【技术实现步骤摘要】
一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法以及在能量储存材料中的应用
本专利技术涉及能源储存材料的制备和应用,具体涉及一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法以及在能量储存材料中的应用。
技术介绍
二硫化钼(MoS2)属于一种廉价的过渡金属,具有半导体材料的特有性质。二硫化钼具有三种形态的晶体结构,分别为三棱柱型的2H相、八面体型的1T相以及斜方六面体结构的3R相。工业上通常从辉钼精矿中提取获得,而普通工业法制备的是2H相的二硫化钼,由于二硫化钼片层结构的紧密堆积,所暴露的活性位点较少,电化学性质差,严重限制了二硫化钼的应用。而1T金属相的二硫化钼,片层堆砌松,层间距大,具有良好的电化学活性和较高的导电性,极大地改善了二硫化钼的电化学性质,从而拓宽了它在能源储存领域和催化吸波领域的应用。超级电容器是一种新颖高效的能量储存设备,它介于传统电容器与蓄电池之间,但比传统电容器拥有更大的能量密度和更高的功率密度,这使它在能量储备方面拥有独特的优势,从而在通讯、国防、交通、仪器仪表和电子器件等领域发挥出巨大的优势。现有专利报道出来大多为2H相二硫化钼,而1T相二硫化钼却报道较 ...
【技术保护点】
1.一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法,其特征在于:将一定摩尔比的钼源、硫源、碳源和水充分混合搅拌至均一溶液,得到前驱体溶液;将所得前驱体溶液转移至高压反应釜中,高温高压反应,反应结束后将反应液过滤洗涤,干燥后得到碳点掺杂1T二硫化钼粉末。
【技术特征摘要】
1.一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法,其特征在于:将一定摩尔比的钼源、硫源、碳源和水充分混合搅拌至均一溶液,得到前驱体溶液;将所得前驱体溶液转移至高压反应釜中,高温高压反应,反应结束后将反应液过滤洗涤,干燥后得到碳点掺杂1T二硫化钼粉末。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1:前驱体的制备将钼源、硫源、碳源和去离子水充分混合搅拌获得均一的前驱体溶液;步骤2:1T二硫化钼的制备将前驱体溶液转移至高压反应釜中,并将反应釜移至烘箱中,在220℃的高温高压下反应10h;待反应结束后,使用乙醇与去离子水将反应釜的黑色...
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