【技术实现步骤摘要】
发送电路和电源电路本申请是于2015年5月13日提交的、申请号为201510243255.5、专利技术名称为“电源电路、相关发送电路、集成电路和发送信号的方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容涉及电源电路。本公开内容的实施例涉及用于设备的解决方案,这些设备提供用于开关电源的转换器中的唤醒系统。
技术介绍
电源电路、如例如AC到DC或者DC到DC开关电源在本领域中是众所周知的。图1示出在输出处供应用于负载LD的供应信号的电源电路的架构。在考虑的示例中,电源电路包括输入级10、切换级20、输出级30和控制电路40。例如输入级10可以包括整流器、如比如二极管桥和/或一个或者多个输入滤波器。例如输入级10通常地被配置为例如经由电线M接收输入AC或者DC电压,并且在输出处供应DC电压Vin。一般而言,具体在输入电压M已经是DC电压时,以上滤波器也可以是多余的,因而输入级10完全地是可选的。切换级20由包括至少一个电子开关的电子转换器构成。存在主要地划分成绝缘型转换器和非绝缘型转换器的许多类型的电子转换器。例如非绝缘型电子转换器是“降压”、“升压”、“降压-升压”、“Cuk”、“SEPIC”和“ZETA”类型的转换器。取而代之,绝缘型转换器例如是“反激”、“正向”、“半桥”和“全桥”类型的转换器。这些类型的转换器是本领域技术人员众所周知的。最后,输出级30可以包括滤波器,滤波器稳定在输出处来自切换级20的信号Vout。一般而言,也可以已经在级20中包括这些滤波器,因而输出级30完全地是可选的。在以上架构中,通常经由控制电路40控制对切换级20的一个或者多 ...
【技术保护点】
1.一种发送电路,所述发送电路被设计为在包括变压器的电子转换器中发送反馈信号,所述变压器具有初级绕组和次级绕组,所述发送电路包括:第一n‑MOSFET,被配置为向所述次级绕组选择性地传送能量以便发送所述反馈信号;第二n‑MOSFET,具有连接到所述第一n‑MOSFET的栅极的漏极和连接到所述第一n‑MOSFET的源极的源极;以及驱动器电路,被配置为驱动所述第二n‑MOSFET,其中所述驱动器电路包括:电荷累积电容器,连接到所述第二n‑MOSFET的栅极;充电电路,被配置为从所述第一n‑MOSFET的漏极汲取能量并且利用所汲取的能量对所述电荷累积电容器充电;以及去耦合电容器,具有第一端子和第二端子,所述第一端子被耦合到所述次级绕组的端子,所述第二端子被耦合到所述电荷累积电容器以及所述第二n‑MOSFET的栅极。
【技术特征摘要】
2014.08.08 IT TO2014A0006461.一种发送电路,所述发送电路被设计为在包括变压器的电子转换器中发送反馈信号,所述变压器具有初级绕组和次级绕组,所述发送电路包括:第一n-MOSFET,被配置为向所述次级绕组选择性地传送能量以便发送所述反馈信号;第二n-MOSFET,具有连接到所述第一n-MOSFET的栅极的漏极和连接到所述第一n-MOSFET的源极的源极;以及驱动器电路,被配置为驱动所述第二n-MOSFET,其中所述驱动器电路包括:电荷累积电容器,连接到所述第二n-MOSFET的栅极;充电电路,被配置为从所述第一n-MOSFET的漏极汲取能量并且利用所汲取的能量对所述电荷累积电容器充电;以及去耦合电容器,具有第一端子和第二端子,所述第一端子被耦合到所述次级绕组的端子,所述第二端子被耦合到所述电荷累积电容器以及所述第二n-MOSFET的栅极。2.根据权利要求1所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括连接在所述去耦合电容器的所述第二端子与所述电荷累积电容器之间的第一二极管。3.根据权利要求2所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括连接在基准电压节点与所述去耦合电容器的所述第二端子之间的第二二极管。4.根据权利要求1所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括与所述电荷累积电容器并联连接的钳位二极管。5.根据权利要求1所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括晶体管开关,所述晶体管开关用于根据所述反馈信号选择性地激活和去激活所述电荷累积电容器的充电。6.一种电源电路,包括:切换级,包括:a)具有初级绕组和次级绕组的变压器;b)设置在所述变压器的初级侧上的至少一个电子开关,用于通过所述初级绕组向所述次级绕组选择性地传送能量;以及c)设置在所述变压器的次级侧上的蓄能器,其中所述蓄能器由向所述至少一个次级绕组传送的所述能量充电;监视电路,被配置用于监视在所述变压器的所述次级侧上的至少一个信号并且根据所述至少一个信号生成反馈信号;以及发送电路,设置在所述变压器的所述次级侧上,其中所述发送电路包括:a)第一MOSFET开关,其漏极连接到所述次级绕组的端子,并且被配置用于从所述蓄能器向所述次级绕组选择性地传送能量以便发送所述反馈信号;b)第二MOSFET开关,其漏极连接到所述第一MOSFET开关的栅极,其中第一MOSFET开关的源极连接到所述第二MOSFET开关的源极;以及c)用于驱动所述第二MOSFET开关的栅极的驱动器电路,其中所述驱动器电路包括:电荷累积电容器,被配置为存储用于施加到所述第二MOSFET开关的所述栅极的控制电压;以及充电电路,被配置用于从所述次级绕组汲取能量并且通过所汲取的能量对所述电荷累积电容器充电。7.根据权利要求6所述的电源电路,其中所述充电电路包括连接到所述次级绕组的所述端子的去耦合电容器。8.根据权利要求7所述的电源电路,其中所述充电电路包括布置在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·拉皮萨达,M·萨马尔塔诺,S·图米纳罗,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:意大利,IT
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