双结光纤耦合激光二极管及相关方法技术

激光二极管装置具有第一波导层，该第一波导层包括与具有第二增益区域的第二波导层串联连接的增益区域。隧道结位于第一和第二引导层之间。单个准直器位于从第一和第二波导层发射的激光束的输出路径中。来自单个准直器的光束可以耦合到光纤中。

Double-Junction Fiber Coupled Laser Diode and Related Methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双结光纤耦合激光二极管及相关方法
本专利技术一般涉及激光二极管，更具体地涉及双结光纤耦合激光二极管及相关方法。
技术介绍
激光二极管在宽光谱范围内提供廉价、可靠的高亮度光功率源。许多应用要求光耦合到光纤中以将光从光源传输到目标应用。来自激光二极管，特别是来自边缘发射激光二极管的发射由于像散性、非常高的椭圆纵横比和难以控制发射光的相位前沿而固有地难以耦合到光纤中。一些专利和出版物已经涉及改进耦合边缘发射激光二极管的能力。例如，参见美国专利号5,212,706A、5,202,706、5,6799,963A、6,535,541和8,848,753。例如，一些专利描述了在边缘发射激光二极管中使用隧道结以通过在单个外延结构中结合多个发射器来增加激光二极管的堆叠密度。还描述了使用具有多个单独光束的边缘发射器，每个光束以不同波长发射激光。该方法可以实现非常紧凑的垂直堆叠以及来自单个芯片的多个波长的发射。由于难以在p型MOCVD生长的GaN中激活Mg受体，边缘发射的短波长III族氮化物基激光二极管面临着独特的挑战。已经描述了该挑战的解决方案，其中使用隧道结以及多个外延生长步骤来改善掺杂Mg的氮化物的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光二极管装置，包括：在单个外延结构中与第二波导串联连接的第一波导；隧道结，位于第一和第二波导之间；以及单个准直器，位于从第一和第二波导发射的激光束的输出路径中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.29 US 15/363,8741.一种激光二极管装置，包括：在单个外延结构中与第二波导串联连接的第一波导；隧道结，位于第一和第二波导之间；以及单个准直器，位于从第一和第二波导发射的激光束的输出路径中。2.根据权利要求1所述的激光二极管装置，其中单个准直器的光输出被引导到光纤中。3.根据权利要求2所述的激光二极管装置，还包括位于单个准直器和光纤之间的校正光学组件，其中校正光学组件接收单个准直器的光学输出，并且校正光学组件的光学输出被引导到光纤中，其中校正光学组件包括：第二准直器；校正光学设备；和聚焦镜头。4.根据权利要求3所述的激光二极管装置，其中单个准直器是快轴准直器，并且第二准直器是慢轴准直器。5.根据权利要求1-4中任一项所述的激光二极管装置，其中第一和第二波导中的至少一个还包括：第一和第二包覆层；位于第一和第二包覆层之间的第一和第二引导层；以及位于第一和第二引导层之间的有源层。6.根据权利要求1-5中任一项所述的激光二极管装置，其中隧道结还包括彼此接触定位的第一和第二重掺杂层，并且可选地其中所述隧道结的第一和第二重掺杂层中的每一个的厚度尺寸基本上在10-40nm之间。7.根据权利要求1-5中任一项所述的激光二极管装置，其中隧道结还包括彼此接触定位的第一和第二重掺杂层，并且可选地其中所述隧道结的第一重掺杂层还包括n++层，并且所述隧道结的第二重掺杂层还包括p++掺杂层，其中第一波导的n型包覆层优选地定位成与n++层接触，第二波导的p型包覆层优选地定位成与p++层接触。8.一种光纤耦合激光二极管设备，包括：在单个外延结构中连接到第二引导层的第一引导层，第一引导层和第二引导层中的每一个具有有源层；隧道结，位于第一和第二引导层之间，隧道结由两个彼此接触定位的薄的重掺杂层形成；以及公共垂直波导，由第一和第二引导层的有源层共享，公共垂直波导由接触两个薄的重掺杂层中的一个的第一引导层以及定位成接触两个薄的重掺杂层中的另一个的第二引导层而形成。9.根据权利要求8所述的光纤耦合激光二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：德温·厄尔·克劳福德，普拉布·契亚格拉杰，马克·麦克尔希尼，
申请(专利权)人：莱瑟特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US