能够控制pH以及氧化还原电位的稀释药液的制造装置制造方法及图纸

稀释药液的制造装置具有以下构成：在超纯水(W)的供给线(1)上依次具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)、和气体溶解膜装置(4)，在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有pH调节剂注入装置(5A)和氧化还原电位调节剂注入装置(5B)。膜式脱气装置(3)的气相侧与非活性气体源(6)连接，并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源(7)连接，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。在该排出线(8)上设有pH计(10A)和ORP计(10B)。根据该稀释药液的制造装置，能够控制pH以及氧化还原电位。

Manufacturing Device of Diluted Pharmaceutical Solution Controlling pH and Redox Potential

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】能够控制pH以及氧化还原电位的稀释药液的制造装置
本专利技术涉及一种在电子产业领域等中使用的稀释药液的制造装置，特别涉及一种能够控制pH以及氧化还原电位的高纯度的稀释药液的制造装置。
技术介绍
在LSI等的电子部件的制造工序中，会反复进行对具有微细构造的被处理体的处理工序。并且，进行以除去晶片或基板等的处理体表面上附着的微粒、有机物、金属、自然氧化皮膜等为目的的清洗，获得并保持高度的清洁度，这对保持制品的品质或提高成品率而言很重要。该清洗是例如使用硫酸/过氧化氢水混合液、氢氟酸溶液等的清洗液来进行，在该清洗后进行使用超纯水的冲洗。在该冲洗等的清洗中所供给的超纯水或药液需要高纯度。此外，近年来，由于半导体器件的微细化、材料的多样化、过程的复杂化，清洗次数变多。一般而言，超纯水的制造使用由前处理系统、一次纯水系统、二次纯水系统(子系统)构成的超纯水制造装置。在使用由这样的超纯水制造装置制造的超纯水的清洗中，存在超纯水中的溶解氧导致晶片表面上形成薄的氧化皮膜这样的问题点。为了解决该问题点，在专利文献1、2中提出了使用在进行脱气而除去溶解氧的超纯水中溶解了氢气的氢溶解水，使用减少了过氧化氢的水来进行冲洗等清洗的方法。此外，在专利文献3中则提出了一种使导电性物质溶解在原料超纯水中，然后使其通过填充有有机多孔质离子交换体的离子交换塔，提供浓度稳定的导电性水溶液的装置。另外，在半导体或液晶的制造过程中，使用杂质被高度地除去的超纯水来进行半导体晶片或玻璃基板的清洗。对于使用这样的超纯水的半导体晶片的清洗，已经知道存在，随着近年来半导体器件的微细化，超纯水中含有的极微量的过氧化氢等导致的配线金属的腐蚀，以及由于使用电阻率值高的超纯水，所以清洗时容易产生静电从而致使绝缘膜的静电击穿或微粒的再附着一类的问题。因此，近年来，通过向超纯水中添加二氧化碳或氨等药液来进行pH调节从而攻克上述问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-136077号公报。专利文献2：日本特开2010-17633号公报。专利文献3：日本特开2016-76590号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，对于专利文献1-3中所述的技术，因为不能够除去添加药液中含有的溶解气体种，因此，难以应对在超微细加工的半导体器件的清洗时所产生的各种问题。鉴于此，本专利技术人针对在超微细加工的半导体器件的清洗时所产生的各种问题的解决进行了研究，结果知道了微量的过氧化氢存在能够被有效地利用在氧化还原电位的调节方面的可能性。于是，由此期望能够控制pH和氧化还原电位，但是一直以来却没有能够进行这样的控制的稀释药液的制造装置。本专利技术是鉴于上述课题而提出，其目的在于，提供一种能够控制pH以及氧化还原电位的高纯度的稀释药液的制造装置。用于解决课题的手段鉴于上述目的，本专利技术提供一种稀释药液的制造装置，在超纯水供给线上依次具备铂族金属负载树脂柱和膜式脱气装置，在所述铂族金属负载树脂柱与所述膜式脱气装置之间设有向超纯水中添加pH调节剂的pH调节剂注入装置和添加氧化还原电位调节剂的氧化还原电位调节剂注入装置(专利技术1)。根据该专利技术(专利技术1)，通过将超纯水从超纯水供给线通至铂族金属负载树脂柱来除去超纯水中微量含有的过氧化氢，接着注入pH调节剂以及氧化还原电位调节剂而配制稀释药液后，由膜式脱气装置进行脱气而除去稀释药液中的溶解氧，从而排除原水中的溶解过氧化氢的影响，并且除去pH调节剂以及氧化还原电位调节剂中的溶解氧等，因此能够安全地制造/供给反映出所期望的pH以及氧化还原电位的高纯度的稀释药液。在上述专利技术(专利技术1)中，优选在所述膜式脱气装置的后段具备非活性气体溶解装置(专利技术2)。根据该专利技术(专利技术2)，通过在高纯度的稀释药液中溶解非活性气体，从而使气体成分难以在获得的稀释药液中溶解，能够使精确地反映出所期望的pH以及氧化还原电位的高纯度的稀释药液得以保持。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选所述膜式脱气装置是基于吸入非活性气体的方式的装置(专利技术3)。根据该专利技术(专利技术3)，通过在膜式脱气装置的气相侧吸入非活性气体，并在液相侧供给稀释药液，从而对溶解氧等溶解气体有效地进行脱气，因此，能够进一步地降低获得的稀释药液的溶解氧浓度，能够使反映出所期望的pH以及氧化还原电位的高纯度的稀释药液得以保持。在上述专利技术(专利技术1-3)中，优选在所述膜式脱气装置的后段具备pH测量机构和氧化还原电位测量机构(专利技术4)。根据该专利技术(专利技术4)，基于这些pH测量机构以及氧化还原电位测量机构的测定结果，能够控制pH调节剂以及氧化还原电位调节剂的注入量来使获得的稀释药液成为所期望的pH以及氧化还原电位。进一步地，在上述专利技术(专利技术1-4)中，优选所述pH调节剂是氨，所述氧化还原电位调节剂是过氧化氢(专利技术5)。根据该专利技术(专利技术5)，因为氨不含有金属离子等所以容易进行在碱性区域中的pH的调节并且氨不易成为妨碍因素，进一步地过氧化氢容易进行在正的区域中的氧化还原电位的调节，基于这些，能够成为所期望的pH和氧化还原电位。专利技术效果根据本专利技术的稀释药液的制造装置，首先，通过铂族金属负载树脂柱除去在超纯水中微量含有的过氧化氢以及溶解氧，接着，在注入pH调节剂以及氧化还原电位调节剂而配制稀释药液后，由膜式脱气装置进行脱气而除去稀释药液中的溶解氧，因此，能够排除原水中的溶解过氧化氢的影响而安全地制造/供给反映出所期望的pH以及氧化还原电位的高纯度的稀释药液。附图说明图1是表示基于本专利技术的一个实施方式的稀释药液的制造装置的概要图。图2是表示比较例1的稀释药液的制造装置的概要图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的稀释药液的制造装置的一个实施方式进行详细地说明。〔稀释药液的制造装置〕图1示出了本实施方式的稀释药液的制造装置，在图1中，稀释药液的制造装置具有以下构成：在超纯水W的供给线1上依次具备铂族金属负载树脂柱2、膜式脱气装置3、和气体溶解膜装置4，在铂族金属负载树脂柱2与膜式脱气装置3之间设有pH调节剂注入装置5A和氧化还原电位调节剂注入装置5B。该膜式脱气装置3的气相侧与非活性气体源6连接，并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源7连接，气体溶解膜装置4与排出线8连通。需要说明的是，符号9是膜式脱气装置3以及气体溶解膜装置4的排泄罐。并且，在本实施方式中，在排出线8的途中设有作为pH测量机构的pH计10A和作为氧化还原电位测量机构的ORP计10B。＜超纯水＞在本实施方式中，作为原水的超纯水W适合为，例如，电阻率：18.1MΩ/cm以上、微粒：粒径为50nm以上的有1000个/L以下、活菌：1个/L以下、TOC(TotalOrganicCarbon：总有机碳)：1μg/L以下、总硅：0.1μg/L以下、金属类：1ng/L以下、离子类：10ng/L以下、过氧化氢：30μg/L以下、水温：25±2℃。＜铂族金属负载树脂柱＞(铂族金属)在本实施方式中，作为在铂族金属负载树脂柱2中使用的在铂族金属负载树脂上负载的铂族金属，能够举出钌、铑、钯、锇、铱以及铂。对于这些铂族金属，能够单独使用一种，也能够进行组合而使用两种以上，也能够以两种以上的合金的方式来使用，或者，也能够使用没有分离成单体的天然生成的混合物的精制品。在这些当中，因为单独的铂、钯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稀释药液的制造装置，其中，在超纯水供给线上依次具备铂族金属负载树脂柱和膜式脱气装置，在所述铂族金属负载树脂柱与所述膜式脱气装置之间，设有向超纯水中添加pH调节剂的pH调节剂注入装置和添加氧化还原电位调节剂的氧化还原电位调节剂注入装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.30 JP 2017-0686011.一种稀释药液的制造装置，其中，在超纯水供给线上依次具备铂族金属负载树脂柱和膜式脱气装置，在所述铂族金属负载树脂柱与所述膜式脱气装置之间，设有向超纯水中添加pH调节剂的pH调节剂注入装置和添加氧化还原电位调节剂的氧化还原电位调节剂注入装置。2.如权利要求1所述的稀释药液的制造装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤村侑，颜畅子，
申请(专利权)人：栗田工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP