自旋流磁化反转元件和自旋轨道转矩型磁阻效应元件制造技术

该自旋流磁化反转元件(10)具备：自旋轨道转矩配线(2)，其沿第一方向(X)延伸；和第一铁磁性层(1)，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向(Z)上，其中，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面(2a)和与所述第一表面相反的一侧的第二表面(2b)，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域(2A)；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域(2B)。

Spin Current Magnetization Inversion Element and Spin Orbit Torque Magnetoresistance Effect Element

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自旋流磁化反转元件和自旋轨道转矩型磁阻效应元件
本专利技术涉及自旋流磁化反转元件和自旋轨道转矩型磁阻效应元件。本申请主张享有于2017年9月7日在日本提交的日本专利申请特愿2017-172399号的优先权，并且在这里援引其内容。
技术介绍
由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨大磁阻(GMR)元件、以及将绝缘层(隧道势垒层，势垒层)用于非磁性层的隧道磁阻(TMR)元件被称为磁阻效应元件。通常，与GMR元件相比，TMR元件的元件电阻更高且磁阻(MR)比更大。因此，作为磁传感器、高频元件、磁头及非易失性随机存取存储器(MRAM)的元件，TMR元件备受关注。MRAM利用当夹住绝缘层的两个铁磁性层相互的磁化方向改变时TMR元件的元件电阻发生变化这一特性来读取和写入数据。作为MRAM的写入方法，已知：利用由电流产生的磁场来执行写入(磁化反转)的方式；或利用在磁阻效应元件的层叠方向上流通电流而产生的自旋转移转矩(STT)来执行写入(磁化反转)的方式。从能量效率的观点来看，利用STT的TMR元件的磁化反转是有效的，但是用于磁化反转的反转电流密度高。从TMR元件的长寿命的观点来看，期望该反转电流密度低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自旋流磁化反转元件，其中，具备：自旋轨道转矩配线，其沿第一方向延伸；和第一铁磁性层，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向上，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面和与所述第一表面相反的一侧的第二表面，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.09.07 JP 2017-1723991.一种自旋流磁化反转元件，其中，具备：自旋轨道转矩配线，其沿第一方向延伸；和第一铁磁性层，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向上，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面和与所述第一表面相反的一侧的第二表面，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域。2.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其中，当从所述第一区域观察时，所述第二区域位于所述第一方向的外侧位置。3.根据权利要求1或2所述的自旋流磁化反转元件，其中，还具备：通孔配线，其从所述自旋轨道转矩配线的表面中的所述第二表面沿与所述第一方向交叉的方向延伸，在从所述第二方向观察的俯视图中，所述第二区域与所述通孔配线重叠。4.根据权利要求1～3中任一项所述的自旋流磁化反转元件，其中，所述第二区域相对于所述第一区域的凹陷的深度为所述自旋轨道转矩配线的厚度以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的自旋流磁化反转元件，其中，所述第二区域的凹陷具有倾斜面，该倾斜面以随着远离所述第一区域而变深的方式相对于所述第一表面的第一区域倾斜。6.根据权利要求5所述的自旋流磁化反转元件，其中，在将所述第一铁磁性层的厚度设为h、将所述倾斜面的倾斜角设为φ、将所述第一区域与所述第二区域的最短距离设为G、将入射于所述第一铁磁性层的离子束与平行于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木智生，盐川阳平，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP