一种硅制半导体材料用单晶炉制造技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，且公开了一种硅制半导体材料用单晶炉，所述炉体的内壁安装有软铁棒，所述软铁棒上卷接有感应线圈，所述软铁棒的端部固定连接有磁力圈，所述石墨坩埚的外部安装有磁环，所述磁力圈的直径大于磁环的直径，所述磁力圈与磁环构成磁力区。该硅制半导体材料用单晶炉，通过软铁棒与感应线圈之间的配合，使得磁力圈上的磁力随提拉速度不断增加，使得坩埚在上升时，始终与籽晶轴保持同步，使得提拉晶体直径与坩埚内部相等，提升晶体的提拉质量，减小晶体在提拉时的损耗率，同时使得坩埚始终位于籽晶轴的中部，使得坩埚保持平稳的状态上升，增加液面在上升时的稳定，增加晶体在提拉时的稳定性。

A Single Crystal Furnace for Silicon Semiconductor Materials

【技术实现步骤摘要】
一种硅制半导体材料用单晶炉
本专利技术涉及半导体加工
，具体为一种硅制半导体材料用单晶炉。
技术介绍
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。硅制半导体在拉制呈棒材时，需要经过单晶炉加工后形成各个尺寸的半导体，从而应用于不同的
，现有单晶炉的工作原理如图6所述：将多晶体硅料放入石英坩埚内，再将气体注入，经加热熔化，待温度合适后，经过将籽晶轴浸入，熔接，引晶，放肩，转肩，等经，收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制，然后待单晶炉冷却后，即可将单晶锭取出，单晶锭在拉制过程中，随着液面的降低，石墨坩埚被托杆顶起向上移动，提升晶体的提拉速度，坩埚在提拉过程中，由于都是人工手动安装，造成晶体提拉速度和坩埚上升的精度、晶体直径和坩埚内径的不一致性，导致坩埚局部产生微小晃动，坩埚在晃动时，带动坩埚内部的液面晃动，造成晶体在提拉时出现形变，提拉后的晶体无法使用，同时籽晶轴在提拉时，受到机械的震动，末端也会产生微小的抖动，进一步降低晶体在提拉时的精度，影响晶体的加工。
技术实现思路
针对上述
技术介绍
的不足，本专利技术提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅制半导体材料用单晶炉，包括炉体(1)、托杆(2)、石墨坩埚(3)、石英坩埚(4)、晶体(5)、籽晶轴(6)、加热装置(7)、排气管(8)，托杆(2)安装在炉体(1)内，石墨坩埚(3)安装在托杆(2)的顶端，石英坩埚(4)安装在石墨坩埚(3)的内部，晶体(5)安装在石英坩埚(4)的内部，籽晶轴(6)安装在位于的晶体(5)上放，加热装置(7)安装在石墨坩埚(3)的外侧，排气管(8)安装在炉体(1)的底部，其特征在于：所述炉体(1)的内壁安装有软铁棒(9)，所述软铁棒(9)上卷接有感应线圈(10)，所述软铁棒(9)的端部固定连接有磁力圈(12)，所述石墨坩埚(3)的外部安装有磁环(19)，...

【技术特征摘要】
1.一种硅制半导体材料用单晶炉，包括炉体(1)、托杆(2)、石墨坩埚(3)、石英坩埚(4)、晶体(5)、籽晶轴(6)、加热装置(7)、排气管(8)，托杆(2)安装在炉体(1)内，石墨坩埚(3)安装在托杆(2)的顶端，石英坩埚(4)安装在石墨坩埚(3)的内部，晶体(5)安装在石英坩埚(4)的内部，籽晶轴(6)安装在位于的晶体(5)上放，加热装置(7)安装在石墨坩埚(3)的外侧，排气管(8)安装在炉体(1)的底部，其特征在于：所述炉体(1)的内壁安装有软铁棒(9)，所述软铁棒(9)上卷接有感应线圈(10)，所述软铁棒(9)的端部固定连接有磁力圈(12)，所述石墨坩埚(3)的外部安装有磁环(19)，所述磁力圈(12)的直径大于磁环(19)的直径，所述磁力圈(12)与磁环(19)构成磁力区，所述炉体(1)的内壁安装有限位座(20)，所述限位座(20)的内壁转动连接有限位杆(21)，所述限位杆(21)上安装有支撑块(13)，所述限位座(20)的数量为两组，另一组所述限位座(20)的侧面固定连接有限位夹(24)。2.根据权利要求1所述的一种硅制半导体材料用单晶炉，其特征在于：所述炉体(1)的侧面状有保护套(11)，所述软铁棒(9)套装在保护套(11)内，所述保护套(11)的端部与磁力圈(12)的侧面固定连接。3.根据权利要求1所述的一种硅制半导体材料用单晶炉，其特征在于：所述炉体(...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：黎兴才，
类型：发明
国别省市：广东,44