对置的变换层的面即界面调整到传感器基板以及变换层层叠的层叠方向的预先确定的范围内。另外，本公开的第2方案的放射线检测器在第1方案的放射线检测器的基础上，预先确定的范围是比不设置应力中立面调整构件的情况下的界面与应力中立面的距离短的范围。另外，本公开的第3方案的放射线检测器在第1方案或第2方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件至少设置于覆盖传感器基板和变换层对置的区域的区域。另外，本公开的第4方案的放射线检测器在第1方案至第3方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的弯曲弹性模量是150MPa以上且2500MPa以下。另外，本公开的第5方案的放射线检测器在第1方案至第4方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的材料包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一种。另外，本公开的第6方案的放射线检测器在第1方案至第5方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的热膨胀系数相对于变换层的热膨胀系数之比是0.5以上且4以下。另外，本公开的第7方案的放射线检测器在第1方案至第6方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的热膨胀系数是30ppm/K以上且200ppm/K以下。另外，本公开的第8方案的放射线检测器在第1方案至第7方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，还具备：紧贴层，其设置于界面，且与传感器基板以及变换层相接。另外，本公开的第9方案的放射线检测器在第1方案至第7方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，还具备：缓冲层，其设置于传感器基板与变换层之间，对变换层的热膨胀系数与传感器基板的热膨胀系数之差进行缓冲。另外，本公开的第10方案的放射线检测器在第1方案至第9方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件包含在层叠方向上层叠的功能不同的多个膜。另外，本公开的第11方案的放射线检测器在第10方案的放射线检测器的基础上，多个膜包含应力中立面调整膜和带电防止膜。另外，本公开的第12方案的放射线检测器在第11方案的放射线检测器的基础上，带电防止膜设置得比应力中立面调整膜更靠第2面侧。另外，本公开的第13方案的放射线检测器在第10方案的放射线检测器的基础上，多个膜包含应力中立面调整膜和防湿膜。另外，本公开的第14方案的放射线检测器在第13方案的放射线检测器的基础上，防湿膜设置得比应力中立面调整膜更靠第2面侧。另外，本公开的第15方案的放射线检测器在第1方案至第14方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材是树脂制，且具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子的微粒子层。另外，本公开的第16方案的放射线检测器在第15方案的放射线检测器的基础上，基材在第2面侧具有微粒子层。另外，本公开的第17方案的放射线检测器在第15方案或第17方案的放射线检测器的基础上，微粒子包含原子序数比构成基材的元素大且原子序数为30以下的元素。另外，本公开的第18方案的放射线检测器在第1方案至第17方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材在300℃～400℃下的热膨胀系数是20ppm/K以下。另外，本公开的第19方案的放射线检测器在第1方案至第18方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材在厚度为25μm的状态下满足400℃下的MD(MachineDirection，纵向)方向的热收缩率为0.5％以下、以及500℃下的弹性模量为1GPa以上这两者中的至少一者。另外，本公开的第20方案的放射线检测器在第1方案至第19方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的刚性比基材高。另外，本公开的第21方案的放射线检测器在第1方案至第20方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，变换层包含CsI。另外，本公开的第22方案的放射线检测器在第1方案的放射线检测器的基础上，进一步在变换层层叠于传感器基板而成的层叠体的变换层侧具备加强构件。另外，本公开的第23方案的放射线检测器在第22方案的放射线检测器的基础上，加强构件遍及比变换层延伸的范围广的范围进行延伸。另外，本公开的第24方案的放射线检测器在第22方案的放射线检测器的基础上，加强构件在与变换层的中央部以及周缘部对应的区域延伸。另外，本公开的第25方案的放射线检测器在第23方案或第24方案的放射线检测器的基础上，变换层的周缘部具有越接近变换层的外周则厚度越薄的倾斜，加强构件沿着变换层的周缘部具有的倾斜而设置。另外，本公开的第26方案的放射线检测器在第23方案的放射线检测器的基础上，变换层的周缘部具有越接近所述变换层的外周则厚度越薄的倾斜，在加强构件与变换层之间形成与变换层的周缘部具有的倾斜相应的空间。另外，本公开的第27方案的放射线检测器在第26方案的放射线检测器的基础上，在形成于加强构件与变换层之间的空间填充本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放射线检测器，具备：传感器基板，其包含挠性的基材、以及设置于所述基材的第1面且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素的层；变换层，其设置于形成所述像素的层中的设置所述基材的一侧的相反侧，将放射线变换成所述光；和应力中立面调整构件，其设置于所述基材的所述第1面的相反侧的第2面侧，将应力中立面的位置从与所述传感器基板对置的所述变换层的面即界面调整到所述传感器基板以及所述变换层层叠的层叠方向的预先确定的范围内。

【技术特征摘要】
2018.03.19 JP 2018-051689;2018.11.22 JP 2018-219691.一种放射线检测器，具备：传感器基板，其包含挠性的基材、以及设置于所述基材的第1面且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素的层；变换层，其设置于形成所述像素的层中的设置所述基材的一侧的相反侧，将放射线变换成所述光；和应力中立面调整构件，其设置于所述基材的所述第1面的相反侧的第2面侧，将应力中立面的位置从与所述传感器基板对置的所述变换层的面即界面调整到所述传感器基板以及所述变换层层叠的层叠方向的预先确定的范围内。2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述预先确定的范围是比不设置所述应力中立面调整构件的情况下的所述界面与所述应力中立面的距离短的范围。3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器，其中，所述应力中立面调整构件至少设置于覆盖所述传感器基板和所述变换层对置的区域的区域。4.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述应力中立面调整构件的弯曲弹性模量是150MPa以上且2500MPa以下。5.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述应力中立面调整构件的材料包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一种。6.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述应力中立面调整构件的热膨胀系数相对于所述变换层的热膨胀系数之比是0.5以上且4以下。7.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述应力中立面调整构件的热膨胀系数是30ppm/K以上且200ppm/K以下。8.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述放射线检测器还具备：紧贴层，其设置于所述界面，且与所述传感器基板以及所述变换层相接。9.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述放射线检测器还具备：缓冲层，其设置于所述传感器基板与所述变换层之间，对所述变换层的热膨胀系数与所述传感器基板的热膨胀系数之差进行缓冲。10.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述应力中立面调整构件包含在所述层叠方向上层叠的功能不同的多个膜。11.根据权利要求10所述的放射线检测器，其中，所述多个膜包含应力中立面调整膜和带电防止膜。12.根据权利要求11所述的放射线检测器，其中，所述带电防止膜设置得比所述应力中立面调整膜更靠所述第2面侧。13.根据权利要求10所述的放射线检测器，其中，所述多个膜包含应力中立面调整膜和防湿膜。14.根据权利要求13所述的放射线检测器，其中，所述防湿膜设置得比所述应力中立面调整膜更靠所述第2面侧。15.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述基材是树脂制，且具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子的微粒子层。16.根据权利要求15所述的放射线检测器，其中，所述基材在所述第2面侧具有所述微粒子层。17.根据权利要求15或16所述的放射线检测器，其中，所述微粒子包含原子序数比构成所述基材的元素大且原子序数为30以下的元素。18.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述基材在300℃～400℃下的热膨胀系数是20ppm/K以下。19.根据权利要求1所述的放射...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛仓信一，中津川晴康，赤松圭一，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP