【技术实现步骤摘要】
一种测量真空度的装置与方法
本申请涉及真空度检测领域，具体涉及一种测量真空度的装置，同时涉及一种测量真空度的方法。
技术介绍
真空度是指处于真空状态下的气体稀薄程度，真空度大体分为超高真空(<1×10-5Pa)、高真空(1×10-5～1×10-1Pa)以及低真空(1×10-1～1×105Pa)范围。超高真空主要用于：表面科学、正负电子对撞机、氘和氚的核聚变等。高真空主要用于：半导体工业；原子能工业；金属材料工业；电子电器工业；汽车工业；医用领域以及分子原子层蒸镀等。低真空主要用于：一般的减压干燥与蒸馏；食品工业中的真空冷冻干烧、真空浓缩、脱气、真空包装；为高真空提供前级真空等。不同真空度的应用领域与作用不同，并且不同的真空度是以上述数值范围划分的，在某些应用中，如半导体材料的制备领域，真空度高代表空间内的杂质气体少，制备出来的半导体材料的杂质含量就少，通过控制真空度从而实现半导体材料的可控掺杂，一般而言，杂质少半导体材料的性能就好。因此，检测真空度数值的方法也变得越来越重要。现有的测量真空度方法，一般分为低真空度和高真空度测量，不同的真空度需要采用不同的真空...
【技术保护点】
1.一种测量真空度的装置，其特征在于，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；所述电极连接所述半导体薄膜材料；所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。
【技术特征摘要】
1.一种测量真空度的装置，其特征在于，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；所述电极连接所述半导体薄膜材料；所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。2.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极包括正极与负极；所述正极与所述负极均与所述半导体薄膜材料粘结。3.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极采用弹性压针、锡焊、银浆焊接、超声波压焊中的至少一种方式与所述导线连接。4.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极包括以下至少一种：铝，金，铜，银，铟。5.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述衬底为绝缘材料，所述衬底包括以下至少一种：玻璃，陶瓷。6.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述半导体薄膜材料通过等离子体增强化学气相法、磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、旋涂法中的至少一种方式沉积在所述衬底上。7.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述半导体薄膜材料包括：掺杂氢的非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗中的至少一种；或者，铜铟镓硒、碲化镉本征半导体薄膜材料中的至少一种；或者，掺杂硼、磷、砷、氢、碳的n型或p型非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗半导体薄膜材...
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