能够控制pH以及氧化还原电位的稀释药液的制造装置制造方法及图纸

稀释药液的制造装置具有以下构成：在超纯水(W)的供给线(1)上依次具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)、和气体溶解膜装置(4)，在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有pH调节剂注入装置(5A)和氧化还原电位调节剂注入装置(5B)。膜式脱气装置(3)的气相侧与非活性气体源(6)连接，并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源(7)连接，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。在该排出线(8)上设有pH计(10A)和ORP计(10B)。根据该稀释药液的制造装置，能够控制pH以及氧化还原电位。

Manufacturing Device of Diluted Pharmaceutical Solution Controlling pH and Redox Potential

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】能够控制pH以及氧化还原电位的稀释药液的制造装置
本专利技术涉及一种在电子产业领域等中使用的稀释药液的制造装置，特别涉及一种能够控制pH以及氧化还原电位的高纯度的稀释药液的制造装置。
技术介绍
在LSI等的电子部件的制造工序中，会反复进行对具有微细构造的被处理体的处理工序。并且，进行以除去晶片或基板等的处理体表面上附着的微粒、有机物、金属、自然氧化皮膜等为目的的清洗，获得并保持高度的清洁度，这对保持制品的品质或提高成品率而言很重要。该清洗是例如使用硫酸/过氧化氢水混合液、氢氟酸溶液等的清洗液来进行，在该清洗后进行使用超纯水的冲洗。在该冲洗等的清洗中所供给的超纯水或药液需要高纯度。此外，近年来，由于半导体器件的微细化、材料的多样化、过程的复杂化，清洗次数变多。一般而言，超纯水的制造使用由前处理系统、一次纯水系统、二次纯水系统(子系统)构成的超纯水制造装置。在使用由这样的超纯水制造装置制造的超纯水的清洗中，存在超纯水中的溶解氧导致晶片表面上形成薄的氧化皮膜这样的问题点。为了解决该问题点，在专利文献1、2中提出了使用在进行脱气而除去溶解氧的超纯水中溶解了氢气的氢溶解水，使用减少了过氧化氢的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稀释药液的制造装置，其中，在超纯水供给线上依次具备铂族金属负载树脂柱和膜式脱气装置，在所述铂族金属负载树脂柱与所述膜式脱气装置之间，设有向超纯水中添加pH调节剂的pH调节剂注入装置和添加氧化还原电位调节剂的氧化还原电位调节剂注入装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.30 JP 2017-0686011.一种稀释药液的制造装置，其中，在超纯水供给线上依次具备铂族金属负载树脂柱和膜式脱气装置，在所述铂族金属负载树脂柱与所述膜式脱气装置之间，设有向超纯水中添加pH调节剂的pH调节剂注入装置和添加氧化还原电位调节剂的氧化还原电位调节剂注入装置。2.如权利要求1所述的稀释药液的制造装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤村侑，颜畅子，
申请(专利权)人：栗田工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP