一种直流保护电路及电梯对讲系统和直流输出系统技术方案

本实用新型专利技术实施例公开了一种直流保护电路及电梯对讲系统和直流输出系统，所述直流保护电路包括：直流输出电路和限流电路，所述直流输出电路包括第一晶体管Q1，所述Q1连接着直流电源输入端并实现输出直流电至负载端；所述限流电路包括第二三极管Q2和电阻R6；所述Q1的集电极或漏极连接着直流电源输入端，所述Q1的发射极或者源极连接着所述R6和所述Q2的基极，所述Q1的基极或栅极连接着直流电源输入端和所述Q2的集电极。在本实用新型专利技术实施例中的电路可以有效保护直流输入电路，避免直流输入电路存在热损坏，并且在过流消失后，该电路可自动恢复至原状态。

A DC Protection Circuit and Elevator Interphone System and DC Output System

【技术实现步骤摘要】
一种直流保护电路及电梯对讲系统和直流输出系统
本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种直流保护电路及电梯对讲系统和直流输出系统。
技术介绍
现有电梯对讲系统采用两线制总线来实现对讲终端的直流供电，并同时采用总线传输语音信号，而这种总线应用下实现直流供电和传输语音信号也通常应用于各种电路结构中。采用两线制的电梯对讲系统其需要面对如何通过总线给各对讲终端实现直流供电，使用直流供电使用过程中难免有导致过流或者短路情况存在，因此需要考虑总线端过流以及短路情况下的保护及自恢复功能。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，本技术提供了一种直流保护电路及电梯对讲系统和直流输出系统，其采用三极管相关特性解决直流端和负载端间的过流或短路等问题，实现直流输入端和负载端的电路保护。为了解决上述问题，本技术提出了一种直流保护电路，其特征在于，所述直流保护电路包括：直流输出电路和限流电路，所述直流输出电路包括第一晶体管Q1，所述Q1连接着直流电源输入端并实现输出直流电至负载端，所述Q1为NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种；所述限流电路包括第二三极管Q2和电阻R6，所述Q2为NPN型三极管；所述Q1的集电极或漏极连接着直流电源输入端，所述Q1的发射极或者源极连接着所述R6和所述Q2的基极，所述Q1的基极或栅极连接着直流电源输入端和所述Q2的集电极；所述R6一端连接着所述Q1的发射极或者源极和所述Q2的基极，另一端连接着负载端；所述Q2的发射极连接着负载端。所述Q1的基极上串联有基极电阻。所述基极电阻包括电阻R4和电阻R5，所述R4和所述R5串联在一起，所述R4连接着直流电源输入端，所述R5连接着所述Q1的基极。所述直流保护电路还包括二极管D1和第三晶体管Q3，所述Q3为NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种，其中：所述D1的负极连接着负载端，所述D1的正极连接着Q3的发射极或源极；所述Q3的基极或栅极连接着直流电源输入端，所述Q3的集电极或漏极连接在所述R4和R5之间的电路上。所述Q3的基极或栅极和直流电源输入端间包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和电容C2，其中：所述R1一端连接着直流电源输入端，所述R1另一端并联连接有所述R2和R3；所述R2一端连接着R1，所述R2另一端与所述C2并联接地；所述R3一端与所述R2并联连接着R1，所述R3另一端与所述C2并联连接Q3的基级或栅极；所述C2一端与所述R2并联接地，所述C2与所述R3并联连接Q3的基极或栅极。所述Q1为NPN型单级或多级半导体三极管；或者所述Q1为P沟道结型单级或多级场效应管；或者所述Q1为N沟道增强型单级或多级MOS场效应管。所述Q2为NPN型单级或多级半导体三极管。所述Q3为NPN型单级或多级半导体三极管；或者所述Q3为P沟道结型单级或多级场效应管；或者所述Q3为N沟道增强型单级或多级MOS场效应管。相应的，本技术还提出了一种电梯对讲系统，所述电梯对讲系统基于总线与各对讲终端实现直流供电，在总线端的直流电源输出线路上设置有以上所述的直流保护电路。相应的，本技术还提出了一种直流输出系统，所述直流输出系统包括直流电源和负载，在所述直流电源和负载间设置有以上所述的直流保护电路。在本技术实施例中，在直流输入电路上存在过流时或者短路时，该电路通过把发热功率转移至相应的电阻上，这样可以有效保护直流输入电路，避免直流输入电路存在热损坏，并且在过流消失后，该电路可自动恢复至原状态。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1是本技术实施例中的直流保护电路原理示意图；图2是本技术实施例中的直流保护电路的另一原理示意图；图3是本技术实施例中的基于NPN型三极管带过流保护的交流阻抗电路原理示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术所涉及的直流保护电路包括：直流输出电路和限流电路，所述直流输出电路包括第一晶体管Q1，所述Q1连接着直流电源输入端并实现输出直流电至负载端，所述Q1为NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种；所述限流电路包括第二三极管Q2和电阻R6，所述Q2为NPN型三极管；所述Q1的集电极或漏极连接着直流电源输入端，所述Q1的发射极或者源极连接着所述R6和所述Q2的基极，所述Q1的基极或栅极连接着直流电源输入端和所述Q2的集电极；所述R6一端连接着所述Q1的发射极或者源极和所述Q2的基极，另一端连接着负载端；所述Q2的发射极连接着负载端。图1示出了本技术实施例中的直流保护电路原理示意图，该直流保护电路中的Q1和Q2以NPN型三极管为例进行说明，该直流保护电路包括：直流输出电路和限流电路，该直流输出电路包括第一晶体管Q1，该Q1连接着直流电源输入端并实现输出直流电至负载端RL；该述限流电路包括第二三极管Q2和电阻R6；该Q1的集电极连接着直流电源输入端，所述Q1的发射极连接着所述R6和所述Q2的基极，所述Q1的基极连接着直流电源输入端和所述Q2的集电极；该R6一端连接着所述Q1的发射极和该所述Q2的基极，另一端连接着负载端RL；所述Q2的发射极连接着负载端RL。需要说明的是，这里的Q1可以NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种。具体的，Q1为NPN型单级或多级半导体三极管；或者所述Q1为P沟道结型单级或多级场效应管；或者所述Q1为N沟道增强型单级或多级MOS场效应管。具体的，Q2为NPN型单级或多级半导体三极管。场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极E、基极B、集电极C，它们的作用相似。图2示出了本技术实施例中的直流保护电路的另一原理示意图，该直流保护电路中的Q1和Q2以NPN型三极管为例进行说明，该直流保护电路包括：直流输出电路和限流电路，该直流输出电路包括第一晶体管Q1，该Q1连接着直流电源输入端并实现输出直流电至负载端RL；该述限流电路包括第二三极管Q2和电阻R6；该Q1的集电极连接着直流电源输入端，所述Q1的发射极连接着所述R6和所述Q2的基极，所述Q1的基极连接着直流电源输入端和所述Q2的集电极；该R6一端连接着所述Q1的发射极和该所述Q2的基极，另一端连接着负载端RL；所述Q2的发射极连接着负载端RL。需要说明的是，这里的Q1的基极上串联有基极电阻，该基极电阻包括电阻R4和电阻R5，所述R4和所述R5串联在一起，所述R4连接着直流电源输入端，所述R5连接着所述Q1的基极。需要说明的是，直流保护电路还包括二极管D1和第三晶体管Q3，所述Q3为NPN型三极管，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直流保护电路，其特征在于，所述直流保护电路包括：直流输出电路和限流电路，所述直流输出电路包括第一晶体管Q1，所述Q1连接着直流电源输入端并实现输出直流电至负载端，所述Q1为NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种；所述限流电路包括第二三极管Q2和电阻R6，所述Q2为NPN型三极管；所述Q1的集电极或漏极连接着直流电源输入端，所述Q1的发射极或者源极连接着所述R6和所述Q2的基极，所述Q1的基极或栅极连接着直流电源输入端和所述Q2的集电极；所述R6一端连接着所述Q1的发射极或者源极和所述Q2的基极，另一端连接着负载端；所述Q2的发射极连接着负载端。

【技术特征摘要】
1.一种直流保护电路，其特征在于，所述直流保护电路包括：直流输出电路和限流电路，所述直流输出电路包括第一晶体管Q1，所述Q1连接着直流电源输入端并实现输出直流电至负载端，所述Q1为NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种；所述限流电路包括第二三极管Q2和电阻R6，所述Q2为NPN型三极管；所述Q1的集电极或漏极连接着直流电源输入端，所述Q1的发射极或者源极连接着所述R6和所述Q2的基极，所述Q1的基极或栅极连接着直流电源输入端和所述Q2的集电极；所述R6一端连接着所述Q1的发射极或者源极和所述Q2的基极，另一端连接着负载端；所述Q2的发射极连接着负载端。2.如权利要求1所述的直流保护电路，其特征在于，所述Q1的基极上串联有基极电阻。3.如权利要求2所述的直流保护电路，其特征在于，所述基极电阻包括电阻R4和电阻R5，所述R4和所述R5串联在一起，所述R4连接着直流电源输入端，所述R5连接着所述Q1的基极。4.如权利要求3所述的直流保护电路，其特征在于，所述直流保护电路还包括二极管D1和第三晶体管Q3，所述Q3为NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种，其中：所述D1的负极连接着负载端，所述D1的正极连接着Q3的发射极或源极；所述Q3的基极或栅极连接着直流电源输入端，所述Q3的集电极或漏极连接在所述R4和R5之间的电路上。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈乐建，廖春富，卢锦荣，陈美瑜，林为銮，
申请(专利权)人：广东寰宇电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44