【技术实现步骤摘要】
一种堆叠式多通道跨阻放大器结构及其协同集成供电方法
本专利技术属于光通信芯片设计
，具体涉及一种堆叠式多通道跨阻放大器结构及其协同集成供电方法。
技术介绍
当下，在通讯距离为几米到几千公里的高速通信中，光通信系统是其重要实现手段。光通信传输系统具有带宽高、功耗低、损耗低和几何尺寸小等优点，它是数据中心中高速传输的合理选择。但由于要大批量应用光模块，数量从百万到亿级计，所以高速光接收机的功耗和电源效率变得十分重要。与此同时，随着深亚微米CMOS技术的发展，CMOS器件速度已赶上甚至超过SiGe、InP、GaAs等传统高速器件，故现在的高速光收发机芯片设计更倾向采用深亚微米CMOS，可以实现更好的规模经济，降低成本。此外，CMOS技术可以使光接收模拟前端与CDR(ClockDataRecovery，时钟数据恢复)等后端数字电路的集成变得更加容易，降低了系统成本和复杂性。在光模块的应用中，其电源电压通常为3.3V，目的是与传统标准兼容，并且尽可能给光器件提供较大的偏压。然而该电压与随着摩尔定律发展的先进CMOS工艺电源电压越来越小相斥，因深亚微米的CMOS器件耐压...
【技术保护点】
1.一种堆叠式多通道跨阻放大器结构，其特征在于，包括N个接收机信号通道，N个接收机信号通道堆叠设置，在不同接收机信号通道间分别设置光电二极管，每一个光电二极管单独偏置，根据通道电压域高低，对不同接收机信号通道进行光电二极管阴极或阳极耦合。
【技术特征摘要】
1.一种堆叠式多通道跨阻放大器结构，其特征在于，包括N个接收机信号通道，N个接收机信号通道堆叠设置，在不同接收机信号通道间分别设置光电二极管，每一个光电二极管单独偏置，根据通道电压域高低，对不同接收机信号通道进行光电二极管阴极或阳极耦合。2.根据权利要求1所述的堆叠式多通道跨阻放大器结构，其特征在于，光电二极管的偏置方式为：上方通道为阴极接跨阻放大器，阳极接地，下方通道为阳极接跨阻放大器，阴极接系统电源，每个接收机信号通道对应的光电二极管具有大于2V的反偏电压，每个通道对应设置直流电流检测消除环路。3.根据权利要求1所述的堆叠式多通道跨阻放大器结构，其特征在于，每个接收机信号通道放置在各自的深井中以独立偏置不同接收机信号通道的地电压。4.一种基于权利要求1所述堆叠式多通道跨阻放大器结构的协同集成供电方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、设计LDO协同工作方案；S2、将堆叠式多通道跨阻放大器结构与设计的LDO协同工作，堆叠后使总堆叠电压与模块电压的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：李丹，史勇俊，张溢华，郭卓琦，耿莉，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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