发声器件制造技术

本实用新型专利技术提供了发声器件，其包括盆架以及分别固定于所述盆架的振动结构及具有磁间隙的磁路结构，振动结构包括固定于盆架的上振膜、插设于磁间隙以驱动上振膜振动发声的音圈以及固定于盆架并与上振膜相对且间隔设置的下振膜，上振膜、下振膜以及盆架共同围成上腔，下振膜的背离上振膜的一侧与盆架共同围成下腔，下振膜为多孔阻尼件，上腔与下腔通过多孔阻尼件的孔道相连通。本实用新型专利技术的发声器件解决了现有技术中发声器件中下振膜的下空间、以及下振膜与上振膜之间的空间这两个空间之间会出现压差值过大，泄露不够，导致产品Q值、SPL等不达标的问题。

Phonation device

【技术实现步骤摘要】
发声器件
本技术涉及声学设备
，尤其涉及一种发声器件。
技术介绍
为了适应各种音响设备与信息通信设备的小型化、多功能化发展，该类设备中所使用的发声器件对应需要更加趋于小型化，以及与发声器件周边其他元件的配合更加紧凑，特别是随着智能手机轻薄化发展需求，其中所使用的发声器件，不仅要求小型化，更要求高音质化和立体声效果等。然而，现有技术中的发声器件由于适应了小型化设计要求而牺牲了相应的声腔空间，并且，下振膜的下空间、以及下振膜与上振膜之间的空间这两个空间被下振膜分割，在振动发声过程中，这两个空间之间会出现压差值过大，泄露不够，导致产品Q值、SPL等不达标。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种发声器件，旨在解决现有技术中发声器件中下振膜的下空间、以及下振膜与上振膜之间的空间这两个空间之间会出现压差值过大，泄露不够，导致产品Q值、SPL等不达标的问题。本技术的技术方案如下：本实施例提供的一种发声器件，其包括盆架以及分别固定于所述盆架的振动结构及具有磁间隙的磁路结构，振动结构包括固定于盆架的上振膜、插设于磁间隙以驱动上振膜振动发声的音圈以及固定于盆架并与上振膜相对且间隔设置的下振膜，上振膜、下振膜以及盆架共同围成上腔，下振膜的背离上振膜的一侧与盆架共同围成下腔，下振膜为多孔阻尼件，上腔与下腔通过多孔阻尼件的孔道相连通。优选地，下振膜包括胶合固定于音圈的第一固定部，自第一固定部向盆架延伸的折环部以及自折环部向盆架延伸并胶合固定于盆架的第二固定部，折环部向远离上振膜的方向弯曲凸出。优选地，多孔阻尼件上的孔道的孔径为10um～2000um。优选地，下振膜上包括多个贯穿下振膜的激光孔。优选地，下振膜对称设置于音圈的相对两侧。优选地，音圈包括相对设置的长轴部以及连接长轴部的短轴部，下振膜包括两个且对称设置于短轴部。优选地，振动结构还包括加强支撑件，加强支撑件包括固定连接于盆架的连接头段、固定连接于音圈背离上振膜一端的支撑段以及连接连接头段与支撑段的中间弹性承接段，加强支撑件与下振膜位置一一对应。优选地，连接头段夹设固定于盆架与第二固定部之间，支撑段夹设固定于音圈与第一固定部之间，中间弹性承接段位于上振膜与下振膜之间。优选地，发声器件还包括球顶，上振膜的中部设有振膜窗口，球顶连接于上振膜且覆盖振膜窗口。优选地，磁路结构包括磁轭、固定于磁轭的主磁钢以及分别间隔设置于主磁钢相对两侧并与主磁钢形成磁间隙的副磁钢。本技术的有益效果在于：在该发声器件运行而发声的过程中，音圈在变化电流以及磁路结构的共同作用下，音圈带动上振膜振动，从而使上振膜附近的空气振动而发声，并且在下振膜振动的过程中，被下振膜隔离开的上腔和下腔之间由于下振膜的振动而产生压差，对发声器件的性能造成影响。因此本技术的下振膜为多孔阻尼件，因而下振膜自身具有连通上下侧面的孔道而将上腔和下腔连通，上腔与下腔之间的气流能够通过这些孔道来回流动，从而降低了上腔与下腔之间的压差值，即减小了下振膜在振动过程中受到的压差阻力，从而得以提高音质和立体声效果，进而改善了该发声器件的产品Q值或者SPL等性能。此外，下振膜与盆架、音圈固定连接的位置同样为多孔结构，使得下振膜与盆架之间、下振膜与音圈之间的胶合强度增大，对整个发声器件的可靠性也有所改善。【附图说明】图1为本技术发声器件的分解结构示意图；图2为本技术的发声器件组装完成后的立体结构示意图；图3为图2中A-A方向剖视结构示意图；图4为图2中B-B方向剖视结构示意图；图5为本技术的发声器件中的下振膜的结构示意图；图6为本技术的发声器件的加强支撑件的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施方式对本技术作进一步说明。如图1至图5所示，本实施例的发声器件包括盆架10以及分别固定于所述盆架10的振动结构40及具有磁间隙35的磁路结构30，所述振动结构40包括固定于所述盆架10的上振膜41、插设于所述磁间隙35以驱动所述上振膜41振动发声的音圈43以及固定于所述盆架10并与所述上振膜41相对且间隔设置的下振膜42。在本技术的实施例中，上振膜41、下振膜42与盆架10三者之间共同围成上腔101，下振膜42的背离上振膜41的一侧与盆架10两者共同围成下腔102，其中，下振膜42为多孔阻尼件，上腔101与下腔102之间通过该多孔阻尼件的孔道相连通。在终端设备上应用该发声器件，例如：在手机上应用该发声器件、在平板电脑上应用该发声器件等等，在该发声器件运行而发声的过程中，音圈43在变化电流以及磁路结构30的共同作用下，音圈43带动上振膜41振动，从而使上振膜41附近的空气振动而发声，同时驱使下振膜42振动，则由下振膜42隔离开的上腔101和下腔102之间由于下振膜42的振动而产生压差，对发声器件的性能造成影响，由于本实施例的下振膜42是由多孔材料制成的多孔阻尼件，因而下振膜42自身具有连通上下侧面的孔道而将上腔和下腔连通，如此，下振膜42在振动的过程中，上腔101与下腔102之间的气流能够通过这些孔道来回流动，从而降低了上腔101与下腔102之间的压差值，即减小了下振膜42在振动过程中受到的压差阻力，从而得以提高音质和立体声效果，进而改善了该发声器件的产品Q值或者SPL等性能。进一步的，下振膜42与盆架10、音圈43固定连接的位置同样为多孔结构，使得下振膜42与盆架10之间、下振膜42与音圈43之间的胶合强度增大，对整个发声器件的可靠性也有所改善。另外，如图5所示，下振膜42上通过激光打孔而在折环部423上规则阵列分布地激光打孔形成的激光孔420，但是打孔加工手法不限于激光，还可以采用钻孔方式进行打孔，也可以采用模具成型下振膜42的方式预留的激光孔420。这样，本实施例的下振膜42通过自身具备的多孔道特性以及在折环部423上所打孔形成的激光孔420，能够更加便于气流在上腔101与下腔102之间转换流动，且并不影响下振膜42在振动发声过程中的振动性能。进一步地，本实施例的下振膜42所采用的多孔阻尼件材料上的孔道的孔径为10um～2000um，即：所采用的多孔阻尼材料中的孔道孔径可以等于10um，也可以等于2000um，还可以是10um～2000um中取值的孔径大小，这样均能够满足振动发声过程中对下振膜42的性能要求。下振膜42的数量为两个，两个下振膜42对称地设置于音圈43的相对两侧。音圈43为圆角矩形结构，包括相对设置的长轴部431以及连接长轴部431的短轴部432，两个下振膜42则对称地设置于短轴部432，即本技术的音圈43为长方形形状开口的音圈。在现有技术中，音圈43是胶粘固定与上振膜41上而没有再通过其他方式或结构进行辅助固定，在音圈43振动的过程中，音圈43与上振膜41之间的胶粘连接处受到的应力使得胶粘能力下降，为了能够延长音圈43与上振膜41之间的胶粘连接的作用寿命，因此，振动结构40还包括加强支撑件44，通过加强支撑件44在音圈43的下端形成了支撑，将音圈43弹性悬挂于上振膜41与下振膜42之间。具体地，如图6所示，加强支撑件44由于连接头段441、中间弹性承接段442和支撑段443组成，连接头段441与支撑段443通过中间弹性承接段442连接，连接头段44本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发声器件，其包括盆架以及分别固定于所述盆架的振动结构及具有磁间隙的磁路结构，所述振动结构包括固定于所述盆架的上振膜、插设于所述磁间隙以驱动所述上振膜振动发声的音圈以及固定于所述盆架并与所述上振膜相对且间隔设置的下振膜，其特征在于，所述上振膜、所述下振膜以及所述盆架共同围成上腔，所述下振膜的背离所述上振膜的一侧与所述盆架共同围成下腔，所述下振膜为多孔阻尼件，所述上腔与所述下腔通过所述多孔阻尼件的孔道相连通。

【技术特征摘要】
1.一种发声器件，其包括盆架以及分别固定于所述盆架的振动结构及具有磁间隙的磁路结构，所述振动结构包括固定于所述盆架的上振膜、插设于所述磁间隙以驱动所述上振膜振动发声的音圈以及固定于所述盆架并与所述上振膜相对且间隔设置的下振膜，其特征在于，所述上振膜、所述下振膜以及所述盆架共同围成上腔，所述下振膜的背离所述上振膜的一侧与所述盆架共同围成下腔，所述下振膜为多孔阻尼件，所述上腔与所述下腔通过所述多孔阻尼件的孔道相连通。2.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述下振膜包括胶合固定于所述音圈的第一固定部，自所述第一固定部向所述盆架延伸的折环部以及自所述折环部向所述盆架延伸并胶合固定于所述盆架的第二固定部，所述折环部向远离所述上振膜的方向弯曲凸出。3.根据权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述多孔阻尼件上的孔道的孔径为10um～2000um。4.根据权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述下振膜上包括多个贯穿所述下振膜的激光孔。5.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述下振膜对称设置于所述音圈的相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁平，赵彬，
申请(专利权)人：瑞声声学科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44