显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置。每个像素包括：透明上部电极，其覆盖第一区域的至少一部分和第二区域的至少一部分；反射下部电极，其设置在第二区域中；发光膜，其设置在透明上部电极与反射下部电极之间，发光膜被配置为响应于所供给的电流而发光；薄膜晶体管，其设置为在第二区域中比反射下部电极低，薄膜晶体管具有由透明氧化物制成的沟道部；以及透明低电阻膜，其由透明氧化物制成并将电源电位供给线和透明上部电极互连，透明低电阻膜与由透明氧化物构成并包括沟道部的氧化物膜分离，并具有比沟道部的电阻低的电阻。

display device

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及一种显示装置。
技术介绍
已经提出了多种透明显示器，这些透明显示器显示图像，同时允许看见显示器背后的背景。例如，透明显示器可以用在汽车窗户或商店橱窗中。透明显示器可以利用自发光元件，例如有机发光二极管(OLED)元件。OLED元件是电流驱动的自发光元件，因此消除了对背光的需求。除此之外，OLED显示元件具有实现低功耗、宽视角和高对比度的优点。
技术实现思路
透明显示装置可以由于自发光元件的像素电路(包含配线)而部分不透明。因此，就需要一种技术，该技术能够实现对自发光元件的适当控制，同时增大透明显示装置中的透明区域。本专利技术的一方面是一种显示装置，包括：基板；多个像素，所述多个像素形成在所述基板上，所述多个像素中的每一个像素包括透明的第一区域以及与所述第一区域不同的第二区域；以及电源电位供给线，所述电源电位供给线穿过所述多个像素的第二区域，并在所述多个像素的外侧与电源线连接。所述多个像素中的每一个像素包括：透明上部电极，所述透明上部电极覆盖所述第一区域的至少一部分和所述第二区域的至少一部分；反射下部电极，所述反射下部电极设置在所述第二区域中；发光膜，所述发光膜设置在所述透明上部电极与所述反射下部电极之间，所述发光膜被配置为响应于被供应的电流而发光；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置为在所述第二区域中比所述反射下部电极低，所述薄膜晶体管具有由透明氧化物制成的沟道部；以及透明低电阻膜，所述透明低电阻膜由透明氧化物制成并将所述电源电位供给线和所述透明上部电极互连，所述透明低电阻膜与由所述透明氧化物构成并包括所述沟道部的氧化物膜分离，并具有比所述沟道部电阻低的电阻。所述透明低电阻膜在所述第一区域中与所述透明上部电极连接。所述透明低电阻膜在所述第二区域中与所述电源电位供给线连接。本专利技术的一方面实现了在透明显示装置中的更大的透明区域。应当理解，前面的概述以及下述详述是示例性和说明性的，而不限制本专利技术。附图说明图1示意性示出了OLED显示装置的结构示例；图2A示出了像素电路的结构示例；图2B示出了像素电路的另一结构示例；图2C示出了像素电路的又一结构示例；图3示意性示出了包括子像素的阴极电极的透明导电膜与阴极电源线之间的连接；图4是示意性示出了主像素的结构示例的俯视图；图5A是示意性示出了子像素的结构示例的俯视图；图5B是沿图5A的线VB-VB剖开的子像素的剖视图；图6A示出了子像素的元件的制造步骤；图6B示出了子像素的元件的制造步骤；图6C示出了子像素的元件的制造步骤；图6D示出了子像素的元件的制造步骤；图6E示出了子像素的元件的制造步骤；图7A是示意性示出了子像素的另一结构示例的俯视图；图7B是沿图7A的线VIIB-VIIB剖开的子像素的剖视图；图8A示出了子像素的元件的制造步骤；图8B示出了子像素的元件的制造步骤；图8C示出了子像素的元件的制造步骤；图8D示出了子像素的元件的制造步骤；图8E示出了子像素的元件的制造步骤；图9A是示意性示出了子像素的又一结构示例的俯视图；图9B是沿图9A的线IXB-IXB剖开的子像素的剖视图；图10是示出了子像素的又一结构示例的剖视图；图11是示出了子像素的又一结构示例的剖视图；图12提供了在各种高频功率下通过He等离子体处理70nm厚的低电阻IGZO膜时光透射率的波长依赖性的测量结果；图13A提供了对图12中的IGZO膜中的一个IGZO膜进行X射线光电子能谱(XPS)分析的结果；图13B提供了对图12中的IGZO膜中的一个IGZO膜进行XPS分析的结果；图13C提供了对图12中的IGZO膜中的一个IGZO膜进行XPS分析的结果；图13D提供了图12中的IGZO膜中的一个IGZO膜进行XPS分析的结果；以及图14提供了在1700W的高频功率下通过He等离子体处理的低电阻IGZO膜的XPS信号。具体实施方式在下文中，将结合附图描述本专利技术的实施方式。应当注意，所述实施方式仅是实现本专利技术的示例，并不限制本专利技术的技术范围。附图中共用的元件将用相同的附图标记表示。为了清楚地理解本说明书，附图会放大元件的尺寸和形状。透明显示装置的整体结构将参考图1描述此实施方式中的透明显示装置的整体结构。在下文中，有机发光二极管(OLED)显示装置被描述为透明显示装置的示例；然而，本专利技术的特征适用于OLED显示装置之外的任何自发光型显示装置，例如量子点显示装置。图1示意性示出了OLED显示装置10的结构示例。OLED显示装置10包括OLED显示面板和控制装置。OLED显示面板包括其上形成有OLED元件的薄膜晶体管(TFT)基板100、用于封装OLED元件的封装基板200、以及用于将TFT基板100与封装基板200粘合的粘合部(玻璃料密封部)300。TFT基板100与封装基板200之间的空间填充干燥空气，并通过粘合部300密封。在TFT基板100的显示区域125外侧的阴极电极形成区域114的外围，设置有扫描驱动器131、发射驱动器132、保护电路133和驱动器IC134。它们通过柔性印刷电路(FPC)135连接到外部设备。扫描驱动器131驱动TFT基板100上的扫描线。发射驱动器132驱动发射控制线以控制子像素的发光时段。保护电路133保护元件免受静电放电。驱动器IC134安装有例如各向异性导电膜(ACF)。驱动器IC134具有显示控制功能。驱动器IC134向扫描驱动器131和发射驱动器132提供电力和时序信号(控制信号)，并进一步向数据线提供与图像数据相对应的信号。在下文中，由红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)三种颜色的子像素组成的像素被称为主像素。子像素或主像素可以称为像素。本专利技术的特征适用于具有与前述三种颜色不同颜色的颜色组的像素的显示装置或黑白显示装置。像素电路的结构在TFT基板100上形成多个像素电路，以控制电流供应给子像素的阳极电极。图2A示出了像素电路的结构示例。每个像素电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和存储电容器C1。像素电路控制OLED元件(自发光元件)E1的发光。晶体管是薄膜晶体管(TFT)。在下文中，第一晶体管T1至第三晶体管T3简写为晶体管T1至晶体管T3。晶体管T2是用于选择子像素的开关。晶体管T2是n沟道型TFT，其栅极端子与扫描线106连接。漏极端子与数据线105连接。源极端子与晶体管T1的栅极端子连接。晶体管T1是用于驱动OLED元件E1的晶体管(驱动TFT)。晶体管T1是n沟道型TFT，其栅极端子与晶体管T2的源极端子连接。晶体管T1的漏极端子与电源线(Vdd)108连接。源极端子与晶体管T3的漏极端子连接。存储电容器C1形成于晶体管T1的栅极端子与源极端子之间。晶体管T3是用于控制到OLED元件E1的驱动电流的供给/停止的开关。晶体管T3是n沟道型TFT，其栅极端子与发光控制线107连接。晶体管T3的漏极端子与晶体管T1的源极端子连接。晶体管T3的源极端子与OLED元件E1连接。接下来，描述像素电路的操作。扫描驱动器131将选择脉冲输出到扫描线106以使晶体管T2接通。从驱动器IC134经由数据线105供给的数据电压被存储到存储电容器C1。存储电容器C1在一帧时段期间保持所存储的电压。根据所存储的电压，晶体管T1的电导以模拟方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：基板；多个像素，所述多个像素形成在所述基板上，所述多个像素中的每一个像素包括透明的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域；以及电源电位供给线，所述电源电位供给线穿过所述多个像素的所述第二区域，并且在所述多个像素的外侧与电源线连接，其中，所述多个像素中的每一个像素包括：透明上部电极，所述透明上部电极覆盖所述第一区域的至少一部分和所述第二区域的至少一部分；反射下部电极，所述反射下部电极设置在所述第二区域中；发光膜，所述发光膜设置在所述透明上部电极与所述反射下部电极之间，所述发光膜被配置为响应于被供应的电流而发光；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置为在所述第二区域中比所述反射下部电极低，所述薄膜晶体管具有由透明氧化物制成的沟道部；以及透明低电阻膜，所述透明低电阻膜由所述透明氧化物构成，并将所述电源电位供给线和所述透明上部电极互连，所述透明低电阻膜与由所述透明氧化物构成并包括所述沟道部的氧化物膜分离，并具有比所述沟道部的电阻低的电阻，其中，所述透明低电阻膜在所述第一区域中与所述透明上部电极连接，并且其中，所述透明低电阻膜在所述第二区域中与所述电源电位供给线连接。

【技术特征摘要】
2018.03.01 JP 2018-036636;2018.07.18 JP 2018-135331.一种显示装置，包括：基板；多个像素，所述多个像素形成在所述基板上，所述多个像素中的每一个像素包括透明的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域；以及电源电位供给线，所述电源电位供给线穿过所述多个像素的所述第二区域，并且在所述多个像素的外侧与电源线连接，其中，所述多个像素中的每一个像素包括：透明上部电极，所述透明上部电极覆盖所述第一区域的至少一部分和所述第二区域的至少一部分；反射下部电极，所述反射下部电极设置在所述第二区域中；发光膜，所述发光膜设置在所述透明上部电极与所述反射下部电极之间，所述发光膜被配置为响应于被供应的电流而发光；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置为在所述第二区域中比所述反射下部电极低，所述薄膜晶体管具有由透明氧化物制成的沟道部；以及透明低电阻膜，所述透明低电阻膜由所述透明氧化物构成，并将所述电源电位供给线和所述透明上部电极互连，所述透明低电阻膜与由所述透明氧化物构成并包括所述沟道部的氧化物膜分离，并具有比所述沟道部的电阻低的电阻，其中，所述透明低电阻膜在所述第一区域中与所述透明上部电极连接，并且其中，所述透明低电阻膜在所述第二区域中与所述电源电位供给线连接。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明上部电极是覆盖所述多个像素并且在所述多个像素的外侧与所述电源线连接的透明导电膜的一部分，并且所述透明上部电极覆盖所述第一区域和所述第二区域的整个区域。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每一个像素包括在所述薄膜晶体管的栅电极与第二电极之间的存储电容器，所述第二电极是所述薄膜晶体管的源电极或漏电极，其中，所述存储电容器包括：第一透明电容电极，所述第一透明电容电极在所述第二区域中与所述栅电极连接并延伸到所述第一区域中；第二透明电容电极，所述第二透明电容电极为包括所述沟道部的所述氧化物膜的一部分，所述第二透明电容电极从所述氧化物膜的与所述第二电极接触的接触区域连续地延伸到所述第一区域中，并且具有比所述沟道部的电阻低的电阻；以及绝缘膜，所述绝缘膜位于所述第一透明电容电极与所述第二透明电容电极之间，并且其中，所述第一透明电容电极的至少一部分和所述第二透明电容电极的至少一部分在所述第一区域中隔着所述绝缘膜彼此相对。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，满足以下条件之一：源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移；源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移；以及源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值位于低于444.5eV的能量侧。6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱在低于444.0eV的能量侧具有子峰。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明氧化物是InGaZnO，并且其中，所述透明低电阻膜比所述沟道部更加氧缺乏。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源电位供给线位于比所述反射下部电极低的位置，并且穿过被所述反射下部电极覆盖的区域。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述电源电位供给线由与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹知和重，
申请(专利权)人：天马日本株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP